用于ＬＥＤ发光元件的复合材料基板、其制造方法及ＬＥＤ发光元件技术

本发明专利技术提供与构成ＬＥＤ的ＩＩＩ－Ｖ族半导体晶体的线热膨胀系数差较小且导热性优良，适合作为高功率ＬＥＤ使用的ＬＥＤ发光元件用基板。如下制备ＬＥＤ发光元件用复合材料基板：通过液态模锻法、以３０ＭＰａ以上的浸渗压力使铝合金或纯铝浸渗多孔体，裁切和／或磨削加工成板厚为０．０５－０．５ｍｍ、表面粗糙度（Ｒａ）为０．０１－０．５μｍ后，在表面形成含有选自Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ中的１种以上的金属的金属层，使得金属层厚度达到０．５－１５μｍ，所述多孔体由选自碳化硅、氮化铝、氮化硅、金刚石、石墨、氧化钇及氧化镁中的１种以上形成，气孔率为１０－５０体积％，３点弯曲强度为５０ＭＰａ以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光二极管(以下，称为LED)元件用的复合材料基板、其制造方法及使用了该复合材料基板的LED发光元件。
技术介绍
LED是在半导体的pn结中流过正向电流时进行发光的元件，使用GaAs、GaN等 III-V族半导体晶体来制造。近年来，随着半导体的外延生长技术和发光元件工艺技术的进步，开发出转换效率优良的LED，并广泛使用于各领域。LED由使III-V族半导体晶体在单晶生长基板上外延生长而得的ρ型层、η型层以及被该两者夹持的光活性层构成。通常，使GaN等的III-V族半导体晶体在单晶蓝宝石的生长基板上外延生长之后，形成电极等进而形成LED发光元件(专利文献1)。使III-V族半导体晶体在单晶生长基板上外延生长时，由于单晶生长基板和 III-V族半导体晶体的晶格常数不同，因此难以生长良好的单晶。因此，有人提出了在低温下在蓝宝石基板上形成GaN等的缓冲层并使GaN在该缓冲层上外延生长的方法(专利文献 2)。但是，即使利用这种方法仍存在如下问题由于蓝宝石基板和缓冲层的GaN等的线热膨胀系数存在差异，因此外延生长后的基板发生翘曲，最坏的情况下基板发生破裂。因此，就需要一种线热膨胀本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．用于ＬＥＤ发光元件的复合材料基板，其特征在于，所述复合材料基板通过在多孔体中浸渗铝合金或纯铝并加工成具有预定的板厚及表面粗糙度的复合材料体后在该复合材料体的表面形成厚度为０．５－１５μｍ的金属层而制成，所述多孔体由选自碳化硅、氮化铝、氮化硅、金刚石、石墨、氧化钇及氧化镁的１种以上的物质形成且气孔率为１０－５０体积％，所述金属层含有选自Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ的１种以上的金属。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：广津留秀树，
申请(专利权)人：电气化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP