用于清洁基板的设备和系统技术方案

上部加工头包括上表面模块，其定义为将清洁材料施加在基板的上表面、然后将基板暴露于上部冲洗弯液面。所述上表面模块定义为使冲洗材料以基本上单向的方式向着所述清洁材料并逆着基板的移动方向流经所述上部冲洗弯液面。下部加工头包括下表面模块，其定义为将下部冲洗弯液面施加在所述基板上，以均衡由所述上部冲洗弯液面施加在所述基板上的力。所述下表面模块定义为提供用于收集和排放当所述基板不在所述上部加工头和所述下部加工头之间时从所述上部加工头发放的所述清洁材料的排放通道。所述上部加工头和所述下部加工头分别可以包括多个实例的上表面模块和下表面模块。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于清洁基板的设备和系统
技术介绍
在诸如集成电路和存储器单元之类半导体器件的制造中，进行一系列制造操作， 以定义半导体晶片(“晶片”)的特征。晶片(或基板)包括在硅基板上定义的多层次结构形式的集成电路器件。在基板的层次，形成带扩散区的晶体管器件。在随后的层次，互连金属线被图案化并且电气连接到晶体管器件，以定义所需的集成电路器件。此外，图案化的导电层与其它导电层之间由介电材料绝缘在一系列的制造操作期间，晶片表面暴露于各类污染物。在制造操作中存在的任何物质在本质上是潜在的污染源。例如，污染源可能包括工艺气体、化学物质、沉积材料和液体等。各种污染物可能会以微粒形式沉积在晶片表面。如果不去除微粒污染，污染附近范围内的设备就将有可能无法使用。因此，有必要以相当完全的方式从晶片表面清洁污染物而不损坏在晶片上定义的特征。然而，微粒污染的大小常常是在晶片上制成的特征的关键尺寸大小的量级。没有不利地影响晶片上的特征而去除这样小的颗粒污染是相当困难的。
技术实现思路
在一个实施方式中，公开了用于清洁基板的上部加工头。上部加工头包括具有前缘和后缘的第一模块。要清洁的基板的顶部将沿自前缘至后缘延伸的方向通过第一模块的下面。第一模块包括沿前缘定义的成排的清洁材料分配口。该排清洁材料分配口定义为在基板位于其下时将清洁材料层朝下分配到该基板上。第一模块还包括沿后缘定义的成排的冲洗材料分配口。该排冲洗材料分配口定义为在基板位于其下时将冲洗材料朝下分配在该基板上。第一模块还包括沿该排清洁材料分配口的尾随侧定义的成排的通风口。此外，第一模块包括在该排通风口和该排冲洗材料分配口之间定义的第一成排的真空口。所述第一成排的真空口被定义为对从该排通风口供应的空气以及在基板位于其下时来自基板的清洁材料和冲洗材料提供多相抽吸。在另一实施方式中，公开了用于清洁基板的下部加工头。下部加工头包括具有前缘和后缘的第一模块。要清洁的基板的底部将沿自前缘至后缘延伸的方向通过第一模块的上面。第一模块包括沿前缘定义以收集和排放分配在其中的材料的排放通道。第一模块还包括定义为限制冲洗弯液面区的突出框架(projected curb)。该突出框架包括分别定义为冲洗弯液面区的大约前半部份的和后半部份的引领部和尾随部。突出框架的引领部位于在排放通道的尾部的一侧。第一模块还包括在冲洗弯液面区内沿突出框架的尾随部定义的成排的冲洗材料分配口。该排冲洗材料分配口定义为在基板位于其上时向上分配冲洗材料到基板上。此外，第一模块包括定义为对分突出框架的引领部前缘的成排的真空口。该排真空口被定义为提供多级的冲洗材料和空气的抽吸。在另一实施方式中，公开了用于清洁基板的系统。该系统包括定义为在将基板保持在基本水平的方向时以基本上直线的路径移动基板的基板载体。该系统还包括位于基板的所述路径之上的上部加工头。所述上部加工头包括第一上表面(topside)模块，其定义为将清洁材料施加在基板上、然后将基板暴露于上表面冲洗弯液面。所述第一上表面模块定义为使冲洗材料以基本上为单向的方式向着所述清洁材料并逆着基板的移动方向流经所述上表面冲洗弯液面。该系统还包括位于基板的所述路径之下的下部加工头。所述下部加工头包括第一下表面(bottomside)模块，其定义为将下表面冲洗弯液面施加在所述基板上，以均衡由所述上表面冲洗弯液面施加在所述基板上的力。