【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于太阳能电池片，特别是涉及一种晶硅电池片的结构。
技术介绍
1卯4年贝尔实验室Chapin等人开发出效率为6%的单晶硅太阳能电池到1960年为第一发展阶段，导致效率提升的主要技术是硅材料的制备工艺日趋完善、硅材料的质量不断提高使得电池效率稳步上升，这一期间电池效率在15%。1972年到1985年是第二个发展阶段，背电场电池(BSF)技术、“浅结”结构、绒面技术、密栅金属化是这一阶段的代表技术，电池效率提高到17%，电池成本大幅度下降。1985年后是电池发展的第三阶段，光伏科学家探索了各种各样的电池新技术、金属化材料和结构来改进电池性能提高其光电转换效率表面与体钝化技术、A1/P吸杂技术、选择性发射区技术、双层减反射膜技术等。许多新结构新技术的电池在此阶段相继出现，如效率达4%钝化发射极和背面点接触(PERL) 电池。目前相当多的技术、材料和设备正在逐渐突破实验室的限制而应用到产业化生产当中来。目前已经有多家国内外公司对外宣称到2008年年底其大规模产业化生产转换效率单晶将达到18%，多晶将超过17%。近年来，电池生产厂家为了降低成本，纷纷减簿晶硅电池的厚度。但是，晶硅电池片为脆性材料，降低厚度后将影响成品率。
技术实现思路
本专利技术将晶硅电池片的四周设计成圆角，圆角的半径与晶硅电池的厚度一致。从而减少了晶硅电池的应力集中，增加了晶硅电池的强度和表面积，提高了发电效率。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。附图本专利技术结构示意图。附图中1是晶硅电池过度圆角，2是晶硅电池。具体实施例方式本专利技术将晶硅电池片(2)的四周设...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：殷国庆，
申请(专利权)人：常州益鑫新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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