The utility model discloses an over temperature protection circuit and a charging pile. The over temperature protection circuit comprises a temperature rise rate detection circuit and a shutdown signal output circuit, wherein the output point of the temperature rise rate detection circuit is connected with the input terminal of the very critical signal output circuit. The over temperature protection circuit by detecting the change rate of the temperature to achieve the purpose of protection over temperature, when the temperature rises quickly, the temperature change rate and greater than a preset change rate, the over temperature protection circuit will output on-off signal, the PWM chip to stop working.
【技术实现步骤摘要】
一种过温保护电路及充电桩
本技术涉及保护电路领域,尤其涉及一种过温保护电路及充电桩。
技术介绍
对于一些大功率电源模块,比如充电桩,过温保护非常重要。当前的过温保护的方案大多是温度超过一定阈值时,过温保护电路输出关断信号,从而使PWM芯片部分或完全停止工作,然而,过温保护电路为了检测温度的准确性,对采用信号做了滤波延迟处理。如果所检测的温度上升得很快,过温保护电路输出关断信号时,实际温度已经会超过其阈值很多了,这样的滞后性会导致某些温度较高的半导体器件过热烧坏。
技术实现思路
为了解决上述现有技术的不足,本技术提供一种过问保护电路及充电桩。该过温保护电路通过检测温度的变化率来实现过温保护的目的,当温度上升很快时,即温度变化率大并大于某一预设的变化率,该过温保护电路便输出关断信号,使PWM芯片停止工作。本技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:一种过温保护电路,包括温度上升率检测电路和关断信号输出电路,温度上升率检测电路的输出点连接至关断信号输出电路的输入端;温度上升率检测电路包括电压输入端、第一电阻、基准源、三极管、第二电阻、热敏电阻、电容、P沟道MOS管、第一N沟道MOS管和第二N沟道MOS管,电压输入端连接至第一电阻的输入端,第一电阻的输出端连接至基准源的K脚,基准源的R脚连接至第二电阻的输入端,第二电阻的输出端连接至热敏电阻的输入端,热敏电阻的输出端接地,基准源的A脚分别连接至热敏电阻的输入端和P沟道MOS管的栅极,P沟道MOS管的漏极和电压输入端之间连接有电容,P沟道MOS管的源极连接至第一N沟道MOS管的漏极,第一N沟道MOS管的源极连接至热敏电 ...
【技术保护点】
一种过温保护电路,包括温度上升率检测电路和关断信号输出电路,温度上升率检测电路的输出点连接至关断信号输出电路的输入端;温度上升率检测电路包括电压输入端、第一电阻、基准源、三极管、第二电阻、热敏电阻、电容、P沟道MOS管、第一N沟道MOS管和第二N沟道MOS管,电压输入端连接至第一电阻的输入端,第一电阻的输出端连接至基准源的K脚,基准源的R脚连接至第二电阻的输入端,第二电阻的输出端连接至热敏电阻的输入端,热敏电阻的输出端接地,基准源的A脚分别连接至热敏电阻的输入端和P沟道MOS管的栅极,P沟道MOS管的漏极和电压输入端之间连接有电容,P沟道MOS管的源极连接至第一N沟道MOS管的漏极,第一N沟道MOS管的源极连接至热敏电阻的输出端,第一N沟道MOS管的栅极和漏极短接,第一N沟道MOS管的栅极连接至第二N沟道MOS管的栅极,第二N沟道MOS的漏极连接至第一N沟道MOS管的漏极,第二N沟道MOS管的源极和电压输入端之间连接有第三电阻,第二N沟道MOS管和第三电阻的公共端连接至关断信号输出电路的输入端;三极管的栅极连接第一电阻和基准源的公共端、源极连接第一电阻的输入端、漏极连接基准源的R脚;关 ...
【技术特征摘要】
1.一种过温保护电路,包括温度上升率检测电路和关断信号输出电路,温度上升率检测电路的输出点连接至关断信号输出电路的输入端;温度上升率检测电路包括电压输入端、第一电阻、基准源、三极管、第二电阻、热敏电阻、电容、P沟道MOS管、第一N沟道MOS管和第二N沟道MOS管,电压输入端连接至第一电阻的输入端,第一电阻的输出端连接至基准源的K脚,基准源的R脚连接至第二电阻的输入端,第二电阻的输出端连接至热敏电阻的输入端,热敏电阻的输出端接地,基准源的A脚分别连接至热敏电阻的输入端和P沟道MOS管的栅极,P沟道MOS管的漏极和电压输入端之间连接有电容,P沟道MOS管的源极连接至第一N沟道MOS管的漏极,第一N沟道MOS管的源极连接至热敏电...
【专利技术属性】
技术研发人员:李华,毕福春,吴永钊,
申请(专利权)人:深圳市凌康技术股份有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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