用于CMOS图像传感器的无损杂质掺杂的方法技术

一种制造背照式像素的方法。该方法包括在基板的正面上或正面中形成像素的正面组件，正面组件包括具有第一极性的感光区。该方法进一步包括在该基板的背面上形成具有第二极性的纯掺杂剂区、将激光脉冲施加至该基板的背面以熔化该纯掺杂剂区，并且使该纯掺杂剂区再结晶化以形成背面掺杂层。也揭示并主张了对应的装置实施例。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及图像传感器，并具体但非排它地涉及具有改良的背面表面掺杂的背照式(“BSI”)图像传感器。现有技术图像传感器已变得普遍存在。它们被广泛用于数字静态相机、蜂窝电话、安保相机、医学、汽车及其它应用中。用以制造图像传感器且特定是CMOS图像传感器(“CIS”)的技术已持续大步前进。举例而言，对较高分辨率及较低功率消耗的需求已助长了图像传感器的进一步小型化及集成化。因此，图像传感器的像素阵列中的像素的数目已增加，而每一像素单元的大小已减小。通常，图像传感器的每一像素包括诸如光电二极管的感光元件，以及用于从感光元件读出信号的一个或多个晶体管。随着像素单元大小的减小，晶体管大小亦可能减小。传送晶体管通常用在具有四晶体管设计的像素中。传送晶体管将感光元件与像素的其余部分分离。传送晶体管被形成于感光元件与浮动节点之间，且希望按比例缩小传送晶体管以具有短栅极长度，为了获得更大的集成度以及增强的像素填充因数。在大多数图像传感器中，每一像素的构成元件被形成于被视为硅基板的前表面的表面上或其附近，并且将由像素捕获的光入射于该前表面上。代替捕获入射于基板的正面上的光，或除了捕获入射于基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：顾克强，刘家颖，戴幸志，V·韦内齐亚，
申请(专利权)人：美商豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：