供应清洁气体至工艺腔室的方法和系统技术方案

本发明专利技术提出一种用以清洁一工艺腔室的方法与设备。在一实施例中，本发明专利技术揭示一工艺腔室，其包括一远程等离子源与一具有至少两个工艺区域的工艺腔室。各工艺区域包括：一基材支撑组件，其设置在该工艺区域中；一气体散布系统，其配置以提供气体到该基材支撑组件上方的该工艺区域内；以及一气体通道，其配置以提供气体到该基材支撑组件下方的该工艺区域内。一第一气体导管是配置以将一清洁试剂从该远程等离子源经由该气体散布组件流入各该工艺区域，而一第二气体导管是配置以将来自该第一气体导管的该清洁试剂的一部分转向到各该工艺区域的该气体通道。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例大致上关于用以清洁基材处理设备的工艺腔室的设备与方法。特 别是，本专利技术的实施例是关于用以清洁用于沉积的工艺腔室的设备与方法。
技术介绍
在工艺腔室已经执行许多沉积步骤后，工艺腔室必须清洁以移除可能已形成在腔 室壁上的不希望的沉积残余物。一种用以清洁目前化学气相沉积(CVD)或等离子增强化学 气相沉积(PECVD)工艺腔室的传统方式是使用由远程等离子源(remote plasma source, RPS)供应的清洁等离子，其中RPS是远离工艺腔室。RPS提供清洁等离子(通常是由氟基 清洁气体形成)，其经由气体循环硬件(包括装设在工艺腔室中的气体箱、气体岐管与气体 散布系统)流入沉积腔室。为了在蚀刻期间获得更高的蚀刻速率，清洁等离子通常是以含有原子氟基团的活 跃形式来供应。然而，从RPS到沉积腔室的复杂传送路径时常导致原子氟基团和具有低蚀 刻速率的分子气体的预成熟再结合。结果，尽管清洁气体的前体分解效率是高的，清洁效率 可能是低的。再者，对于具有大容积和精密几何形态的腔室而言(诸如300mm工艺腔室)， 腔室泵送端口通常靠近用来输送清洁气体到腔室的喷头。所以，喷头本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种工艺腔室，至少包含：　　远程等离子源；　　工艺腔室，其具有至少两个工艺区域，各工艺区域包含：　　基材支撑组件，其设置在该工艺区域中；　　气体散布系统，其配置以提供气体到该基材支撑组件上方的该工艺区域内；　　气体通道，其配置以提供气体到该基材支撑组件下方的该工艺区域内；　　第一气体导管，其配置以将清洁试剂从该远程等离子源经由该气体散布组件流入各该工艺区域；以及　　第二气体导管，其配置以将来自该第一气体导管的该清洁试剂的一部分转向到各该工艺区域的该气体通道。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US12/142,4022008年6月19日1.一种工艺腔室，至少包含 远程等离子源；工艺腔室，其具有至少两个工艺区域，各工艺区域包含 基材支撑组件，其设置在该工艺区域中；气体散布系统，其配置以提供气体到该基材支撑组件上方的该工艺区域内； 气体通道，其配置以提供气体到该基材支撑组件下方的该工艺区域内； 第一气体导管，其配置以将清洁试剂从该远程等离子源经由该气体散布组件流入各该 工艺区域；以及第二气体导管，其配置以将来自该第一气体导管的该清洁试剂的一部分转向到各该工 艺区域的该气体通道。2.如权利要求1所述的工艺腔室，更包含一阀，该阀可控制该第一气体导管与该第二 气体导管间的流量。3.如权利要求2所述的工艺腔室，其中该阀包含 可移动的翼片，其具有阻流板；至少一磁铁，其设置在该翼片中；以及耦接机构，其是可操作以将该翼片旋转在第一位置与第二位置之间，在该第一位置时 该阻流板可阻隔流经该主体的流动，在该第二位置时该阻流板可允许流经该主体的流动。4.如权利要求3所述的工艺腔室，其中该耦接机构是配置以通过磁性交互作用来旋转 该翼片。5.一种基材处理系统，至少包含 负载闭锁腔室；传送腔室，其耦接到该负载闭锁腔室； 远程等离子源；以及工艺腔室，其耦接到该传送腔室，其中该工艺腔室包含 腔室主体，其具有至少一第一工艺区域； 第一基材支撑组件，其设置在该第一工艺区域中；第一气体散布组件，其耦接到该远程等离子源，并配置以从该远程等离子源由该基材 支撑组件上方提供气体到该第一工艺区域内；以及第一气体通道，其耦接到该远程等离子源，并配置以从该远程等离子源由该基材支撑 组件下方提供气体到该第一工艺区域内。6.如权利要求5所述的基材处理系统，其中该腔室主体更包含 第二工艺区域；第二基材支撑组件，其设置在该第二工艺区域中；第二气体散布组件，其耦接到该远程等离子源，并配置以从该远程等离子源由该基材 支撑组件上方提供气体到该...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·萨卡拉克利施纳，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US