【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及材料片和/或结构的制造和操作，诸如用于制造中间结构的半导体晶片和板片。
技术介绍
由于市场需求不断地在增长，绝缘体器件上的半导体正变得越来越需要。对于高性能薄膜晶体管(TFT)，太阳能电池，以及诸如有源矩阵显示器、有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(LCD)之类的显示器，集成电路，光伏器件等，SOI技术正日益变得重要起来。SOI结构可包括绝缘材料上的诸如硅那样的半导体材料薄层。获得SOI结构的各种方法包括硅(Si)在点阵匹配基底上的外延生长，以及将单晶硅晶片粘结到另一硅晶片上。其它的方法包括离子注入技术，其中，注入氢离子或氧离子， 从而在氧离子注入的情形中，在Si达到顶端的硅晶片内形成埋入的氧化层，而在氢离子注入的情形中，分离(剥落)Si薄层而粘结到带有氧化层的另一 Si晶片上。美国专利第7，176，528号揭示了生产S0G(玻璃上半导体)结构的过程。诸步骤包括(i)将硅晶片表面暴露到氢离子的注入前而形成粘结表面；(ii)使晶片的粘结表面与玻璃基底接触；(iii)对晶片和玻璃基底施加压力、温度和电压以促使它们之间的粘结； 以及(iv)使玻...
【技术保护点】
１．一种装置，包括：底座；至少一个气动机械装置，所述气动机械装置抵靠在所述底座上，所述气动机械装置运行而赋予材料片以气体流，使得所述材料片响应于受控气体供应而悬置起来；至少一个固定夹具，所述固定夹具抵靠于所述底座上，所述固定夹具运行而在所述材料片悬置时防止所述材料片沿至少一个方向作侧向运动；以及水射流源，所述水射流源运行而从与所述至少一个气动机械装置相对的材料片一侧提供水流，以在所述材料片悬置时切割和／或斜切所述材料片。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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