存储器系统、控制存储器系统的方法和信息处理装置制造方法及图纸

技术编号:7147941 阅读:205 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
比较WC资源使用与小于上限Clmt的自动清空(AU)阈值Caf,并且当WC资源使用超过所述AF阈值Caf时,检查NAND存储器10的组织状态。当所述NAND存储器10的组织已充分进行时,提早地将数据从写入高速缓存(WC)21清空至NAND存储器10,从而改善随后写入命令的响应。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包括非易失性半导体存储器的存储器系统以及控制存储器系统的方法。
技术介绍
作为用于计算机系统中的外部存储设备,安装有例如NAND型闪存的非易失性半 导体存储器的SSD (固态驱动器)引起注意。所述闪存与磁盘设备相比具有例如高速和重 量轻的优点。所述SSD在其中包括多个闪存芯片;控制器,其对应于来自主机设备的请 求执行每个闪存芯片的读取/写入控制;缓冲器存储器,其用于执行每个闪存芯片和主机 设备之间的数据传送;电源电路;用于主机设备的连接接口(例如,专利文献1 日本专利 No. 3688835)。当在例如NAND型闪存的非易失性半导体存储元件中存储数据时,在擦除数据一 次之后以所谓的块为单位来执行写入,以所谓的页为单位来执行读取/写入,或固定擦除/ 读取/写入的单位。另一方面,由例如个人计算机(PC)的主机设备从例如硬盘的二级存储 装置读取数据/将数据写入至例如硬盘的二级存储装置的单位称为扇区。独立于半导体存 储装置元件的擦除/读取/写入单位来设置扇区。通常,块、页、和扇区的大小具有这样的 关系块>页>扇区。由此,在一些情况下,半导体存储装置元件的擦除/读取本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器系统,包括:高速缓存;非易失性半导体存储器,经由所述高速缓存将数据写入所述非易失性半导体存储器中;组织单元,其在所述非易失性半导体存储器的资源使用超过特定值时,通过在所述非易失性半导体存储器中组织所述数据来增加所述非易失性半导体存储器的资源;第一清空控制单元,其执行第一清空处理,所述第一清空处理用于在所述高速缓存的所述资源使用超过第一阈值且小于第二阈值且完成由所述组织单元进行的组织时,将所述高速缓存中的数据清空至所述非易失性半导体存储器,直到所述高速缓存的资源使用变得等于或小于所述第一阈值为止,其中所述第二阈值大于所述第一阈值;以及第二清空控制单元,其执行第二清空处理,所述第二清...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:矢野浩邦
申请(专利权)人:株式会社东芝
类型:发明
国别省市:JP

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