本实用新型专利技术涉及一种保护电路，特别是是一种电池的充电保护电装置，其特征是：它至少包括：充电电池、芯片S-8261AAGMD，通行卡电源正极DISC+和通行卡电源负极DISC-，向充电电池充电的正极CHR+、负极CHR-和控制端B，向充电电池充电的正极CHR+和通行卡电源正极DISC+之间串接有MOSFET管Q1，MOSFET管Q1的控制端与充电电池充电的控制端B电连接，向充电电池充电的正极端充电，充电电池充电的负极CHR-通过串接的MOSFET复合管Q3与充电电池负极电连接，MOSFET复合管Q3的两个控制端分别与芯片S-8261AAGMD的1脚DO和3脚CO电连接。它提供了一种电路简单、可靠性好的电池的充电保护装置。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种保护电路，特别是是一种电池的充电保护装置。
技术介绍
在高速公路的收费系统中，为了体现出通行费收费合理和拆分科学，需要废除传统的最短路径收费的方法，现在提出利用随车射频卡和路侧电子路标记录车辆行驶准确路径，按照实际行驶路径收取通行费用并加以拆分。由于通行信卡采用可充电电池供电，电池被封装在通行卡壳体内，因此在对电池充电时，即要能充电，又要保护电池。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种电路简单、可靠性好的一种电池的充电保护装置。本技术的目的是这样实现的，一种电池的充电保护装置，其特征是它至少包括充电电池、芯片S-8261AAGMD，通行卡电源正极DISC+和通行卡电源负极DISC-，向充电电池充电的正极CHR+、负极CHR-和控制端B，向充电电池充电的正极CHR+和通行卡电源正极DISC+之间串接有MOSFET管Ql,MOSFET管Ql的控制端与充电电池充电的控制端B电连接，向充电电池充电的正极端充电，充电电池充电的负极CHR-通过串接的MOSFET复合管Q3 与充电电池负极电连接，MOSFET复合管Q3的两个控制端分别与芯片S-8261AAGMD的1脚 DO和3脚CO电连接。所述芯片S-826IAAGMD的5脚VDD和6脚VSS之间连接电容Cl。所述芯片S-8261AAGMD的6脚VSS接电池负极，芯片S-8261AAGMD的5脚VDD通过电阻Rl与向充电电池充电的正极CHR+电连接，芯片S-826IAAGMD的2脚DM通过电阻R2 与充电电池充电的负极CHR-电连接。所述的充电电池的电压是3-3. 6V。所述的充电电池充电的正极CHR+与充电回路有保险管PTC。本技术的优点是由于芯片S-8261AAGMD通过控制向充电电池充电的正极 CHR+和通行卡电源正极DISC+之间串接有MOSFET管Ql，以及MOSFET复合管Q3，使通信卡在充电时断开，而在充电结束后加电，可有效的保护通行卡。另外，在充电时芯片m随时监测电池的充电状态，一旦检测到电池电压达到预定值便可将1和3端置低电平，复合MOSFET 截止将电池与充电器断开，使电池得到保护。附图说明下面结合实施例附图对本技术作进一步说明图1是本技术实施例电路原理图。具体实施方式如图1所示，一种电池的充电保护装置，它至少包括充电电池CELL、芯片 S-826IAAGMD,通信卡电源正端DISC+和通信卡电源负端DISC-，向充电电池充电的正端 CHR+,负端CHR-和控制端B，向充电电池充电的正端CHR+和通信卡电源正端DISC+之间串接有MOSFET管Ql，MOSFET管Ql的控制端与负向充电电池充电的控制端B电连接，向充电电池充电的正端CHR+通过保险管PTC与充电电池正极电连接，向充电电池充电的负端 CHR-通过串接MOSFET复合管Q3与充电电池负极电连接，MOSFET复 合管Q3的两个控制端分别与芯片S-826IAAGMD的1脚DO和3脚CO电连接，芯片S-826IAAGMD的5脚VDD和6 脚VSS之间连接电容Cl，芯片S-8261AAGMD的6脚VSS接电池负极，芯片S-8261AAGMD的5 脚VDD通过电阻Rl与向充电电池充电的正端CHR+电连接，芯片S-826 IAAGMD的2脚DM通过电阻R2与向充电电池充电的负端CHR-电连接。充电电池的电压是3-3. 6V，电电池充电的正极CHR+与充电回路有保险管PTC。充电时，充电器将B端置高电平，Ql截止，将电池与负载电路断开。而芯片m将1 和3端置高电平，复合MOSFET管Q3导通，为电池提供充电通路，电池开始充电。也就是为电池充电时，通行卡(与电池断开)电路断电。另外，在充电时芯片m随时监测电池的充电状态，一旦检测到电池电压达到预定值便可将1和3端置低电平，复合MOSFET截止将电池与充电器断开，使电池得到保护。充电过程中其他的管理功能请查阅芯片W的PDF资料， 如充电时首先对电池进行放电、其次脉冲充电、最后恒流充电等。权利要求1.一种电池的充电保护装置，其特征是它至少包括充电电池、芯片S-8261AAGMD，通行卡电源正极DISC+和通行卡电源负极DISC-，向充电电池充电的正极CHR+、负极CHR-和控制端B，向充电电池充电的正极CHR+和通行卡电源正极DISC+之间串接有MOSFET管Ql， MOSFET管Ql的控制端与充电电池充电的控制端B电连接，向充电电池充电的正极端充电， 充电电池充电的负极CHR-通过串接的MOSFET复合管Q3与充电电池负极电连接，MOSFET复合管Q3的两个控制端分别与芯片S-826IAAGMD的1脚DO和3脚CO电连接。2.根据权利要求1所述的一种电池的充电保护装置，其特征是所述芯片S-8261AAGMD 的5脚VDD和6脚VSS之间连接电容Cl。3.根据权利要求1所述的一种电池的充电保护装置，其特征是所述芯片S-8261AAGMD 的6脚VSS接电池负极，芯片S-8261AAGMD的5脚VDD通过电阻Rl与向充电电池充电的正极CHR+电连接，芯片S-8261AAGMD的2脚DM通过电阻R2与充电电池充电的负极CHR-电连接。4.根据权利要求1所述的一种电池的充电保护装置，其特征是所述的充电电池的电压是 3-3. 6V。5.根据权利要求1所述的一种电池的充电保护装置，其特征是所述的充电电池充电的正极CHR+与充电回路有保险管PTC。专利摘要本技术涉及一种保护电路，特别是是一种电池的充电保护电装置，其特征是它至少包括充电电池、芯片S-8261AAGMD，通行卡电源正极DISC+和通行卡电源负极DISC-，向充电电池充电的正极CHR+、负极CHR-和控制端B，向充电电池充电的正极CHR+和通行卡电源正极DISC+之间串接有MOSFET管Q1，MOSFET管Q1的控制端与充电电池充电的控制端B电连接，向充电电池充电的正极端充电，充电电池充电的负极CHR-通过串接的MOSFET复合管Q3与充电电池负极电连接，MOSFET复合管Q3的两个控制端分别与芯片S-8261AAGMD的1脚DO和3脚CO电连接。它提供了一种电路简单、可靠性好的电池的充电保护装置。文档编号H02J7/00GK202218040SQ20112032608公开日2012年5月9日 申请日期2011年9月1日 优先权日2011年9月1日专利技术者周培志, 孟令勇, 田庆安, 韩笑 申请人:河南省交通科学技术研究院有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：田庆安，孟令勇，周培志，韩笑，
申请(专利权)人：河南省交通科学技术研究院有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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