一种薄膜光伏太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种薄膜光伏太阳能电池，在钠钙玻璃基板上电镀薄膜层和厚钼薄膜，所述薄膜层的上表面设置“p-n结”区域，该薄膜层上面镀有硫化镉，所述硫化镉上镀有绝缘层氧化锌和导电透明的氧化锌参铝，所述氧化锌参铝上表面镀镍，所述镍上面设有厚铝膜和保护铝的保护镍，所述保护镍上面镀有钠钙覆盖玻璃，使用热离子的扫描电子枪，或在靶材与基板间，进行射频线圈的等离子体电感耦合，保证在大气，氩气，硒化氢等环境下不会互相污染，产生一种无空隙，更高密度的薄膜。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池领域，具体涉及一种薄膜光伏太阳能电池。
技术介绍
“正脉冲”时间，除了限制了我们的“工作周期”外，在“等离子体”中的负电子相当有限；参考一提到在溅射过程中，在等离子体内，当“负脉冲”切断后，“一微秒”便能删除 80%的负电子；通常“反向正脉冲”持续8微秒长，而头一微秒后，大部分的负电子就已经用尽。对不十分导电的靶材而言，经过长时间的溅射和高密度功率溅射、“负氩离”会导致打弧。这现象尤其不利于“连线”，“传动式”工艺是溅射镀膜，因为靶材是持续不断地被轰击，它与“整批生产模式”不同。在大多数情况下，这种低电导率或绝缘薄膜的生产，是使用“反应-溅射”的工艺来进行的，使用金属靶材，在某种工艺气体环境下反应溅射，比如在氧气环境下，溅射铝，制造“氧化铝”；但“反应-溅射”是十分难控制的溅射工艺，很难维持平衡和避免“阴极中毒”。对一些不十分导电的靶材而言，在某种“工作周期”和“功率密度”的条件下，“等离子体”中“等离子负电子”的提取，无法跟得上“氩电荷”的积聚。尤其是“传动式”模式的“脉冲直流溅射”，当“承载架”上的基板进入溅射炉时，基板上的镀膜是偏角方向的溅射， 在这种情况下，开始生长的一些“晶体核”会成为屏蔽，阻碍后溅射上的原子，特别是在低基板温度的情况下，妨碍原子表面的流动，导致“晶体”之间的空隙产生。
技术实现思路
本技术要解决的问题是提供一种无空隙，更高密度的薄膜光伏太阳能电池。为解决上述问题，本技术通过以下方案来实现一种薄膜光伏太阳能电池，在钠钙玻璃基板上电镀薄膜层和厚钼薄膜，所述薄膜层的上表面设置“p-n结”区域，该薄膜层上面镀有硫化镉，所述硫化镉上镀有绝缘层氧化锌和导电透明的氧化锌参铝，所述氧化锌参铝上表面镀镍。所述镍上面设有厚铝膜和保护铝的保护镍，所述保护镍上面镀有钠钙覆盖玻璃。本技术采用额外的电子源以化解氩离子的积累，并提议在靶材前方，放置掩模挡板，以避免在传动式模式的脉冲直流溅射中，所形成的偏角电镀，这种额外的电子源， 包括使用热离子的扫描电子枪，或在靶材与基板间，进行射频线圈的等离子体电感耦合，保证在大气，氩气，硒化氢等环境下不会互相污染，产生一种无空隙，更高密度的薄膜。附图说明图1为本技术的横截面图；图2为本技术实施例一结构示意图；图3为本技术实施例二结构示意图；图4为本技术实施例三结构示意图。具体实施方式以下通过具体实施方式与附图说明对本技术做进一步的描述如图1所示，一种薄膜光伏太阳能电池，在钠钙玻璃基板1上电镀薄膜层3和厚钼薄膜2，所述薄膜层3的上表面设置“p-n结”区域11，该薄膜层3上面镀有硫化镉4，所述硫化镉4上镀有绝缘层氧化锌5和导电透明的氧化锌参铝6，所述氧化锌参铝6上表面镀镍7，所述镍7上面设有厚铝膜8和保护铝的保护镍9，所述保护镍9上面镀有钠钙覆盖玻璃10。