本实用新型专利技术属于半导体光电转换装置技术领域，公开了一种半透明的非晶硅太阳能电池。其主要技术特征为：由外到内依次包括超白透明玻璃层、外透明导电膜层、非晶硅层、内透明导电膜层，所述内透明导电膜层的内侧设有刚化玻璃层，所述的外透明导电膜层采用激光刻划出宽度约10-100微米的第一沟槽，非晶硅层采用激光刻划出宽度约10-100微米的第二沟槽，内透明导电膜层采用激光刻划出宽度约10-100微米的第三沟槽，第一沟槽与第二沟槽间、第二沟槽与第三沟槽间相距10-50微米。该半透明的非晶硅太阳能电池，内部使用刚化玻璃层，没有使用金属膜层做背电极，因而可以透过部分光，既能进行光伏发电，又具有半透明的作用，输出电压可调。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体光电转换装置
，尤其涉及一种半透明的非晶硅太阳能电池。
技术介绍
非晶硅太阳能电池是一种良好的光电转换器件，具有工艺简单、成本低、能耗少、 弱光效应好、温度系数低等优点，使其在太阳能电池领域占据越来越重要的地位，可广泛应用于光伏建筑一体化、大型光伏电站、及电子计算器、手表、路灯等消费产品。目前的非晶硅太阳能电池，其结构由外到内依次包括超白透明玻璃层、外透明导电膜层、非晶硅层、内透明导电膜层、金属膜层。这种太阳能电池，内透明导电膜层主要是用于隔离金属膜层与非晶硅层，金属膜层作为背电极，起到反光及引出电流的作用。这种太阳能电池，由于金属膜层而不具有透明的性能，因而在一些需要有部分光透光的应用方面受到了限制，如光伏农业大棚及光伏玻璃幕墙等领域。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题就是提供一种在发电的同时还能透过一部分光的半透明的非晶硅太阳能电池。为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为由外到内依次包括超白透明玻璃层、外透明导电膜层、非晶硅层、内透明导电膜层，所述内透明导电膜层的内侧设有刚化玻璃层。其附加技术特征为所述的外透明导电膜层采用激光刻划出宽度约10-100微米的第一沟槽，非晶硅层采用激光刻划出宽度约10-100微米的第二沟槽，内透明导电膜层采用激光刻划出宽度约10-100微米的第三沟槽，第一沟槽与第二沟槽间、第二沟槽与第三沟槽间相距10-50微米；所述的外透明导电膜层、内透明导电膜层的厚度为500 - 1000纳米；所述的非晶硅层的厚度为200 - 500纳米。本技术所提供的一种半透明的非晶硅太阳能电池，内部使用刚化玻璃层，没有使用金属膜层做背电极，因而可以透过部分光，既能进行光伏发电，又具有半透明的作用。外透明导电膜层是金属有机化学汽相沉积技术制备，采用激光刻划出宽度约10-100微米的第一沟槽，非晶硅层是等离子体辅助化学汽相沉积技术制备，采用激光刻划出宽度约 10-100微米的第二沟槽，内透明导电膜层用磁控溅射或化学汽相沉积技术制备，采用激光刻划出宽度约10-100微米的第三沟槽，第一沟槽与第二沟槽间、第二沟槽与第三沟槽间相距10-50微米，这样使得整个太阳能电池为若干个矩形的子电池所组成，每个子电池的宽度相等，整个太阳能电池的输出电压为各个子电池的电压之和，通过改变每个子电池宽度， 可以改变输出电压的大小。根据需要，外透明导电膜层、内透明导电膜层的厚度为500 -1000纳米，非晶硅层的厚度为200 - 500纳米。附图说明图1为本技术一种半透明的非晶硅太阳能电池的一种结构示意图；图2为一种半透明的非晶硅太阳能电池的另一种结构示意图。具体实施方式以下结合附图对本技术所提供的一种半透明的非晶硅太阳能电池的具体结构和使用原理做进一步详细说明。