硅石的还原制造技术

本发明专利技术涉及硅的生产方法，该方法包括使硅石与包含一氧化碳的还原气体反应，其中，所述还原气体不含元素碳。本发明专利技术还涉及用于生产硅的反应器，所述反应器包括：碳燃烧室，用于使碳与氧反应生成包含一氧化碳的还原气体，其中，该还原气体不含元素碳；反应室，用于使该不含元素碳的还原气体与硅石反应，其中，所述反应室与碳燃烧室连通；控温器，用于控制反应室的温度；硅石进料口，其与反应室连通，用于向反应室导入硅石；和硅出料口，其与反应室连通，用于将硅导出反应室。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及将硅石还原成硅的方法和反应器。
技术介绍
半导体工业对高纯度金属硅的需求与日俱增。目前用于生产高纯度硅的方法包括 卤化硅(例如四氯化硅或三氯化硅)的还原，硅烷的氧化和利用元素碳或氢对硅石进行还 原。这些方法的缺点在于产生毒性或污染性副产物，从而产生副产物处置和/或从产物中 分离副产物的问题。将氢用作还原剂时需要格外注意排除氧，以避免爆炸。专利技术概述本专利技术第一方面提供了硅的生产方法，该方法包括使硅石与包含一氧化碳的还原 气体反应，其中，所述还原气体不含元素碳。优选地，所述还原气体通过元素碳与氧的反应而产生。优选地，使硅石与所述还原气体在加热反应室内反应。优选地，所述加热反应室的温度是受控的，且硅石与还原气体在高于硅的熔点的 温度下反应。优选地，在硅凝固前对其进行除气。来自所述方法的废气可以被氧化从而将废气中的基本所有的一氧化碳转化为二 氧化碳，由此产生氧化废气。所述氧化废气可用于预热所述方法的原料。优选地，所述硅石的纯度为至少约99. 9重量％。本专利技术第二方面提供了由本专利技术第一方面的方法产生的硅。本专利技术第三方面提供了用于生产硅的反应器，所述反应器包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
硅的生产方法，其包括使硅石与包含一氧化碳的还原气体反应，其中，所述还原气体不含元素碳。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特·劳埃德，
申请(专利权)人：CBD能源有限公司，
类型：发明
国别省市：AU