一种蓝宝石单晶生长方法技术

本发明专利技术属于一种蓝宝石单晶体的制造方法，特别是涉及一种制造蓝宝石单晶体的提拉法。本发明专利技术采用高纯氧化铝（99.999wt%），制造过程先后经过填料、热场安装、升温、氧化铝熔化、Touch、引晶、放肩、等径、收尾及降温阶段；自原料熔化始至晶体生长完成收尾阶段启动坩埚旋转，或者自原料熔化始至晶体生长完成收尾阶段启动坩埚旋转，并且，自晶体生长肩部始至晶体生长完成收尾阶段启动加热线圈下降。本发明专利技术可以大幅降低蓝宝石单晶的位错密度、空位、气泡等缺陷。蓝宝石单晶生长过程中采取坩埚旋转及线圈下降具有以下有益效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于一种蓝宝石单晶体的制造方法，特别是涉及一种制造蓝宝石单晶体的提拉法。
技术介绍
蓝宝石具有熔点高(2045°C)，硬度高(莫氏为9，仅次于金刚石)，透光性好(在紫夕卜、可见、红外波段范围内具有很高的透光率，在3-5 μ m透过率高达85%)，抗辐射能力强， 抗拉强度高，抗腐蚀、热导率高，抗热冲击能力好等良好的性能，成为使用最广泛的氧化物衬底材料，主要用作半导体薄膜衬底材料、LED芯片衬底材料、大规模集成电路衬底等。另外蓝宝石晶体还是红外军用装置、导弹、潜艇、卫星空间技术、探测和高功率强激光等的优良窗口材料，优质光学材料。世界上只有少数几个国家掌握蓝宝石生产技术，其中以美国、日本和俄罗斯技术水平较高，并且占有全球大部分的市场，全球三大的蓝宝石基片生产厂商分别是美国 RUBICON、俄国M0N0CRYSTAL和日本京瓷。近年来，受益于LED照明产业的飞速发展，蓝宝石产业出现了供不应求的局面，2 寸蓝宝石衬底价格已由2009年上半年的7美元持续上涨至2010年底的30美元左右，市场缺口高达30%。在此背景下，国外蓝宝石企业纷纷扩产，国内蓝宝石项目投资暗流涌动，仅 2010年本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：樊志远，段金柱，王勤峰，蔡建华，段斌斌，徐秋峰，赵杰红，
申请(专利权)人：天通控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：