如图1所示，本技术所提供的一种半透明的非晶硅太阳能电池由外到内依次包括超白透明玻璃层1、外透明导电膜层2、非晶硅层3、内透明导电膜层4、刚化玻璃层5。 如图2所示，外透明导电膜层2采用激光刻划出宽度约10-100微米的第一沟槽6，非晶硅层 3采用激光刻划出宽度约10-100微米的第二沟槽7，内透明导电膜层4采用激光刻划出宽度约10-100微米的第三沟槽8，第一沟槽6与第二沟槽7间、第二沟槽7与第三沟槽8间相距10-50微米。本技术所提供的一种半透明的非晶硅太阳能电池，内部使用刚化玻璃层5， 没有使用金属膜层做背电极，因而可以透过部分光，既能进行光伏发电，又具有半透明的作用。外透明导电膜层2是金属有机化学汽相沉积技术制备，采用激光刻划出宽度约10-100 微米的第一沟槽6，非晶硅层3是等离子体辅助化学汽相沉积技术制备，采用激光刻划出宽度约10-100微米的第二沟槽7，内透明导电膜层4用磁控溅射或化学汽相沉积技术制备， 采用激光刻划出宽度约10-100微米的第三沟槽8，第一沟槽6与第二沟槽7间、第二沟槽 7与第三沟槽8间相距10-50微米，这样使得整个太阳能电池为若干个矩形的子电池所组成，每个子电池的宽度相等，整个太阳能电池的输出电压为各个子电池的电压之和，通过改变每个子电池宽度，可以改变输出电压的大小。根据需要，外透明导电膜层2、内透明导电膜层4的厚度为500 - 1000纳米，非晶硅层3的厚度为200 — 500纳米。权利要求1.一种半透明的非晶硅太阳能电池，由外到内依次包括超白透明玻璃层、外透明导电膜层、非晶硅层、内透明导电膜层，其特征在于所述内透明导电膜层的内侧设有刚化玻璃层。2.根据权利要求1所述的一种半透明的非晶硅太阳能电池，其特征在于所述的外透明导电膜层采用激光刻划出宽度约10-100微米的第一沟槽，非晶硅层采用激光刻划出宽度约10-100微米的第二沟槽，内透明导电膜层采用激光刻划出宽度约10-100微米的第三沟槽，第一沟槽与第二沟槽间、第二沟槽与第三沟槽间相距10-50微米。3.根据权利要求1所述的一种半透明的非晶硅太阳能电池，其特征在于所述的外透明导电膜层、内透明导电膜层的厚度为500 — 1000纳米。4.根据权利要求1所述的一种半透明的非晶硅太阳能电池，其特征在于所述的非晶硅层的厚度为200 - 500纳米。专利摘要本技术属于半导体光电转换装置
，公开了一种半透明的非晶硅太阳能电池。其主要技术特征为由外到内依次包括超白透明玻璃层、外透明导电膜层、非晶硅层、内透明导电膜层，所述内透明导电膜层的内侧设有刚化玻璃层，所述的外透明导电膜层采用激光刻划出宽度约10-100微米的第一沟槽，非晶硅层采用激光刻划出宽度约10-100微米的第二沟槽，内透明导电膜层采用激光刻划出宽度约10-100微米的第三沟槽，第一沟槽与第二沟槽间、第二沟槽与第三沟槽间相距10-50微米。该半透明的非晶硅太阳能电池，内部使用刚化玻璃层，没有使用金属膜层做背电极，因而可以透过部分光，既能进行光伏发电，又具有半透明的作用，输出电压可调。文档编号H01L31/042GK202210525SQ201120382640公开日2012年5月2日 申请日期2011年10月10日 优先权日2011年10月10日专利技术者张金娟, 李顺军, 薛俊明, 雷青松, 鞠洪超 申请人:河北汉盛光电科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：雷青松，薛俊明，鞠洪超，李顺军，张金娟，
申请(专利权)人：河北汉盛光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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