两面粘接膜和使用了该两面粘接膜的电子部件模块制造技术

本发明专利技术提供一种两面粘接膜，其具备支持膜、在该支持膜的一面层叠的第一粘接剂层和在该支持膜的另一面层叠的第二粘接剂层，所述第一粘接剂层和所述第二粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度为１００℃以下，所述第一粘接剂层和所述第二粘接剂层是能够采用包括如下工序的方法形成的层：将清漆直接涂布于所述支持膜，将涂布的清漆干燥。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及两面粘接膜和使用了该两面粘接膜的电子部件模块。
技术介绍
近年来，在半导体封装的领域中，如专利文献1、2等中所示，在1个封装内搭载2 个以上相同或不同的半导体元件的情形在增加。例如，如SIP (System In Package)那样具 有在同一平面上搭载的2种以上的半导体元件的封装的情况下，为了更高密度地搭载，有 必要使元件间的距离尽可能接近。2个以上的半导体元件之间聚合而层叠的情况下，使粘接 膜的厚度保持一定是重要的。此外，在传感器元件、MEMS元件的在基板的搭载中，有时元件 的搭载位置本身重要，有时位于同一元件内的不同位置的功能部位间的距离、搭载高度的 差异重要。此外，还有时相邻的元件间的距离、搭载高度的差异重要。例如，将2个以上的 图像传感器元件在同一平面上搭载的情况下，抑制相邻元件间的距离或元件间的搭载高度 的偏差是重要的。此外，在LED打印机头用途中，有必要以等间隔排列无数的LED。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2006-307055号公报专利文献2 日本特开2007-277522号公报专利文献3 日本特开2006-282973号公报专利文献4 日本特开2003-060127号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，为了将元件粘接于基板所使用的以往的粘接膜，具有与加热相伴的变形大 的问题，在这点上要求进一步改善。例如，采用包含将粘接膜压接于一方的被粘接体(基板或元件)后，压接另一方的 被粘接体(基板或元件)的工序的方法将元件粘接于基板的情况下，将粘接膜压接于一方 的被粘接体时，有必要在粘接膜的固化后的玻璃化转变温度(Tg)以上的温度下外加足够 的压力，但由于这样的高温的加热，与被粘接体没有接触的一侧，即与用于压接的夹具接触 的一侧的粘接膜表面因热和压力而变形，有时在表面形成微细的凹凸。如果压接另一方的 被粘接体以前在粘接膜的表面形成微细的凹凸，则不仅另一方的被粘接体的高精度的粘接 变得困难，而且还有可能成为粘接强度降低的原因。此外，在被粘接体的压接后进行的粘接膜的固化、引线接合、密封等伴有加热的工 序中，粘接膜有时产生热膨胀、热收缩、固化收缩、与粘接膜中的挥发成分和吸湿水分的挥 发相伴的膨胀等变形。如果该变形大，则产生搭载的元件的位置偏离的问题。特别地，在基 板上形成的连续的粘接膜的同一面上粘接2个以上的元件的情况下，由于加热，元件间的距离、高度会变化。此外，还有用粘接膜将基板与元件粘接时产生翘曲的问题。该翘曲也有可能成为 同一元件内的功能部位间、元件间的距离和高度的变化的原因。因此，本专利技术的目的在于提供加热时的变形和翘曲得到了充分抑制的两面粘接膜。用于解决课题的手段S卩，本专利技术的第1方面的两面粘接膜是如下的两面粘接膜，其具有支持膜、层叠于 该支持膜的一面的第一粘接剂层和层叠于该支持膜的另一面的第二粘接剂层，第一粘接剂 层和第二粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度为100°C以下，第一粘接剂层和第二粘接剂 层是能够采用包含将清漆直接涂布于支持膜并将涂布的清漆干燥的工序的方法形成的层。根据上述两面粘接膜，加热时的变形和翘曲得到充分抑制。通过使第一粘接剂层 和第二粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度(Tg)为100°c以下，能够在更低温下进行将基 板和元件压接的工序。通过在低温下进行压接，基板与元件的线膨胀系数差的影响变小，结 果能够抑制翘曲。此外，上述这样的由至少3层构成的本专利技术的两面粘接膜，用于半导体元件等元 件与基板的粘接时，即使在高温下加热后和溶剂浸渍后，也能够维持足够的粘接力。此外， 上述两面粘接膜通过使用了支持膜，在热应力的减小和粘接膜的加工性的兼具方面，能够 实现更高的水平。上述两面粘接膜中，优选第一粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度比第二粘接剂 层的固化后的玻璃化转变温度高10°C以上。由此能够抑制压接时的热引起的粘接膜的变 形。例如，在最初将粘接膜的第二粘接剂层侧压接于元件或基板的工序中，由于第一粘接剂 层的固化后的Tg比第二粘接剂层的固化后的Tg高，换言之，使第一粘接剂层变形和粘接所 需的温度比使第二粘接剂层变形和粘接所需的温度高，因此能够在第一粘接剂层的变形不 易发生的温度下将第二粘接剂层压接。其结果能够抑制第一粘接剂层的变形。第一粘接剂层和第二粘接剂层的流动量优选为0 2000 μ m。如果流动量超过 2000 μ m，与开孔、冲压等有关的两面粘接膜的加工性降低。需要说明的是，流动量是热压接 时的粘接剂层的熔融流动性的指标，关于其测定方法，如后所述。第一粘接剂层和/或第二粘接剂层优选含有热塑性树脂和热固化性树脂，更优选 含有填料。上述热塑性树脂优选包含聚酰亚胺树脂，热塑性树脂的玻璃化转变温度优选为 100°C以下。上述支持膜优选具有IOOppm以下的线膨胀系数。通过使支持膜的线膨胀系数为 IOOppm以下，换言之，通过使用加热时的特性变化小的材料作为支持膜，能够抑制将元件搭 载于基板后的粘接膜的固化工序、引线接合工序、密封工序等加热工序中的粘接膜自身的 收缩和膨胀。其结果是，搭载的元件的位置在这些加热工序时，偏离得到抑制。作为构成半 导体元件、MEMS元件的材料的硅(Si)的线膨胀系数为几ppm，一般的基板，例如玻璃环氧 基板、BT基板等线膨胀系数为几十ppm。另一方面，以往的粘接膜的线膨胀系数一般为几 百ppm，难以减小由基板与元件的线膨胀系数差或者基板和元件与粘接膜的线膨胀系数差 产生的翘曲。如果产生翘曲，元件间的距离、元件的搭载高度有可能变化。通过使支持膜的 线膨胀系数为IOOppm以下，能够有效地减小翘曲。上述支持膜优选具有100°C以上的玻璃化转变温度。由此能够抑制粘接膜的压接 温度下支持膜变形。上述两面粘接膜优选具有在第一粘接剂层和第二粘接剂层各自的与支持膜相反 的一侧的面层叠的覆盖膜。这样的两面粘接膜可用于将半导体元件和/或MEMS元件与基 板粘接。上述两面粘接膜在采用包括对两面粘接膜进行开孔加工的工序、以及从进行了开 孔加工的两面粘接膜将覆盖膜除去的工序的方法，用来将半导体元件和/或MEMS元件与基 板粘接的情况下特别有用。这种情况下，优选从进行了开孔加工的两面粘接膜将覆盖膜与 通过开孔加工产生的异物一起除去。采用包括上述的开孔加工的工序的方法将元件粘接的情况下，通过使用本专利技术的 两面粘接膜，由与开孔加工相伴产生的毛刺等异物造成的粘接强度降低、可靠性降低等不 利情况得到充分抑制。例如，通过将与开孔加工相伴产生的异物压接于一方的被粘接体前， 将覆盖膜剥离而将异物除去，进而在将另一方的被粘接体加热压接前将另一方的覆盖膜剥 离而将异物除去，能够防止由异物造成的不利情况。本专利技术的第2方面的两面粘接膜是如下的两面粘接膜，其具有支持膜、在该支持 膜的一面层叠的第一粘接剂层和在该支持膜的另一面层叠的第二粘接剂层，第一粘接剂层 和第二粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度为100°c以下，第一粘接剂层的固化后的玻璃 化转变温度比第二粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度高10°c以上，支持膜具有IOOppm 以下的线膨胀系数。根据上述两面粘接膜，加热时的变形和翘曲得到充分抑制。通过使第一粘接剂层 的固化后的Tg比第二粘接剂层的固化后的Tg高10°C以上，能够本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种两面粘接膜，其具备支持膜、在该支持膜的一面层叠的第一粘接剂层和在该支持膜的另一面层叠的第二粘接剂层，所述第一粘接剂层和所述第二粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度为１００℃以下，所述第一粘接剂层和所述第二粘接剂层是能够采用包括如下工序的方法形成的层：将清漆直接涂布于所述支持膜，将涂布的清漆干燥。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：片山阳二，
申请(专利权)人：日立化成工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP