一种CdTe电池过渡层及其制备方法及CdTe电池技术

本发明专利技术属于化合物太阳能电池技术领域，具体公开了一种CdTe太阳能电池过渡层。其包括ZnTe层和Cu层交替堆积的多层结构；多层结构中与CdTe层接触的为第一层，第一层为ZnTe层；多层结构中ZnTe层的厚度范围为10～40nm，多层结构中Cu层的厚度为1～10nm；多层结构的总厚度为25～120nm。本发明专利技术还公开了该CdTe电池过渡层的其制备方法及使用该过渡层的CdTe电池。本发明专利技术所提供的CdTe电池的过渡层，可以有效抑制Cu原子扩散所带来的电池性能衰减的问题，电池性能稳定。并且过渡层的制备方法简单，可以大规模流水线生产。并且条件参数易于控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化合物太阳能电池
，尤其涉及一种CdTe电池过渡层及其制备方法及CdTe电池。
技术介绍
CdTe是一种化合物半导体，其能隙宽度最适合于光电能量转换。用这种半导体做成的太阳电池是一种将光能直接转变为电能的器件，有很高的理论转换效率。碲化镉容易沉积成大面积的薄膜，沉积速率也高。因此，相比于硅太阳能电池，碲化镉薄膜太阳电池的制造成本低，是应用前景广阔的新型太阳电池。如图1所示，CdTe太阳能电池的一般结构为从上到下依次为玻璃衬底厂、透明导电膜2\n-CdS层；T、p-CdTe层过渡层以及背电极由于CdTe的功函数较高 (5. kV)，过渡层可以改善CdTe与背电极的欧姆接触，从而极大的提高了 CdTe太阳能电池的性能。过渡层一般采用SiTe Cu过渡层。即Cu掺杂在SiTe层中。但是SiTe Cu过渡层中Cu原子很容易进入到CdTe层中，从而导致电池性能急剧衰减。并且现有制备SiTeCu过渡层的方法为共沉积法采用两个沉积源，即SiTe沉积源和Cu沉积源，同时在CdTe上沉积。但是，共沉积法目前只适用于实验室研究，不适合于大规模的工业化流水线生产。并且共吃呢机设备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邓瑞，周勇，曹文玉，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：