分子处理器制造技术

本实用新型专利技术涉及分子处理器，包括流质通道管，所述流质通道管的两端分别与一外连接件固定连接，所述流质通道管的外表面设置有一第一磁体组，所述第一磁体组所在的流质通道管的内径小于其他处流质通道管的内径。本实用新型专利技术采取特殊工艺制作的流质通道管从而大幅提升处理器的强度和力度，磁力强度超过8000GS以上，达到了现代工艺对磁场提出更高的强度需求，并可以对水、油、气等多种流质分子进行处理；另外，还可以对这些流质分子流经流质通道管后剩余的残留物进行清除。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术具体涉及一种主要用于水、油、气等流质分子处理的分子处理器。
技术介绍
目前，公知的活性水处理器构造是在管件的外表面装一对磁体，当自来水流过时磁力线切割而产生活性水。但是，由于两磁体的间隙过大而使形成的磁场强度较弱，最高强度仅有6000GS左右，以至于对流质物的作用不彻底，流质物分解不充分，易愈合等弊端，远达不到现代工艺对磁场提出更高的强度需求，并且这种处理器只能对水分子进行处理，而不能适应日常工作生活中使石油、天然气、煤气等充分燃烧的油、气等流质分子处理的特殊的工艺要求。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术的目的旨在于提供一种强磁力强度、且能适用于水、油、气等多种流质分子处理的分子处理器。为实现上述目的，本技术采用如下技术方案分子处理器，包括流质通道管，所述流质通道管的两端分别与一外连接件固定连接，所述流质通道管的外表面设置有一第一磁体组，所述第一磁体组所在的流质通道管的内径小于其他处流质通道管的内径。作为改进，还包括至少一第二磁体组，第一磁体组、第二磁体组依分子流质流向顺序设置于流质通道管的外表面，所述第二磁体组与第一磁体组平行放置。作为进一步改进，所述第一磁体组、第二磁体组均包括一上磁体、一下磁体，所述上磁体和下磁体均设置于流质通道管的外表面，所述上磁体和下磁体的磁力线相互平行且方向相反。优选地，还包括至少二导磁环，第一磁体组、第二磁体组分别设置于所述导磁环内。优选地，还包括一外壳，导磁环设置于所述外壳中。本技术所阐述的分子处理器，与现有技术相比，其有益效果在于本技术采取特殊工艺制作的流质通道管从而大幅提升处理器的强度和力度，磁力强度超过8000GS 以上，达到了现代工艺对磁场提出更高的强度需求，并可以对水、油、气等多种流质分子进行处理；另外，还可以对这些流质分子流经流质通道管后剩余的残留物进行清除。附图说明附图1为本技术分子处理器的结构剖视图。具体实施方式下面，结合附图以及具体实施方式，对本技术的分子处理器做进一步描述，以便于更清楚的理解本技术所要求保护的技术思想。如图1所示，分子处理器，包括流质通道管1，流质通道管包括有进口和出口，进口和出口分别与一外连接件5固定连接，进口对流质分子输入到流质通道管1中进行处理后由出口输送出去，例 如当对水进行处理时，进口与水管进行连接，出口连接至饮用水口相连；当对石油等油流质分子进行处理时，进口与石油输出管道相连，而出口则与石油使用端例如汽车、燃烧炉等相连，同样天然气、煤气等气流质分子与石油处理类似。流质通道管1 的外表面设置有至少一个磁体组2，磁体组2包括有上磁体和下磁体，上磁体和下磁体相对设置于流质通道管1的外表面上并且保证二者的磁力线相互平行且方向相反，即上磁体和下磁体与流质通道管1接触的位置的磁极刚好相反。为了避免上磁体和下磁体的间隙过大而使形成的磁场强度较弱，将距离进口较近的磁体组2处的流质通道管1向内突起，即是距离进口较近的磁体组2处的流质通道管1的横截面(垂直于流质分子流向方向)小于其他处流质通道管1的横截面，这样就可以使该磁体组2的上磁体与下磁体的间隙减少，从而使磁场强度增强，并且水流、油流、气流通过流质通道管1，因受流质通道管1该处的环境改变影响，平缓的流速瞬间受通道变窄而形成压力，压力改变了流速使水流、油流、气流高速喷射， 水、油、气在外力作用下通过距离进口较近的磁体组2产生的磁场，受切割磁力线运动时， 产生电荷和电动势，于是水、油、气内就产生了电流、电位差等物理变化，即产生了电能。为了使更好地对流质分子进行处理，可以在流质通道管1上增加多个磁体组2，经超强磁力作用，水、油、气分子电位发生变化，大分子团的缔合氢键打断，重新缔合成小分子团，从而激活成具有自然活性的生物活性水、油、气。生物活性水、油、气获得了能量，提高了水、油、气的含氧量、溶解力、渗透力，使饮用水更健康，油、气的燃烧更彻底，并且小分子团具有普通水、油、气二倍渗透力，能渗透疏、溶解去除流质通道管1中的旧垢。在本技术中，流质通道管1采用非导磁性材料例如不锈钢、铜、铝等材料制作而成，避免流质通道管1导磁而使带磁使磁体组2的磁力线发生混乱导致磁力减弱。同时， 为了使磁体组2的磁力线能集中向流质通道管1作用，在每个磁体组的外围包裹有导磁材料制作而成的导磁环3，导磁环3和其对应的磁体组2紧密贴合在一起。另外，为了防止外界物体受到磁体组2的磁力作用而被吸引至分子处理器处，在导磁环3和磁体组2的外围还设置一个非导磁材料制作成的外壳4。对于本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变以及变形都应该属于本技术权利要求的保护范围之内。权利要求1.分子处理器，包括流质通道管，所述流质通道管的两端分别与一外连接件固定连接， 其特征在于，所述流质通道管的外表面设置有一第一磁体组，所述第一磁体组所在的流质通道管的内径小于其他处流质通道管的内径。2.如权利要求1所述的分子处理器，其特征在于，还包括至少一第二磁体组，第一磁体组、第二磁体组依分子流质流向顺序设置于流质通道管的外表面，所述第二磁体组与第一磁体组平行放置。3.如权利要求2所述的分子处理器，其特征在于，所述第一磁体组、第二磁体组均包括一上磁体、一下磁体，所述上磁体和下磁体均设置于流质通道管的外表面，所述上磁体和下磁体的磁力线相互平行且方向相反。4.如权利要求3所述的分子处理器，其特征在于，还包括至少二导磁环，第一磁体组、 第二磁体组分别设置于所述导磁环内。5.如权利要求4所述的分子处理器，其特征在于，还包括一外壳，导磁环设置于所述外壳中。专利摘要本技术涉及分子处理器，包括流质通道管，所述流质通道管的两端分别与一外连接件固定连接，所述流质通道管的外表面设置有一第一磁体组，所述第一磁体组所在的流质通道管的内径小于其他处流质通道管的内径。本技术采取特殊工艺制作的流质通道管从而大幅提升处理器的强度和力度，磁力强度超过8000GS以上，达到了现代工艺对磁场提出更高的强度需求，并可以对水、油、气等多种流质分子进行处理；另外，还可以对这些流质分子流经流质通道管后剩余的残留物进行清除。文档编号C02F1/48GK202161989SQ20112025149公开日2012年3月14日 申请日期2011年7月15日 优先权日2011年7月15日专利技术者叶丰华, 吴冠怀 申请人:叶丰华, 吴冠怀本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．分子处理器，包括流质通道管，所述流质通道管的两端分别与一外连接件固定连接，其特征在于，所述流质通道管的外表面设置有一第一磁体组，所述第一磁体组所在的流质通道管的内径小于其他处流质通道管的内径。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶丰华，吴冠怀，
申请(专利权)人：吴冠怀，叶丰华，
类型：实用新型
国别省市：81