一种大功率ＭＯＳＦＥＴ逆变半桥器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大功率ＭＯＳＦＥＴ逆变半桥器件，包括两组对称设置的ＭＯＳ管、二极管和阻容吸收器件，两组ＭＯＳ管、二极管和阻容吸收器件分别设置在第一水冷板和第二水冷板上；两组ＭＯＳ管、二极管和阻容吸收器件的供电部分通过连接片分别与第一水冷板和第二水冷板相连；第一水冷板和第二水冷板分别为直流供电电源的导电正、负极板。本实用新型专利技术以水冷板作为直流供电电源的正、负极板，将ＭＯＳ管、二极管、阻容吸收器件也安装在此水冷板上，水冷板既作为直流的导电极板，同时又作为功率器件的散热器。本实用新型专利技术省掉了原结构的直流供电电源极板，使结构更加紧凑，由于水冷板的面积很大，导电性能优异，使得杂散电感降到了最低。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及串联型感应加热电源
，更具体地说，涉及一种大功率 MOSFET逆变半桥器件。
技术介绍
大功率 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, M0SFET，金氧半场效晶体管)逆变半桥器件应用在频率为50KHZ-2MHZ以 MOS^etal-Oxide-Semiconductor，绝缘性场效应管)管为开关器件的串联型感应加热电源。串联型感应加热电源的逆变侧要求直流供电电源为低内阻电压源，功率器件的阻容吸收电路要求引线电感小，结构紧凑，杂散电感小。原电源结构的逆变器输入输出距离较远， 阻容吸收用绞线连接到MOS管，杂散电感较大，影响器件的工作特性，并且多管并联实现大功率时很困难。因此，如何提高逆变半桥器件的散热效果，降低杂散电感，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种大功率MOSFET逆变半桥器件，以提高逆变半桥器件的散热效果，降低杂散电感。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案一种大功率MOSFET逆变半桥器件，包括两组对称设置的MOS管、二极管和阻容吸收器件，还包括第一水冷板和第二水冷板，两组所述MOS管、二极管和阻容吸收器件分别设置在所述第一水冷板和第二水冷板上；两组所述MOS管、二极管和阻容吸收器件的供电部分通过连接片分别与所述第一水冷板和第二水冷板相连；所述第一水冷板和第二水冷板分别为直流供电电源的导电正、负极板。优选的，在上述大功率MOSFET逆变半桥器件中，所述第一水冷板和第二水冷板的背面均焊接有冷却用铜管。优选的，在上述大功率MOSFET逆变半桥器件中，所述第一水冷板和第二水冷板之间设有多个高频滤波电容。优选的，在上述大功率MOSFET逆变半桥器件中，所述第一水冷板和第二水冷板均为铜板。从上述的技术方案可以看出，本技术以水冷板作为直流供电电源的正、负极板，将MOS管、二极管、阻容吸收器件也安装在此水冷板上，水冷板既作为直流的导电极板， 同时又作为功率器件的散热器。本技术省掉了原结构的直流供电电源极板，使结构更加紧凑，由于水冷板的面积很大，导电性能优异，使得杂散电感降到了最低。附图说明图1为本技术实施例提供的大功率MOSFET逆变半桥器件的主视结构示意图；图2为本技术实施例提供的大功率MOSFET逆变半桥器件去掉连接板后的俯视结构示意图。图1-图2中，1为电容；2为高频滤波电容；3为电阻片；4为二极管；5为连接板； 6为MOS管；7为冷却用铜管；81为第一水冷板；82为第二水冷板；91为第一未连接点引线； 92为第二未连接点引线。具体实施方式本技术公开了一种大功率MOSFET逆变半桥器件，以提高逆变半桥器件的散热效果，降低杂散电感。下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1和图2，图1为本技术实施例提供的大功率MOSFET逆变半桥器件的主视结构示意图；图2为本技术实施例提供的大功率MOSFET逆变半桥器件去掉连接板后的俯视结构示意图。