有机电致发光元件制造技术

本发明专利技术公开了一种有机电致发光元件，其包含光学基板、透明电极、有机电致发光结构与背电极。光学基板包含基材与多个散射粒子。散射粒子混合于基材中。透明电极直接设置于光学基板上。有机电致发光结构设置于透明电极上。背电极设置于有机电致发光结构上。本发明专利技术能够提高发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本揭示涉及一种有机电致发光元件。
技术介绍
有机电致发光元件(Organic Electroluminescent Device)因为具有轻薄、自发光、低消耗功率、不需背光源、无视角限制及高反应速率等特点，因此已逐渐被视为平面显示器或者是照明产业的明日之星。有机电致发光元件的发光效率取决于下式「ι7 X ^Jexciton 乂 material ^ V outcoupline”Power efflaency ---其中，ηPower efficiency为有机电致发光元件的发光效率，Y为载子再结合率，nexciton 为激发子生成率，nmatCTial为材料的量子效率，n。ut。。upling为光取出效率，ν为元件操作电压。由上式可知，光取出效率是影响有机电致发光元件发光效率的关键因素之一。然而，在有机电致发光元件中，由于各层之间折射率的落差，使得有机电致发光结构所发出的光线大部分(约80%)都因为全反射而损失，只有少部分(约20%)能够取出来应用。因此，如何提升光取出效率，让有机电致发光元件的发光效率能够更进一步地提升，已经成为相关产业迫切需要解决的问题之一。
技术实现思路
本专利技术的一技术方式是在提供一种有机电致发光元件，用以解决以上先前技术所提到的困难。根据本专利技术的一实施方式，一种有机电致发光元件包含光学基板、透明电极、有机电致发光结构与背电极。光学基板包含基材与多个散射粒子。散射粒子混合于基材中。透明电极直接设置于光学基板上。有机电致发光结构设置于透明电极上。背电极设置于有机电致发光结构上。在本专利技术一或多个实施方式中，上述的基材的材质为聚合物。在本专利技术一或多个实施方式中，上述的基材的折射率大于约1. 5。在本专利技术一或多个实施方式中，上述的散射粒子的折射率大于约1. 4。在本专利技术一或多个实施方式中，上述的散射粒子的平均粒径为约0.8 Ιμπι。在本专利技术一或多个实施方式中，上述的光学基板具有雾度、反射率与全光穿透率， 且此光学基板的雾度、反射率与全光穿透率满足15%< HazeXRX (R+T) <35%其中，Haze为光学基板之雾度，R为光学基板之反射率，T为光学基板的全光穿透率。在本专利技术一或多个实施方式中，上述的光学基板还包含至少一外阻挡层。此外阻挡层至少设置于基材背对透明电极的外表面。在本专利技术一或多个实施方式中，上述的外阻挡层更延伸至基材的至少一侧表面。在本专利技术一或多个实施方式中，上述的外阻挡层更延伸至基材的相对两侧表面。在本专利技术一或多个实施方式中，上述的外阻挡层包含无机原子层。此无机原子层至少设置于基材的外表面。在本专利技术一或多个实施方式中，上述的外阻挡层包含至少一无机层与至少一有机层。无机层至少设置于基材的外表面。有机层设置于无机层背对基材的外表面。在本专利技术一或多个实施方式中，上述的光学基板还包含至少一内阻挡层。此内阻挡层至少设置于基材面对透明电极的内表面。根据本专利技术的另一实施方式，一种有机电致发光元件包含光学基板、透明电极、有机电致发光结构与背电极。光学基板具有雾度、反射率与全光穿透率，且此光学基板的雾度、反射率与全光穿透率满足15HazeXRX (R+T) < 35%其中，Haze为光学基板的雾度，R为光学基板的反射率，T为光学基板的全光穿透率。透明电极直接设置于光学基板上。有机电致发光结构设置于透明电极上。背电极设置于有机电致发光结构上。在本专利技术一或多个实施方式中，上述的光学基板包含高分子基材与多个散射粒子。散射粒子混合于高分子基材中。在本专利技术一或多个实施方式中，上述的高分子基材的折射率大于约1. 5。在本专利技术一或多个实施方式中，上述的散射粒子的折射率大于约1. 4。在本专利技术一或多个实施方式中，上述的散射粒子的平均粒径为约0.8 Ιμπι。在本专利技术一或多个实施方式中，上述的光学基板还包含至少一外阻挡层。此外阻挡层至少设置于高分子基材背对透明电极的外表面。在本专利技术一或多个实施方式中，上述的外阻挡层更延伸至高分子基材的至少一侧表面。在本专利技术一或多个实施方式中，上述的光学基板还包含至少一内阻挡层。此内阻挡层至少设置于高分子基材面对透明电极的内表面。本专利技术利用光学基板来取代原本的玻璃基板，此光学基板因为混合有散射粒子， 因此能够破坏全反射，让光取出效率提高。附图说明图1示出依照本专利技术一实施方式的有机电致发光元件的剖面示意图。图2示出依照本专利技术多个实施例的HazeXRX (R+T)对功率增益的曲线图。图3示出依照本专利技术另一实施方式的光学基板的剖面示意图。图4示出依照本专利技术再一实施方式的光学基板的剖面示意图。图5示出依照本专利技术又一实施方式的光学基板的剖面示意图。图6示出依照本专利技术再一实施方式的光学基板的剖面示意图。图7示出依照本专利技术又一实施方式的光学基板的剖面示意图。图8示出比较例1的有机电致发光元件的剖面示意图。图9示出比较例2的有机电致发光元件的剖面示意图。上述附图中的附图标记说明如下100 有机电致发光元件110:光学基板111 基材112:外表面113:侧表面114:内表面115:散射粒子120:透明电极130 有机电致发光结构140:背电极150 外阻挡层152 无机层154 有机层160:内阻挡层162 无机层164 有机层170:玻璃基板具体实施例方式以下将以附图揭示本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式示出之。图1示出依照本专利技术一实施方式的有机电致发光元件100的剖面示意图。如图所示，一种有机电致发光元件100包含光学基板110、透明电极120、有机电致发光结构130与背电极140。光学基板110包含基材111与多个散射粒子115。散射粒子115混合于基材 111中。透明电极120直接设置于光学基板110上。有机电致发光结构130设置于透明电极120上。背电极140设置于有机电致发光结构130上。传统上，透明电极120、有机电致发光结构130与背电极140大多会设置在玻璃基板上。然而，由于折射率的落差，有机电致发光结构130所发出的光线会在透明电极120与玻璃基板的交界处，以及玻璃基板与空气的交界处产生全反射，并因此而产生光损失。在部分实例中，因为这两处全反射而导致的光损失甚至高达60%。因此，本实施方式是利用光学基板110来取代原本的玻璃基板，此光学基板110因为混合有散射粒子115，因此能够破坏全反射，让光取出效率提高。在本实施方式中，上述的光学基板110的基材111可为高分子基材。亦即，上述的基材111的材质可为聚合物，例如聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate ；PET)、聚 2，6_ 萘二酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate ；PEN)、聚碳酸酯(Polycarbonate PC)、聚酰亚胺(Polyimide ；PI)、聚硅氧(Silicone)或上述的任意组口 O此外，由于一般透明电极120的折射率大约达2. 0，因此上述的基材111的折射率一般会尽量靠近2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李孟庭，林俊良，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：