邻近光存储器模块制造技术

存储器模块由固定在衬底上的多个存储器芯片和光接口芯片形成。芯片通过邻近通信（ＰｘＣ）互连，其中每个芯片包括发送和接收元件，诸如电焊盘，当芯片与其焊盘彼此相对放置在一起时，该电焊盘形成电容性耦合链路。ＰｘＣ链路可以直接位于芯片之间或者通过中间无源桥接芯片而位于芯片之间。接口芯片耦合到外部光通道并且包括光信号与电信号之间的转换器、控制电路、缓冲器和用于与存储器芯片通信的ＰｘＣ元件。存储器阵列可以是在接口芯片周围形成冗余ＰｘＣ网络的线性或二维阵列，可选具有冗余ＰｘＣ连接。多个矩形存储器芯片可以将其窄边呈现给接口芯片以最大化带宽。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】邻近光存储器模块
本专利技术总体上涉及组合成存储器模块的多个集成电路存储器芯片的集成。具体地，本专利技术涉及包括存储器芯片、光接口和链接它们的邻近通信系统的存储器模块。
技术介绍
当今的计算机系统遭受着处理能力与存储器带宽之间的差异。由于增加的晶体管数量和速度(其由晶体管尺寸的光刻缩放支持)，在过去的二十多年片上处理性能每年改进大约40％。相反，由于封装管脚数、板布线密度和通道速度的有限改进，主存储器的片外带宽的增长要缓慢得多，在此期间每年大约10％。减少性能上的这种差距的技术挑战在于提高主存储器的带宽。通常对于所有高性能计算机系统都存在这种问题，但是该问题在多核处理器中尤其严重。在这些处理器中，单个芯片同时执行数十个软件线程。带宽的改进对于防止这些线程必须得在存储器上等待来自不同线程的访问是至关重要的。另外，多核处理器要求的存储器空间比单核处理器要大得多，用于支持许多独立线程的同时执行。由于将存储器模块对接到存储器控制器存在困难，现有存储器模块在扩展到数百吉字节存储器方面存在挑战。现有存储器模块技术，诸如双倍数据速率2(DDR2)或双倍数据速率3(DDR3)双线存储器模块(DIMM本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种邻近光存储器模块，包括：衬底；至少一个光通道；接口芯片，其布置在所述衬底上并且通过电光和光电转换器耦合到所述光通道，并且进一步包括并入其中的邻近通信发送和接收元件；以及多个存储器芯片，其布置在所述衬底上并且每个存储器芯片包括并入其中的邻近通信发送和接收元件，并且电耦合到所述接口芯片的邻近通信发送和接收元件来形成邻近通信通道。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US12/115,9892008年5月6日1.一种邻近光存储器模块，包括：衬底；至少一个外部光通道；接口芯片，其布置在所述衬底上并且被配置为在所述外部光通道与内部邻近通信系统之间进行转译，所述接口芯片通过电光和光电转换器耦合到所述光通道，并且进一步包括并入其中的邻近通信发送和接收元件；以及多个存储器芯片，其布置在所述衬底上并且通过邻近通信互连，每个存储器芯片包括并入其中的邻近通信发送和接收元件，并且电耦合到所述接口芯片的邻近通信发送和接收元件来形成邻近通信通道。2.根据权利要求1所述的存储器模块，其中所述邻近通信发送和接收元件包括金属焊盘，当耦合到邻接芯片的焊盘时，所述金属焊盘形成相应的电容器。3.根据权利要求1所述的存储器模块，其中所述接口芯片进一步包括电子输入缓冲器和电子输出缓冲器，缓冲所述至少一个光通道与所述存储器芯片之间的数据。4.根据权利要求1所述的存储器模块，其中所述接口芯片和所述存储器芯片具有朝上的金属焊盘；以及进一步包括具有朝下的金属焊盘并且位于所述接口芯片和所述存储器芯片顶上的桥接芯片，用于在所述接口芯片和所述存储器芯片之间形成邻近通信通道。5.根据权利要求1所述的存储器模块，其中多个存储器芯片以线性阵列布置，并且其中邻近通信通道在所述存储器芯片的相邻芯片之间形成。6.根据权利要求5所述的存储器模块，其中所述接口芯片和所述存储器芯片具有朝上的金属焊盘；以及进一步包括具有朝下的金属焊盘并且位于所述接口芯片和所述存储器芯片顶上的桥接芯片，用于在所述接口芯片和所述存储器芯片之间形成邻近通信通道。7.根据权利要求1所述的存储器模块，其中多个存储器芯片以二维阵列布置在所述接口芯片周围。8.根据权利要求7所述的存储器模块，其中至少某些所述存储器芯片由邻近通信通道耦合到四个相邻的存储器芯片。9.根据权利要求7所述的存储器模块，其中四个存储器芯片通过至少四个相应的邻近通信通道耦合到所述接口芯片的相应边。10.根据权利要求7所述的存储器模块，包括由多个所述存储器芯片以所述二维阵列围绕的第二接口芯片，其中所有所述存储器芯片和所述两个接口芯片由邻近通信网络互连。11.根据权利要求1所述的存储器模块，其中多个所述存储器芯片布置成邻...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·S·弗里斯特，
申请(专利权)人：甲骨文美国公司，
类型：发明
国别省市：US