【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电子器件领域，特别是涉及MXN 二维光纤阵列及其制作方法。
技术介绍
本专利技术涉及的二维光纤阵列主要应用于高密度的PLC(平面光学波导)产品中，如 WSS (波长选择型光开关)以及MEMS (光微机电系统)光开关等。目前的二维双层光纤阵列及其制作方法(申请人中国科学院半导体研究所，申请号200810112204. 9)中涉及的二维双层光纤阵列是制作于同一块硅片的上下两个表面，如图1所示，但是本专利技术的专利技术人发现，这种设置在空间上形成大量浪费，不易工业化生产。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种MXN 二维光纤阵列及其制作方法，能够大大提高了光纤阵列的密度，节约了空间，适合于工业化生产。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种MXN 二维光纤阵列，其中，N为二维光纤阵列的层数，M为最顶层光纤的数量，底层的光纤数为L，M、N和L均为整数，且M > N，L > M+N ；而且上层光纤数比相邻下层数量少m，m为整数，m ^ 1，其特征在于， 底层光纤阵列固定在带有固定槽的定位基板内，第二层光纤阵列固定在所述底...
【技术保护点】
１．一种Ｍ×Ｎ二维光纤阵列，其中，Ｎ为二维光纤阵列的层数，Ｍ为最顶层光纤的数量，底层的光纤数为Ｌ，Ｍ、Ｎ和Ｌ均为整数，且Ｍ≥Ｎ，Ｌ≥Ｍ＋Ｎ；而且上层光纤数比相邻下层数量少ｍ，ｍ为整数，ｍ≥１，其特征在于，底层光纤阵列固定在带有固定槽的定位基板内，第二层光纤阵列固定在所述底层光纤阵列的两相邻光纤组成的固定槽上，使第二层光纤阵列中的每根光纤与第一层光纤阵列的两相邻光纤相切；重复叠加到第Ｎ层，第Ｎ层光纤阵列固定在第Ｎ－１层光纤阵列的两相邻光纤组成的Ｖ型槽上，使第Ｎ层光纤阵列中的每根光纤与第Ｎ－１层光纤阵列的两相邻光纤相切；所述第Ｎ层光纤阵列上盖有固定盖板。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄雪钦，
申请(专利权)人：博创科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：33
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