扩展同轴线多路合成放大装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及扩展同轴线多路合成放大装置。本实用新型专利技术包括同轴设置的顶座、底座和内芯，顶座和底座均为正多边形金属柱体。顶座内开有上扩展同轴腔，底座内开有下扩展同轴腔；内芯为半径呈阶梯变化的圆柱形金属柱，内芯固定在底座的凸起上，顶座和底座固定连接；主端口SMA接头固定在顶座顶面，其内导体插入内芯顶部的盲孔内；底座每个侧面设置有支路SMA接头，顶面沿径向开有安装槽，每个安装槽内设置有固态功率放大器芯片和微带探针，微带探针一端伸入到扩展同轴腔内，另一端与固态功率放大器芯片输出端连接；固态功率放大器芯片的输入端与对应支路的SMA接头连接。本实用新型专利技术基于同轴线设计，功率容量大、工作带宽宽、合成效率高。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种扩展同轴线多路合成放大装置。
技术介绍
随着现代无线电通信(如GPS, WLAN, SAR, LMDS, Bluetooth, and PCS)需求的不断增加，射频频谱已经拥挤不堪。因此，必须开发更高的频谱资源。然而，随着工作频率的不断升高，特别是进入微波毫米波频段后，单个固态器件的功率输出能力却大大降低，远不能满足通信系统的要求。如果在微波毫米波领域，仍想采用有固态通信技术，就必须采用功率合成技术来提高系统的功率输出能力。传统的平面电路功率合成技术，由于合成功率有限、合成效率低、工作带宽窄、散热差，等一些固有的缺陷己不再适用。要突破固态通信技术目前所遇到的这个技术瓶颈，开发优良的功率合成器是关键。功率合成器最重要的指标就是合成效率。影响合成效率最重要的因素，就是插损和各路信号的幅相不一致性。一般情况下，各支路MMIC放大器芯片会采用同一厂家同一型号的单片放大器，它们的振幅和相位差异很小可忽略不计。当不考虑各支路有源器件本身振幅和相位差异时，那么产生振幅和相位差异的就只是无源合成网络了。所以，无源合成网络(功分器和合成器)的设计成为整个合成放大器设计的核心技术。如果本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：骆新江，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：实用新型
国别省市：