一种氮化碳场发射阴极的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种CNx场发射阴极的制作方法，该方法选择钛片作为基底，利用悬浊液静置沉降法在基底上形成含有CNx的胶膜，通过HFCVD热处理在基底与CNx颗粒之间键合生成TiC过渡层。其制作方法包括：先对基底钛片进行抛光处理，然后利用悬浊液静置沉降法在其上形成含有CNx颗粒的有机胶膜，最后采用真空热处理使有机胶膜分解挥发，同时形成CNx颗粒与基底的键合。本发明专利技术制备的CNx平面场发射阴极，由于在基底与CNx颗粒之间键合生成过渡层，降低了界面处的电子势垒，实现高密度的电子注入，同时，也加强了CNx与基底的黏附性。该法制备CNx场发射阴极，工艺简单、成本低廉、易于推广。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子显示
的场发射显示器阴极的制作，具体来说，涉及。
技术介绍
氮化碳是一种由理论预言提出的类似于氮化硅的共价化合物，具有较大的聚合能和力学稳定性。理论计算表明氮化碳是一种典型的宽禁带半导体材料，可能具有很小或者是负的电子亲和势，氮化碳还具有抗氧化、耐磨损、防腐蚀等杰出的物理特性和很高的化学稳定性，是一种优秀的场发射阴极材料。近年来，关于氮化碳薄膜阴极的制备已经得到了广泛的研究。中国专利(公开号 CN1401560)公开了一种阵列氮化碳纳米管的制备方法及其在场发射器件上的应用。但其采用在衬底上直接沉积生长氮化碳纳米管薄膜的路线制备氮化碳场发射阴极。虽然场发射阴极特性优良，但氮化碳纳米管薄膜的生长过程较为复杂，且生长面积受到限制，不利于实现场发射阴极向低成本、大面积的实用化方向发展。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的缺陷或不足，本专利技术的目的在于，提供一种简单高效的氮化碳(CNx)场发射阴极的制备方法。该方法将类石墨相CNx颗粒通过静置沉降法涂覆在钛(Ti)基底上，然后在热丝化学气相沉积(HFCVD)系统中热处理使基底与发射体材料发生键合反应生成碳化钛(TiC)本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＣＮｘ场发射阴极的制备方法，其特征在于，具体按下列步骤进行制备：１）选择钛片作为基底，对钛片的一表面进行研磨、抛光，然后置于丙酮中超声清洗，超声清洗后用去离子水冲洗，用乙醇脱水；２）选择用溶胶－凝胶法制备的类石墨相ＣＮｘ颗粒作为场发射体，将ＣＮｘ颗粒研磨至数微米量级；３）配制ＣＮｘ悬浊液：溶质选用类石墨相ＣＮｘ颗粒；溶剂选用丙酮；胶黏剂为聚醋酸乙烯酯，将其溶于丙酮配置成浓度为１０％的胶体溶液；将溶质、溶剂与胶体溶液混合后搅拌均匀制成ＣＮｘ悬浊液，其中丙酮与胶体溶液的体积比为５∶２，类石墨相ＣＮｘ颗粒的含量为０．３９ｍｇ／ｍｌ；４）将经抛光清洗后的钛片置于ＣＮｘ悬浊液底部，抛光面朝上；５...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：翟春雪，张志勇，杨延宁，赵武，王雪文，闫军锋，
申请(专利权)人：西北大学，
类型：发明
国别省市：87