【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路中的电容，尤其涉及一种金属-绝缘层-金属型电容。
技术介绍
电容是集成电路工艺中常用的电子元器件，其可以被广泛的应用于耦合器、滤波器以及振荡器等电路中。现有的集成电路电容中，金属-绝缘层-金属型(MIM)电容逐渐成为了射频集成电路中的主流。这是由于其通常制作在金属互联层中，既与集成电路工艺相兼容，又与衬底间距较远，可以克服由多晶硅-介质层-多晶硅型(PIP)电容具有的寄生电容大、器件性能随频率增大而明显下降的弊端。MIM电容中的电容绝缘层通常采用氧化硅薄膜形成，具体的，利用PECVD方法形成的氧化硅因其沉积温度低而被广泛应用。但是利用PECVD方法形成的氧化硅薄膜由于在淀积过程中等离子的存在，使得该薄膜在一定程度上受到了等离子体的轰击而产生损伤，薄膜中具有一定的电缺陷。这些电缺陷会使得MIM电容在击穿电压、漏电流等各电特性方面性能下降。随着超大规模集成电路的发展，对器件的反应速度要求越来越快，且器件的集成度越来越高，其特征尺寸不断等比例缩小，电路内制作的电容尺寸也相应缩小，对电容制造的均勻性、一致性也会提出更为严格的要求。现有技术中，中国...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐强，毛智彪，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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