一种显示面板装置，包括：有机ＥＬ元件（１３）；电容器（１４）；驱动晶体管（１１），栅极以及源极分别连接于电容器（１４）的第一电极以及第二电极，使漏极电流流到有机ＥＬ元件（１３）；选择晶体管（１２），对提供信号电压的数据线（２０）与电容器（１４）的第一电极的导通进行控制；开关晶体管（１６），对驱动晶体管（１１）的漏极与正电源线（２４）的导通进行控制；以及驱动电路，在开关晶体管（１６）的导通状态下，使选择晶体管（１２）导通，使电流在驱动晶体管（１１）的源极与电容器（１４）的第二电极之间流动后，在经过规定的期间后，使开关晶体管（１６）截止，从而使正电源线（２４）与驱动晶体管（１１）的漏极成为非导通。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，尤其涉及使用电流驱动型 发光元件的。
技术介绍
作为用电流驱动型发光元件的图像显示装置，周知的是用有机电致发光(EL)元 件的图像显示装置。所述使用自发光的有机EL元件的有机EL显示装置，不需要液晶显示 装置所需要的背光源，最适于装置的薄型化。并且，由于视野角也不受限制，因此人们期望 实现实用化，以作为下一代的显示装置。并且，用于有机EL显示装置的有机EL元件与液晶 面板(cell)不同，有机EL元件的各个发光元件的亮度(brightness)受在所述处流动的电 流值控制，而液晶面板受在所述处施加的电压控制。通常，在有机EL显示装置中，构成像素的有机EL元件被配置成矩阵状。在多个 行电极(扫描线)和多个列电极(数据线)的交点上设置有机EL元件，在所选择的行电 极与多个列电极之间施加相当于数据信号的电压，驱动有机EL元件，这被称为无源矩阵式 (passive matrix type)的有机 EL 显示装置。另一方面，在多个扫描线和多个数据线的交叉点上设置开关薄膜晶体管(TFT Thin Film Transistor)，在所述开关TFT上连接驱动元件的栅极，通过被选择的扫描线使 所述开关TFT导通，从信号线向驱动元件输入数据信号。通过所述驱动元件驱动有机EL元 件，这被称为有源矩阵式(active matrix type)的有机EL显示装置。有源矩阵式的有机EL显示装置与无源矩阵式的有机EL显示装置不同，在无源矩 阵式的有机EL显示装置中，仅在选择各行电极(扫描线)的期间，与其连接的有机EL元件 发光，在有源矩阵式的有机EL显示装置中，能够使有机EL元件发光到下次扫描(选择)为 止，所以即使扫描线数增多，也不会导致显示器的亮度减少。从而，有源矩阵式的有机EL显 示装置，能够以低电压驱动，所以能够实现低消耗电力化。然而，有源矩阵式的有机EL显示 装置具有以下的缺点，即，因为驱动晶体管的特性的不均勻，即使提供相同的数据信号，各 个像素的有机EL元件的亮度也不同，从而导致亮度不均的发生。对于所述问题，例如，在专利文献1中，已公开以简单的像素电路来补偿各个像素 的特性的不均勻的方法，以作为因驱动晶体管的特性的不均勻而引起的亮度不均的补偿方法。图13是专利文献1所述的以往的显示装置中的像素部的电路结构图。所述图的 显示装置500包括像素阵列部501、水平选择器503、写权限探测器(Write karmer，端口扫 描器)504以及偏置扫描器505。像素阵列部501包括被配置为二维状的像素部502。像素部502由以下简单的电路元件构成，即发光元件508，阴极连接于负电源线 512 ；驱动晶体管507，漏极连接于正电源线511，源极连接于发光元件508的阳极；保持电 容509，连接于驱动晶体管507的栅极-源极间；辅助电容510，连接于驱动晶体管507的源 极与偏置线BS之间；采样晶体管506，栅极连接于扫描线WS，用于将来自信号线SL的图像信号选择性地施加到驱动晶体管507的栅极。写权限深测器504，向扫描线WS提供控制信号，并且，水平选择器503，向信号线SL 提供基准电压Vref，进行将相当于驱动晶体管507的阈值电压Vth的电压保持在保持电容 509的校正工作，接着进行将图像信号的信号电位Vsig写入到保持电容509的写入工作。偏置扫描器505，在进行校正工作之前，对偏置线BS的电位进行切换，将耦合电压 经由辅助电容510施加到驱动晶体管507的源极，进行初始化准备工作，以使驱动晶体管 507的栅极-源极间电压Vgs大于阈值电压Vth。像素部502，在信号电压Vsig的写入工作中，将驱动晶体管507的漏极电流负反馈 到保持电容509，以对信号电压Vsig进行按照驱动晶体管507的迁移率的校正。图14是示出专利文献1所述的以往的显示装置的工作时间图。所述图表示对一 个像素行的显示装置的工作，一个帧期间由非发光期间和发光期间构成。并且，在非发光期 间，进行驱动晶体管507的阈值电压Vth以及迁移率β的校正工作。首先，在时刻Tl，若进入所述帧期间，则短的控制脉冲被施加到扫描线WS，采样晶 体管506暂时成为导通状态。此时，由于信号线SL为基准电压Vref，因此，所述基准电压被 写入到驱动晶体管507的栅电极，驱动晶体管507的Vgs成为Vth以下，驱动晶体管507截 止。因此，发光元件508成为非发光状态，从所述时刻开始，显示装置500进入非发光期间。其次，在时刻Τ2，将控制信号脉冲施加到扫描线WS，使采样晶体管506成为导通状 态。在紧随其后的时刻Τ3，将偏置线BS从高电位切换到低电位。据此，经由辅助电容 510，驱动晶体管507的电位降低。据此，成为Vgs > Vth，驱动晶体管507处于导通状态。 此时，由于发光元件508处于反向偏置状态，因此，电流不流动，驱动晶体管507的源极电位 上升。然后不久，在成为Vgs = Vth时，驱动晶体管507截止，阈值电压校正工作完成。其次，在时刻T4，信号线SL的电位，从基准电压Vref切换到信号电压Vsig。此 时，由于采样晶体管506处于导通状态，因此驱动晶体管507的栅极电位成为Vsig。在此， 最初，发光元件508处于截止状态，因此，作为驱动晶体管507的漏极电流的放电电流Ids， 一直往保持电容509流入，并开始放电。然后，直到采样晶体管506成为截止状态的时刻T5 为止，驱动晶体管507的源极电位上升了 Δ V。这样，信号电位Vsig以加到Vth的方式，被 写入到保持电容509，同时，用于迁移率的校正的电压Δ V从由保持电容509保持的电压中 被减去。以上的时刻Τ4至时刻Τ5的期间是信号写入期间，也是迁移率校正期间。Vsig越 高，放电电流Ids就越大，AV的绝对值也越大。图15是示出迁移率校正期间中的保持电容的放电电流的特性的图表。横轴表示 写入信号电压Vsig后经过的时间，即表示从时刻Τ4经过的时间，纵轴表示放电电流值。如 上所述，在时刻Τ4，若驱动晶体管507的栅极电位从基准电压Vref变为信号电压VsigJlJ 根据Vsig的大小，放电电流Ids呈现A1、B1以及Cl那样的放电曲线。在此，Al和A2是，被 施加到栅极的Vsig的大小相同、与迁移率β有关的特性参数不同的驱动晶体管的放电曲 线。Bl和Β2，以及Cl和C2的关系，也与所述Al和Α2的关系同样。根据这些放电曲线可 知，在与迁移率β有关的特性参数不同的情况下，即使提供相同的信号电位，放电电流Ids 的初始值也不同，但是，经过放电时间后，放电电流Ids会变成为大致一致。例如，在Al与 A2之间，在时刻a，放电电流I ds大致一致；在B1与B2之间，在时刻b，放电电流I ds大致一致；在Cl与C2之间，在时刻c，放电电流Ids大致一致。也就是说，即使在像素阵列部501 存在与迁移率β有关的特性参数不同的驱动晶体管，在所述的迁移率校正期间，在提供不 使发光元件508发光的栅极偏置的同时，使驱动晶体管507的漏极电流放电，进行考虑了驱 动晶体管的与迁移率有关的特性的不均勻的校正。其次，在时刻Τ5，扫描线WS转变到低电平一侧，采样晶体管506成为截止状态。据 此，驱本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种显示面板装置，包括：发光元件，具有第一电极以及第二电极；第一电容器，用于保持电压；驱动元件，所述驱动元件的栅电极连接于所述第一电容器的第一电极，源电极连接于所述发光元件的第一电极以及所述第一电容器的第二电极，通过使与所述第一电容器保持的电压对应的漏极电流流到所述发光元件，使所述发光元件发光；第一电源线，用于决定所述驱动元件的漏电极的电位；第二电源线，电连接于所述发光元件的第二电极；数据线，用于提供信号电压；第一开关元件，所述第一开关元件的一方的端子连接于所述数据线，另一方的端子连接于所述第一电容器的第一电极，对所述数据线与所述第一电容器的第一电极的导通以及非导通进行切换；第二开关元件，所述第二开关元件的一方的端子连接于所述第一电源线，另一方的端子连接于所述驱动元件的漏电极，对所述第一电源线与所述驱动元件的漏电极的导通以及非导通进行切换；以及驱动电路，对所述第一开关元件以及所述第二开关元件进行控制；所述驱动电路，在使所述第二开关元件成为导通状态，使所述第一电源线与所述驱动元件的漏电极之间导通的状态下，使所述第一开关元件成为导通状态，向所述第一电容器的第一电极提供所述信号电压，使电流在所述驱动元件的源电极与所述第一电容器的第二电极之间流动，将所述信号电压提供到所述第一电容器的第一电极后经过预定的期间后，使所述第二开关元件成为截止状态，使所述第一电源线与所述驱动元件的漏电极成为非导通，使在所述驱动元件的源电极与所述第一电容器的第二电极之间流动的电流停止，由此由在所述期间内在所述驱动元件的源电极与所述第一电容器的第二电极之间流动的电流，使蓄积在所述第一电容器的电荷放电。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：松井雅史，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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