本技术提供的大功率MOSFET逆变半桥器件，包括两组对称设置的MOS管6、二极管4和阻容吸收器件(由电阻片3和电容1组成)，本技术的重点在于还包括第一水冷板81和第二水冷板82，两组MOS管6、二极管4和阻容吸收器件分别设置在第一水冷板81和第二水冷板82上，即第一水冷板81和第二水冷板82上均设有MOS 管6、二极管4和阻容吸收器件。第一水冷板81和第二水冷板82上MOS管6、二极管4和阻容吸收器件通过连接片和连接板5相连。两组MOS管6、二极管4和阻容吸收器件的供电部分通过连接片分别与第一水冷板 81和第二水冷板82相连。第一水冷板81和第二水冷板82分别为直流供电电源的导电正、 负极板，驱动板通过第一绝缘支柱设置于铝托板上。第一水冷板81和第二水冷板82可优选为散热效果较好的铜板。第一水冷板81和第二水冷板82上的第一未连接点引线91和第二未连接点引线92分别与其各自的驱动板相连。本技术以水冷板(第一水冷板81和第二水冷板82)作为直流供电电源的正、 负极板，将MOS管6、二极管4、阻容吸收器件也安装在此水冷板上，水冷板既作为直流的导电极板，同时又作为功率器件的散热器。本技术省掉了原结构的直流供电电源极板，使结构更加紧凑，由于水冷板的面积很大，导电性能优异，使得杂散电感降到了最低。第一水冷板81和第二水冷板82的背面均焊接有冷却用铜管7，M0S管6、二极管4 和阻容吸收器件在工作中产生的热量被第一水冷板81和第二水冷板82及冷却用铜管7内的冷却水带走，以提高其散热效果。第一水冷板81和第二水冷板82之间设有多个高频滤波电容2，使直流电源的工作电压更平稳，保证了直流侧的电压源特性，便于实现逆变桥的大功率化。本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。权利要求1.一种大功率MOSFET逆变半桥器件，包括两组对称设置的MOS管(6)、二极管(4)和阻容吸收器件，其特征在于，还包括第一水冷板(81)和第二水冷板(82)，两组所述MOS管(6)、二极管(4)和阻容吸收器件分别设置在所述第一水冷板(81)和第二水冷板(8 上；两组所述MOS管(6)、二极管(4)和阻容吸收器件的供电部分通过连接片分别与所述第一水冷板(81)和第二水冷板(8 相连；所述第一水冷板(81)和第二水冷板(8 分别为直流供电电源的导电正、负极板。2.如权利要求1所述的大功率MOSFET逆变半桥器件，其特征在于，所述第一水冷板 (81)和第二水冷板(8 的背面均焊接有冷却用铜管(7)。3.如权利要求1或2所述的大功率MOSFET逆变半桥器件，其特征在于，所述第一水冷板(81)和第二水冷板(8 之间设有多个高频滤波电容O)。4.如权利要求1或2所述的大功率MOSFET逆变半桥器件，其特征在于，所述第一水冷板(81)和第二水冷板(8 均为铜板。专利摘要本技术公开了一种大功率MOSFET逆变半桥器件，包括两组对称设置的MOS管、二极管和阻容吸收器件，两组MOS管、二极管和阻容吸收器件分别设置在第一水冷板和第二水冷板上；两组MOS管、二极管和阻容吸收器件的供电部分通过连接片分别与第一水冷板和第二水冷板相连；第一水冷板和第二水冷板分别为直流供电电源的导电正、负极板。本技术以水冷板作为直流供电电源的正、负极板，将MOS管、二极管、阻容吸收器件也安装本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种大功率ＭＯＳＦＥＴ逆变半桥器件，包括两组对称设置的ＭＯＳ管（６）、二极管（４）和阻容吸收器件，其特征在于，还包括：第一水冷板（８１）和第二水冷板（８２），两组所述ＭＯＳ管（６）、二极管（４）和阻容吸收器件分别设置在所述第一水冷板（８１）和第二水冷板（８２）上；两组所述ＭＯＳ管（６）、二极管（４）和阻容吸收器件的供电部分通过连接片分别与所述第一水冷板（８１）和第二水冷板（８２）相连；所述第一水冷板（８１）和第二水冷板（８２）分别为直流供电电源的导电正、负极板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭咏龙，
申请(专利权)人：保定三伊天星电气有限公司，
类型：实用新型
国别省市：13