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本发明提供与构成ＬＥＤ的ＩＩＩ－Ｖ族半导体晶体的线热膨胀系数差较小且导热性优良，适合作为高功率ＬＥＤ使用的ＬＥＤ发光元件用基板。如下制备ＬＥＤ发光元件用复合材料基板：通过液态模锻法、以３０ＭＰａ以上的浸渗压力使铝合金或纯铝浸渗多孔体，裁切和...
该专利属于电气化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过电气化学工业株式会社授权不得商用。

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