对光伏及光电设备中的分流缺陷的高速探测制造技术

本发明专利技术提供了分流缺陷探测设备，其包括用热隔离底座固定地持有的待测设备(DUT)、设置为向DUT提供定向偏压条件的电源、设置为从该电源向DUT提供局部电源的探针、设置为在定向偏压条件下测量自DUT的瞬时发射的发射探测器，其中所测得的瞬时发射作为来自发射探测器的瞬时数据输出到被合适地编程的计算机，其使用该瞬时数据来确定DUT的升温速率，并设置为估算DUT的过热风险级别，根据该过热风险级别，计算机的输出将DUT指定为合格状态、不确定状态、不合格状态或处理以装箱状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及探测光电设备中的缺陷。具体而言，本专利技术涉及高速成像以探测制造设施中的光伏电池与光电设备中关键分流(critical shunt)缺陷的方法。
技术介绍
由于电流分流的存在，光伏设备经常表现出性能劣化。可能在过程中各点引入这些分流，诸如遇到初始晶体质量、接触面过烧(contact over-firing)、在断裂边界处的表面条件、晶片边缘处的痕量金属(trace metal)沉积等问题。所引起的缺陷总体 (population)通常导致设备性能相对微小的整体劣化，该劣化在最后测试和分类(sort) 的过程中被合适地表征及解决。重要的是持续地减少分流缺陷总体以改进生产线结束时 (end-of-line)的成品率并将更多的电池移动到更高性能的箱子(bin)，不过还必须考虑涉及长期的现场可靠性的更重要的效果。当考虑遮蔽安装于现场的模块上的由遮蔽引起的反向偏压的效果时，内嵌分流探测变得非常重要。在极端情况中，树枝、鸟或其他物品遮蔽单个电池一段时间，而该电池被置于由串联的相邻部件所引起的强反向偏压中。对传统的150mm硅电池而言，在其被遮蔽的时间段内，其被反向偏压到大于10V本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种分流缺陷探测设备，包括：ａ．待测设备（ＤＵＴ），其中所述ＤＵＴ由热隔离底座所固定地持有；ｂ．电源，其中所述电源设置为向所述ＤＵＴ提供定向偏压条件；ｃ．探针，其中所述探针设置为从所述电源向所述ＤＵＴ提供局部电源；ｄ．发射探测器，其中所述发射探测器被设置为在处于所述定向偏压条件时测量来自所述ＤＵＴ的瞬时发射，其中所述所测得的瞬时发射输出作为来自所述发射探测器的瞬时数据；和ｅ．被合适地编程的计算机，其中所述被合适地编程的计算机使用来自所述发射探测器的所述瞬时数据来确定所述ＤＵＴ的升温速率，并设置为估算所述ＤＵＴ的过热风险级别，其中根据所述过热风险级别，所述计算机的输出将所述ＤＵＴ指定为合格状...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：L·A·瓦西里耶夫，J·M·施米特，J·E·赫德森，G·S·霍纳，
申请(专利权)人：拓科学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US