一种倒置结构的聚合物本体异质结太阳电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种倒置结构的聚合物本体异质结太阳电池及其制备方法，聚合物本体异质结太阳电池包括依次层叠的玻璃衬底、阴极、阴极界面层、光活性层和阳极，在阴极与光活性层之间设阴极界面层。所述方法将作为阴极界面层的含有极性基团或离子性基团的极性单元的共轭聚合物，或者其对应的聚电介质溶于极性有机溶剂中制备成溶液,溶液浓度为0.0001-0.10克/立方厘米；并将该溶液采用旋涂、刷涂、喷涂、浸涂、辊涂、丝网印刷、印刷或喷墨打印方式在阴极上形成阴极界面层。本发明专利技术可大幅提高聚合物本体异质结太阳电池的性能和并延长其寿命；本发明专利技术采用溶液加工技术，制备工艺简单，制作成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及聚合物本体异质结太阳电池的
，具体涉及倒置结构的聚合物本体异质结太阳电池及其制备方法。
技术介绍
基于光伏效应将太阳能转化为电能的太阳电池一直是国内外研究的热点。随着全球能源需求的逐年增加，石油、煤炭等一次性能源的日渐枯竭，以及出于保护地球环境等需要，人们把越来越多的目光投向了太阳能、氢能等可再生能源。目前，市场上成熟的太阳电池主要为基于单晶硅、多晶硅、非晶硅、砷化镓、磷化铟以及多晶膜化合物半导体等无机太阳能电池，其中，多晶硅和非晶硅太阳能电池在民用太阳能电池市场上占主导地位。经过五十余年的发展，无机单晶硅太阳电池的光电转换效率已经由专利技术之初的6%，提高到目前的最高效率可达30%以上。在基于硅的太阳电池当中，第一代的单晶硅太阳电池的能量转换效率可达20%，接近Hockley等人所预言33% 的上限，第二代 5_10%，第三代超过 50%， 接近热力学上的上限值 93% 。尽管如此，但是由于无机半导体太阳电池对材料纯度的要求非常高，且价格昂贵，因此其应用受到很大限制。利用有机半导体制备光伏器件首先在1986年取得突破。当时美国柯达公司研究人员C. W. Tan本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宏滨，何志才，仲成美，曹镛，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：