实施例一图2所示，在枪体12的顶部及底部，安装电子回旋共振微波，将产生偏振微波相的回转2. 45ghz微波，实施例二图3所示，在靶材前方，放置垂直校准掩模挡板，使溅射原子垂直沉积在承载架的基板表明，确保晶体核两则，没有偏角溅射形成的阴影作用，使薄膜松弛，或存有空隙，带阴极溅射靶材的真空室门，垂直校准掩模挡板，溅射沉积与基板的最大角度子， 承载架基板，从左至右，进入溅射真空舱体。实施例三如图4所示，使用的“连线”溅射系统设计，其中的工艺溅射炉的左右皆有两个转换炉，转换炉之作用是为匹配前工序与后工序的真空环境，使大气，氩气，硒化氢， 或硫化氢，等工艺气体，不相互污染，铜铟镓硒薄膜层本身也需要适当的氩气压力；我们注入“硒化氢”或“硫化氢”一方面为纠正由于过多铜造成的“非化学计量”，并同时调节在“P-n 接”附近的“带隙”，此工艺专利技术同时包括使用“χ-光射线荧光”，建立“在线反馈监测系统”; 使铜铟镓硒薄膜成型时，通过“可编程逻辑控制”及时反馈铜铟镓硒薄膜层内，不同层深度内的“铜”及“硒”或“硫”的成分，进而随时调整“硒化氢”或“硫化氢”的注入，使用“硫化氢”在溅射过程中控制薄膜性能，混合“硒化氢”，通常以33%的比例，使铜铟镓硒薄膜层中， 靠近“P-n接”的区域，有足够的“硫”，以促进“转换效率”，使用脉冲直流电源，使用“越过式”连线溅射，电镀2. 0微米的厚度的铜铟镓硒薄膜层，我们只需在铜铟镓硒薄膜的上层，加入0. 02到0. 67微米以下“硫化区”，则“p-n接”区及“空间电荷”区，以此例计算，我们使用 “硫化氢”气体，只限于0. 67微米的厚度，而非2. 0微米的铜铟镓硒薄膜全层厚度，减小硫化氢有毒气体的使用，此专利技术也包括使用双靶材，控制不同深度铜铟镓硒层中的“硫”比例，使用“脉冲直流溅射”用于铜铟镓硒薄膜层，使用“射频溅射”用于“氧化锌”和“硫化镉”薄膜层。权利要求1.一种薄膜光伏太阳能电池，其特征在于在钠钙玻璃基板(1)上电镀薄膜层(3)和厚钼薄膜O)，所述薄膜层(3)的上表面设置“p-n结”区域(11)，该薄膜层C3)上面镀有硫化镉G)，所述硫化镉(4)上镀有绝缘层氧化锌( 和导电透明的氧化锌参铝(6)，所述氧化锌参铝(6)上表面镀镍(7)。2.根据权利要求1所述的薄膜光伏太阳能电池，其特征在于所述镍(7)上面设有厚铝膜⑶和保护铝的保护镍(9)，所述保护镍(9)上面镀有钠钙覆盖玻璃(10)。专利摘要本技术公开了一种薄膜光伏太阳能电池，在钠钙玻璃基板上电镀薄膜层和厚钼薄膜，所述薄膜层的上表面设置“p-n结”区域，该薄膜层上面镀有硫化镉，所述硫化镉上镀有绝缘层氧化锌和导电透明的氧化锌参铝，所述氧化锌参铝上表面镀镍，所述镍上面设有厚铝膜和保护铝的保护镍，所述保护镍上面镀有钠钙覆盖玻璃，使用热离子的扫描电子枪，或在靶材与基板间，进行射频线圈的等离子体电感耦合，保证在大气，氩气，硒化氢等环境下不会互相污染，产生一种无空隙，更高密度的薄膜。文档编号H01L31/0216GK202205793SQ20112020920公开日2012年4月25日 申请日期2011年6月20日 优先权日2011年6月20日专利技术者马给民 申请人:东莞日阵薄膜光伏技术有限公司, 广东凯盛光伏技术研究院有限公司, 广东凯盛光电科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马给民，
申请(专利权)人：东莞日阵薄膜光伏技术有限公司，广东凯盛光伏技术研究院有限公司，广东凯盛光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：