【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储器领域，具体涉及一种预充电控制电路及方法。
技术介绍
随着科技的发展，Flash存储器及SRAM等嵌入式半导体存储器的地位越来越重要，而在嵌入式存储器的外围电路中，灵敏放大器阵列的设计直接制约着存储器的存取时间。所述灵敏放大器阵列包括多个灵敏放大器(约2η个完全相同的灵敏放大器，η为正整数)，可以同时对多个存储单元进行读操作，在每次读操作期间，一个灵敏放大器只能通过行译码和列译码电路选择存储器中一个存储单元，在进行下次读操作时，可以根据算法更换另一个存储单元。一种现有的灵敏放大器如图1所示，使能信号SAEN接入与非门IO的输入端Α，该与非门IO的输出端Y分别连接N型MOS管NO和m的栅极；N型MOS管NO的漏极连接P 型MOS管PO的漏极，N型MOS管m的漏极连接P型MOS管P2的漏极，以及反相器Il的输入端；N型MOS管NO和附的源极的连接点为节点SENSEBL，该节点SENSEBL还连接到N型 MOS管N的漏极、以及与非门IO的输入端B。反相器Il的输出端输出的为该灵敏放大器的输出信号SA0UT。P型MOS管PO和P2的源极共同连接一高电...
【技术保护点】
１．一种灵敏放大器的预充电控制电路，包括：脉冲生成电路，用于产生预充电脉冲输出给灵敏放大器阵列；其特征在于，还包括：检测电路，用于检测所述灵敏放大器阵列中任一灵敏放大器的输出信号；所述脉冲生成电路还用于当所述灵敏放大器的输出信号达到预充电目标状态时，关断所述预充电脉冲。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：范东风，刘铭，丁冲，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11
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