所述第一下表面模块定义为提供用于收集和排放当所述基板载体不在所述上部加工头和所述下部加工头之间时从所述第一上表面加工头分配的所述清洁材料的排放通道。从下面的结合附图进行的、以本专利技术的实施方式的方式说明的详细说明，本专利技术的其它方面和优势将更加明显。附图说明图IA示出了按照本专利技术的一个实施方式的用于从基板清洁污染物的系统； 图IB示出了按照本专利技术的一个实施方式的、有位于上部加工头的下方和在下部加工头118的上方的基板载体的室的垂直剖面图2A示出了按照本专利技术的一个实施方式的上部加工头的等轴测视图； 图2B示出了按照本专利技术的一个实施方式的、在其前缘和后缘之间垂直切割的上部加工头的垂直剖面图3A示出了按照本专利技术的一个实施方式的下部加工头的等轴测视图； 图3B示出了按照本专利技术的一个实施方式的、纵向切开通过第二下表面模块的下部加工头的垂直横截面的等轴测视图3C示出了按照本专利技术的一个实施方式的、在其前缘和后缘之间垂直切割的下部加工头的垂直剖面图4示出了按照本专利技术的一个实施方式的、上部加工头置于基板的上面而下部加工头置于基板的下面上部加工头相对。 优选实施方式在下面的说明中，说明了许多具体细节以提供对本专利技术的透彻的了解。然而，明显的是，对本领域的技术人员，本专利技术没有这些具体细节的部分或全部可以实施。在其它情况下，众所周知的工艺操作没有做详细介绍，以免不必要地模糊本专利技术。作为此处引用的基板，表示但不限制于半导体晶片、硬驱磁盘、光盘、玻璃基板、平板显示器表面和液晶显示表面等，它们在制造或加工操作中可能被污染。根据实际的基板， 表面可以通过不同的方式被污染，而可接受的污染的水平是在加工基板的特定行业中定义的。为便于讨论，基板污染在本文中是通过在基板表面上存在污染物颗粒的方式进行说明的。但是，应该认识到，这里引用的污染物颗粒可采取可能在基本上任何基板加工和处理操作期间接触基板的基本上任何类型的污染物的形式。在各种实施方式中，本文所公开的装置、系统和方法可用于从图案化的基板和非图案化的基板等清洁污染物颗粒。在图案化的基板的情况下，在要清洁的图案化的基板表面上的突起结构可对应于诸如多晶硅线或金属线之类凸出线。此外，要清洁的图案化的基板表面可包括诸如从化学机械研磨(CMP)加工中产生的凹进之类凹进的特征。图IA为按照本专利技术的一个实施方式所示出的用于从基板清洁污染物的系统。该系统包括由封闭墙101定义的室100。室100包括输入模块119、加工模块121和输出模块123。基板载体103及相应的驱动装置是定义为提供基板102的如箭头107所示的从输入模块119通过加工模块121到输出模块123的直线运动。驱动器轨道105A和引导轨道105B 定义为提供基板载体103的受控直线运动，以使基板102沿着由驱动器轨道105A和引导轨道105B定义的直线路径保持在基本水平的方向。输入模块119包括门组件113，通过门组件113基板102可以由基板处理装置插入室100中。输入模块119还包括基板升降装置109，升降装置109定义为当基板载体103 在输入模块119中位于升降装置109之上并居中时，其通过基板载体103的开放区垂直移动。当基板102通过门组件113插入室100时，可提高基板升降装置109以接收基板102。 基板升降装置109然后可以降低，以将基板102放置在基板载体103上并离开基板载体103 的直线行进路径。加工模块121包括上部加工头117，其被设置为而当其上放置有基板102的基板载体103移动移动通过上部加工头217头的下方时，处理基板102的上表面。加工模块121 还包括下部加工头118(见图1B)，其被设置为在基板载体103的直线移动路径之下，与上部加工头117相对。下部加工头118定义和定位为当基板载体103通过加工模块121移动时就加工基板102的底部表面。上部加工头117和下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：林成渝肖恩，马克·卡瓦古奇，马克·威尔考克森，拉塞尔·马丁，利昂·金兹伯格，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：