本发明专利技术所提供的光信息介质测定方法，用于测定具有多层信息层的多层结构的光信息介质的调制度，包括利用测定光学系统测定所述光信息介质的各层的调制度的第１步骤、求出所述光信息介质的各层间的厚度的第２步骤、求出所述光信息介质的各层的反射率的第３步骤，以及根据在所述第２步骤求出的各层间的厚度和在所述第３步骤求出的各层的反射率的值，将在所述第１步骤测定的各层的调制度换算成与所述测定光学系统不同的基准光学系统下的调制度的第４步骤。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光盘等的光信息介质的测定方法。
技术介绍
使用光盘作为高密度、大容量的信息存储介质的光存储技术，越来越多地应用于 数字音频盘(digital audio disc)、录像盘、文书档案盘以及数据档案等中。在此光存储技 术中，信息作为光盘上的微小的凹坑(Pit)或记录标记(record mark)而被记录，通过被缩 径成非常小的光束而以高精度并具有可靠性地被加以记录、再生。例如，在作为光盘规格的一种的Blue-ray盘(BD 蓝光盘)中，将波长为400nm至 410nm、具体而言波长为405nm的激光用NA (Numerical Aperture 数值孔径)为0. 84至 0. 86、具体而言NA = 0. 85的物镜聚光，从而形成微小光点。通过光束再生这些凹坑或记录标记时所获得的再生信号，必须具有指定的特性以 便能够在不同装置中也能稳定地再生。图8(A)示出再生信号的例子。作为测量再生信号 的特性的指标，使用作为被再生的信号的AC成分的振幅Ipp与信号最大值It。p的比的调制 度(modulation degree)m(m = Ipp/It。p)，为了补偿装置间对光盘的兼容性，所述调制度m必 须在指定的值以上。因此，通过由光盘评估装置(测定光学系统)测定调制度来评估光盘 是否合适，能确保光盘在装置间的兼容性。调制度m的值，在具有多层记录层的光盘中会受到来自与再生对象层不同的其它 层的反射光(杂散光)的影响。即，与图8(A)所示的没有其它层的杂散光的影响时的信 号最大值It。p相比，当再生信号中含有来自其它层的杂散光时，如图8(B)所示，信号最大 值It。p’增加了杂散光的部分。因此，受到其它层杂散光的影响时的调制度m2为m2 = Ipp/ It。p’，小于没有其它层杂散光的影响时的调制度m。然而，像以往的2层盘那样，如果由测定光学系统的受光部面积、检测系统的倍率 及层间厚度而确定的射入受光部的杂散光的光量小至某种程度，则不用考虑受光部面积或 检测系统的倍率等条件，通过将调制度m规定在指定值以上，在确保装置间的兼容性上不 会有太大的问题。而且，为了在不同的装置中也能够稳定地再生，必须使多层盘的各层间的反射率 差在指定的数值范围内。这是为了抑制让光束在层间移动时急速的信号振幅的变化、或限制来自其它层的 杂散光的影响。若各层间的反射率差大，则在反射率低的层，来自反射率高的层的杂散光增 大，对信号的调制度造成较大的影响。然而，像以往的2层盘那样，如果由受光部面积、检测 系统的倍率及层间厚度而确定的射入受光部的杂散光的光量小至某种程度，则不用考虑受 光部面积或检测系统的倍率等条件，通过将反射率差规定在指定值之间，在确保装置间的 兼容性上不会有太大的问题。近年来，为了使光盘的记录容量进一步增加，对记录层多于2层的3层或4层的光 盘的实用化进行了探讨。在具有3层或4层记录层的光盘中，各层间的厚度与2层盘时相比必须更狭窄。然而，如果各层间的厚度狭窄，射入受光部的杂散光的光量与2层盘时相比 会增加，因此，调制度m的值或反射率差的值会较大地依存于受光部面积或检测系统的倍 率等的光学系统。因此，如果像以往那样在各种测定光学系统中规定调制度m的值或反射 率差的值，可能会无法确保装置间的兼容性。作为对策，虽然可以考虑规定测定调制度m或反射率差的光学系统的条件，在一 定的条件下测定调制度m或反射率差，但如此则必须置换目前全世界已存在的所有的测定 机的光学系统，因而并不现实。专利文献1 国际公开专利公报W02007/108507号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种光信息介质测定方法，不用准备特殊的测定光学系 统，无论用何种测定光学系统来测定光信息介质，都能正确地进行调制度或反射率差的比 较。