萤光体及其制造方法以及发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种萤光体，其化学稳定性优异、且具有使萤光体的表面带电性正转换的氧化物、并且辉度劣化少。本发明专利技术的萤光体具有萤光体主体、及在该萤光体主体的表面的至少一部分所具有的复合氧化物，该复合氧化物包含M(M是选自Ca、Sr及Ba构成的组的至少一种元素)、Sn和O。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及萤光体及其制造方法。本专利技术还涉及使用所述萤光体的等离子体显示器面板等发光装置。
技术介绍
等离子体显示器面板(以下，简化为PDP)在薄型显示器面板中因易大型化、可以高速显示、低成本等特征，被实用化且迅速普及。目前所实用化的一般的PDP构造中，在分别成为前面侧和背面侧的2片对置的玻璃基板上，分别设有规则排列的一对电极，且以被覆这些电极的方式设有低融点玻璃等电介体层。在背面基板的电介体层上设有萤光体层，在前面基板的电介体层上设置有MgO层， 将电介体层相对于离子冲击进行保护，且作为以放出二次电子为目的的保护层。而且在二片基板间封入以Ne、Xe等惰性气体为主体的气体，在电极间施加电压而使放电产生，且经由通过放电所产生的紫外线使萤光体发光，由此进行显示。就PDP而言，通过使用3原色(红色、绿色、蓝色)的萤光体来进行全色显示。这些萤光体分别由多个元素构成，且根据所包含的元素的电阴性度(electronegativity 也称阴电性)及结晶构造等而呈现固有的带电性。各色萤光体中固有的带电性不同时，用于显示的电压施加而产生放电时，产生的电荷残留方式就不同。该电荷的残留方式差异，使在各色萤光体中放电所需要的电压的差产生，且与放电不勻及电压容限的减少有关。PDP所使用的有代表性的萤光体中，红色(R)为(Y，Gd) BO3 Eu3+、绿色(G)为 Zn2SiO4:Mn2+、蓝色(B)为BaMgAlltlO17:Eu2+，在关于这些各色(R，G，B)的萤光体通过利用喷气带电测定法(测定粉末和粉末的摩擦带电的一般带电测定方法)对带电量进行测定时， 为(+)R>B>0>G(-)。这样，只有绿色萤光体的表面带电性为负，因此，特别强烈要求使表面的带电正转换的绿色萤光体。与之相对，提案有为了使各色萤光体的带电性一致而对萤光体表面进行涂布的方法(专利文献1及非专利文献1)。例如，在专利文献1中公开有在根据萤光体的表面带电性所选择的电阴性度的元素的氧化物对萤光体表面进行涂布的方法，具体地说，提案有将 Zn2SiO4IMn2+ 组成的绿色硅酸盐系萤光体以ZnO、Y2O3> A1203、Bi203、MgO中的任一种以上进行涂布的方法等。在专利文献2中公开有通过由Al203、Mg0、Ba0等膜覆盖绿色萤光体表面，而使表面的带电性为正的方法。在先技术文献专利文献1 日本特开2004-323576号公报专利文献2 日本特许第3587661号公报非特許文献1 “萤光体同学会讲演预稿集” 2007年、318、p. 15-22但是，通过本专利技术者等详细的研究可知，使带电性大幅正转换的MgO及BaO是与水或碳酸气体反应而形成氢氧化物或碳酸化物的不稳定的物质，在面板内残存微量的水分的状态下，使用上述现有的萤光体的情况中辉度劣化这种问题存在。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述现有的课题而作成的，其目的在于提供一种萤光体，其化学稳定性优异，且是具有使萤光体的表面带电性正转换的氧化物的荧光体，并且是辉度劣化少的萤光体。另外，本专利技术的目的在于，提供一种使用该萤光体的长寿命的发光装置，特别是PDP。本专利技术是一种萤光体，该萤光体具有萤光体主体、及在该萤光体主体的表面的至少一部分存在的复合氧化物，该复合氧化物包含M(M为选自由Ca、Sr及Ba构成的组的至少一种元素)、Sn和0。本专利技术的另外的方式是具有包含上述的萤光体的萤光体层的发光装置，发光装置的适合的例子是等离子体显示器面板。该等离子体显示器面板，例如，具备前面板、与所述前面板对置配置的背面板、规定所述前面板和所述背面板的间隔的间壁、配设于所述背面板或所述前面板上的一对的电极、与所述电极连接的外部电路、至少存在于所述电极间且含有通过对所述电极间由所述外部电路施加电压而使真空紫外线产生的氙的放电气体、利用所述真空紫外线发出可视光的萤光体层，所述萤光体层含有所述萤光体。本专利技术的再另外的方式是萤光体的制造方法，其包含下述工序将包含M(M为选自由Ca、Sr及Ba构成的组的至少一种元素)、Sn和0的复合氧化物的粒子溶解于液体内的工序(1)；从得到的溶液使复合氧化物的构成元素再析出的工序(2)；将得到的再析出物和萤光体主体进行混合、烧制的工序(3)。根据本专利技术，提供一种辉度劣化少、表面带电性正转换的萤光体。另外，提供一种长时间驱动也没有辉度劣化且长寿命的PDP等发光装置。附图说明图1是表示本专利技术的PDP的构成的一例的概略剖面图；图2是本专利技术的实施例试样No. 5的萤光体和比较例的试样No. 9的萤光体的2 θ =24 27度范围的X线衍射光谱。具体实施例方式下面，对本专利技术的实施方式详细地进行说明。本专利技术者等通过详细的研究的结果发现，在萤光体粒子表面的至少局部存在包含 Μ(Μ与上述同义)、Sn和0的复合氧化物的萤光体，具有比在萤光体粒子表面不存在包含 Μ(Μ与上述同义)、Sn和0复合氧化物的萤光体(萤光体主体)更向正转换的带电性，且辉度劣化低。因此，本专利技术者等发现，通过使用这种萤光体，能够实现即使比使用现有的萤光体的情况更长时间驱动也没有辉度劣化的发光装置(特别是PDP)。包含M(M与上述同义)、Sn和0的复合氧化物，是含电阴性度小的Ca、Sr及Ba的正带电材料，且相对于水的稳定性高。因此，通过使萤光体表面存在这种复合氧化物，能够不损害萤光体相对于水的稳定性且使萤光体表面的带电性正转换。4本专利技术中使用的复合氧化物，在作为正带电材料的特性及相对于水的稳定性在本质上不损害的范围内，通过Ca、Sr及Ba、或Sn的部分置换产生或者其它的元素作为杂质混入，包含其它的元素也可。在复合氧化物中优选M(M与上述同义)、Sn和0按合计被包含60 原子％以上，更优选被包含80原子％以上。为了确保本专利技术的萤光体的稳定性、且使带电性更大幅地正转换，优选通过X线光电子分光法(以下记为X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)测定本专利技术的萤光体的表面所得到的M(M与上述同义)和Sn的组成比M/Sn为0. 1 1. 5，更优选为0. 2 1. 2。XPS是对试样表面照射波长已知的X线(例如，Al K α线、能量值1487eV)且对从试样飞出的光电子的能量进行测定的表面分析手法，且能够将一般试样表面的数nm的信息选择性获得。因此，在本专利技术中所谓萤光体的表面即指可由XPS测定的至数nm的深度范围。XPS测定中，可以对各元素观测与多个能级对应的峰值。另外，在本专利技术的萤光体表面存在的包含M(M与上述同义)、Sn和0的复合氧化物，有时未形成数nm以上的均一的层，这时，通过XPS测定，也可以检测除M、Sn和0以外形成萤光体自身的元素。在此，为了算出组成比而利用XPS测定时，可以使用与萤光体主体所包含的构成元素不重合的峰值。 例如，使用Ca2p、Sr3s、Ba3d5、Sn3d5的各峰值。为了确保本专利技术的萤光体的稳定性、且使带电性更大幅地正转换，优选在萤光体由χ线衍射测定所得到的X线衍射图形中，存在具有2.78 2.92A的d值的峰值。该峰值是来源于上述复合氧化物的峰值。优选该峰值具有X线衍射图形最大峰值强度的1/30以下的强度。在粉末X线衍射测定时，可以使用大型放射光设施SPringS的BL19本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种萤光体，其具有萤光体主体、及在该萤光体主体的表面的至少一部分存在的复合氧化物，该复合氧化物包含Ｍ、Ｓｎ和Ｏ，且Ｍ是从由Ｃａ、Ｓｒ及Ｂａ构成的组所选出的至少一种元素。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥井弥生，井上修，奥山浩二郎，白石诚吾，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP