包含形成图案的结构区域的化学机械平坦化垫制造技术

本发明专利技术的一个方面涉及化学机械平坦化垫，其包含第一区域和连续的第二区域，其中所述第一区域包含在连续的第二区域内规则间隔的分立元件。通过在垫的连续的第二区域内部形成用于第一区域的多个开口来形成所述垫，其中所述开口在第二区域内规则间隔，并在连续的第二区域的多个开口内形成所述第一区域。此外，可在使用抛光浆液对基底进行抛光中应用所述垫。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含形成图案的结构区域的化学机械平坦化垫相关申请的引用本申请要求在2009年1月27日申请的第61/147，551号美国临时申请的申请日的权益，其公开内容并入本文作为参考文献。领域本专利技术涉及在半导体晶片和诸如裸露基底硅晶片、CRT、平板显示屏和光学玻璃的其它表面的化学机械平坦化(Chemical-Mechanical Planarization, CMP)中使用的抛光垫。特别地，CMP垫可包含一个或多个区域，所述区域具有不同的性能，包括不同程度的硬度。背景可将化学机械平坦化理解为依靠抛光晶片或其它基底以实现相对高度的平面化的方法。在压力下和/或使用在化学机械抛光(CMP)垫和晶片之间应用的连续或间歇流动的含有浆液(slurry)的研磨剂(abrasive)的情况下，彼此紧密接近的化学机械抛光 (CMP)垫和晶片相对移动。具有包含相对硬的研磨剂(通常为金刚石)颗粒的表面的调节器(conditioner)盘可用于研磨垫表面以为了抛光一致而维持相同垫表面粗糙度。在半导体晶片抛光中，大规模集成电路(VLSI)和超大规模集成电路(ULSI)的出现使得能够在半导体基底的相对小的区域中集成更多设本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．化学机械平坦化垫，其包括：第一区域；以及连续的第二区域，其中所述第一区域包含在所述连续的第二区域内规则间隔的分立元件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：保罗·莱弗瑞，
申请(专利权)人：因诺派德公司，
类型：发明
国别省市：US