本专利技术所提供的一种光信息介质测定方法，用于测定具有多层信息层的多层结构 的光信息介质的调制度，包括利用测定光学系统测定所述光信息介质的各层的调制度的第 1步骤、求出所述光信息介质的各层间的厚度的第2步骤、求出所述光信息介质的各层的反 射率的第3步骤，以及利用在所述第2步骤求出的各层间的厚度和在所述第3步骤求出的 各层的反射率的值，将在所述第1步骤测定的各层的调制度换算成与所述测定光学系统不 同的基准光学系统下的调制度的第4步骤。由此，不用准备特殊的测定光学系统，无论用何种测定光学系统来测定光信息介 质，都能正确地进行调制度的比较。本专利技术所提供的另一种光信息介质测定方法，用于测定具有多层信息层的多层结 构的光信息介质的反射率差，包括求出作为利用测定光学系统再生所述光信息介质的各层 时所获得的信号光量与入射光量的比的表面上的反射率的第5步骤、求出所述光信息介质 的各层间的厚度的第2步骤、求出所述光信息介质的各层的反射率的第3步骤，以及利用在 所述第2步骤求出的各层间的厚度和在所述第3步骤求出的各层的反射率的值，将在所述 第5步骤测定的表面上的反射率换算成与所述测定光学系统不同的基准光学系统下的反 射率差的第6步骤。由此，不用准备特殊的测定光学系统，无论用何种测定光学系统来测定光信息介 质，都能正确地进行反射率差的比较。本专利技术的其它目的、特征、及优点可通过以下的记载充分了解。而且，本专利技术的优 点可通过参照附图的以下的说明显而易见。附图说明图1 (A)是表示本专利技术实施方式1的测定光学系统与基于光信息介质的杂散光的 关系的说明图，图I(B)是表示测定光学系统的光检测器与杂散光的关系的说明图。图2是表示本专利技术实施方式1的3层光信息介质与光的路径的概念图。图3是表示本专利技术实施方式1的4层光信息介质与光的路径的概念图。图4是表示本专利技术实施方式1的被测定出的再生信号图案的例子的波形图。图5是表示本专利技术实施方式1的被换算成在基准光学系统的调制度的再生信号图 案的例子的波形图。图6是表示本专利技术实施方式1的调制度的换算方法的概念图。图7是表示本专利技术实施方式2的反射率差的计算方法的概念图。图8(A)是表示没有其它层杂散光时的再生信号的图案例的波形图，图8(B)是表 示有其它层杂散光时的再生信号的图案例的波形图。图9是表示本专利技术实施方式1的3层光信息介质的结构的具体例的概念图。图10是表示本专利技术实施方式的光信息介质的说明图。图11是表示本专利技术实施方式的记录装置的说明图。图12是表示本专利技术实施方式的再生装置的说明图。图13是表示本专利技术实施方式1的调制度的换算方法的一例的概念图。图14是表示本专利技术实施方式1的调制度的换算方法的其它例子的概念图。图15是表示本专利技术实施方式1的调制度的换算方法的其它例子的概念图。图16是表示本专利技术实施方式1的调制度的换算方法的其它例子的概念图。图17是表示本专利技术实施方式1的调制度的换算方法的其它例子的概念图。图18是表示本专利技术实施方式2的反射率差的计算方法的一例的概念图。图19是表示本专利技术实施方式2的反射率差的计算方法的其它例子的概念图。图20是表示本专利技术实施方式2的反射率差的计算方法的其它例子的概念图。图21是表示本专利技术实施方式3的反射率差的计算方法的一例的概念图。具体实施例方式以下，参照图式说明本专利技术的实施例。(实施方式1)作为本专利技术的实施方式1，图6示出将利用任意的测定光学系统(光信息介质评估 装置)测本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种光信息介质测定方法，用于测定具有多层信息层的多层结构的光信息介质的调制度，其特征在于包括以下步骤：利用测定光学系统测定所述光信息介质的各层的调制度的第１步骤；求出所述光信息介质的各层间的厚度的第２步骤；求出所述光信息介质的各层的反射率的第３步骤；以及利用在所述第２步骤求出的各层间的厚度和在所述第３步骤求出的各层的反射率的值，将在所述第１步骤测定的各层的调制度换算成与所述测定光学系统不同的基准光学系统下的调制度的第４步骤。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐野晃正，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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