正型感光性组合物及永久抗蚀剂制造技术

技术编号:7142500 阅读:318 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的正型感光性组合物含有:作为(A)成分的硅树脂,所述硅树脂的1分子中具有至少2个以下述通式(1)表示的基团、作为(B)成分的具有缩水甘油基的硅氧烷化合物、作为(C)成分的重氮萘醌类、以及作为(D)成分的有机溶剂。永久抗蚀剂按下述方法制造:将上述正型感光性组合物涂布到基材上,对涂布物进行曝光、碱显影后,在120~350℃的温度下进行后烘烤,从而制造永久抗蚀剂。通式(1)中,R1表示可具有取代烃基的碳原子数为1~10的亚烷基,R2表示碳原子数为1~4的烷基,a表示0或1~4的数,b表示1~3的数,a+b不超过5,

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用了聚硅氧烷化合物的正型感光性组合物,还涉及使用了该正型感 光性组合物的永久抗蚀剂及永久抗蚀剂的制造方法。
技术介绍
随着信息化社会的发展和多媒体系统的普及,液晶显示装置、有机EL显示装置等 的重要性正逐渐增大。在这些显示装置中,使用每个像素都具备薄膜晶体管(TFT)等开关 元件的有源矩阵基板。在有源矩阵基板上形成有很多扫描配线和隔着绝缘膜与这些扫描配线交叉的信 号配线。有源矩阵基板的扫描配线、信号配线、绝缘膜等是通过对利用溅射法、CVD法、涂布 法等而形成的导电膜或绝缘膜在光刻法中重复进行图案化而形成的(例如参照专利文献1 及2)。通常,光刻法中使用光致抗蚀剂,还开发了在图案化后也不剥离的情况下作为绝 缘膜或保护膜使用的抗蚀剂(永久抗蚀剂),但在有源矩阵基板中使用永久抗蚀剂的情况 下,不仅要求耐化学药品性(耐酸性、耐碱性及耐溶剂性),还要求高度的耐热性和高热过 程后的耐化学药品性。在有源矩阵基板中,在作为绝缘基板的玻璃基板上形成以多晶硅薄膜作为活性层 的TFT,用绝缘膜覆盖多晶硅薄膜,但在多晶硅内部、晶体硅薄膜与绝缘基板或与绝缘膜的 界面容易产生硅键的缺陷即悬空键本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种正型感光性组合物,其含有:作为(A)成分的硅树脂,所述硅树脂的1分子中具有至少2个以下述通式(1)表示的基团,通式(1)中,R1表示可具有取代烃基的碳原子数为1~10的亚烷基,R2表示碳原子数为1~4的烷基,a表示0或1~4的数,b表示1~3的数,a+b不超过5,作为(B)成分的具有缩水甘油基的硅氧烷化合物、作为(C)成分的重氮萘醌类,以及作为(D)成分的有机溶剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:斋藤诚一
申请(专利权)人:株式会社艾迪科
类型:发明
国别省市:JP

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