【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路技术，尤其涉及一种单端位线写入电路。
技术介绍
当手持设备以及嵌入式系统的不断发展和日益普及的过程中，作为其中的关键部件的片上存储器，例如寄存器堆、随机静态存储器、内容可寻址存储器等的需要不断增加， 尤其在高性能处理器中，片内的存储器占据了大部份芯片的面积。为了实现整体的低功耗设计，设计和使用低功耗的存储器显得尤为重要。图IA为现有技术的单端位线写入电路原理图。图中D表示缓冲后或者锁存的数据，BL表示位线，WL表示字线，11、12表示两个反相器。一般情况下，位线BL上连接多个存储单元，即图1中的方框部份，而这些存储单元的字线连接着不同的字线。图IA所示现有技术的单端位线写入电路工作原理如下首先，数据D经过反相器 Il和12驱动位线BL。当数据D为0时，此时位线BL上的电平被12驱动至低电源电压，当字线WL有效后，晶体管N3和晶体管N4导通，位线BL上的数据0信息经过N3被写入到存储单元中；当数据D为1时，此时位线BL上的电平被驱动至高电源电压，晶体管N5处于导通状态，当字线WL有效后，晶体管N3和晶体管N4也处于导通状态，位线BL上的数据...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：闫浩，洪缨，王东辉，侯朝焕，
申请(专利权)人：中国科学院声学研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。