【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于变压器，涉及一种大型变压器铁芯片形组合结构。
技术介绍
现阶段，由于三相五柱式铁芯中铁轭的截面积等于铁芯柱截面积的左右，由于磁路长度和铁芯饱和的影响，导致流经旁柱及其上下铁轭的磁通低于主柱的50%，流经主柱上下铁轭的磁通高于主柱的M%，这样会使旁柱及其上下铁轭的磁通密度过低，造成材料浪费；主柱上下铁轭的磁通密度过高，导致空载损耗、空载电流急剧增加，容易引起局部过热和噪音水平的增加等一系列不利因素。
技术实现思路
本专利技术为了弥补现有技术的不足，提供了一种结构相对简单、空载性能好、噪音水平低的大型变压器铁芯片形组合结构。本专利技术是通过如下技术方案实现的本专利技术的大型变压器铁芯片形组合结构，包括主柱铁芯片，旁柱铁芯片，主柱上、 下铁轭铁芯片，旁柱上、下铁轭铁芯片，其特殊之处在于旁柱铁芯片及旁柱上、下铁轭铁芯片的截面积为主柱的42 50%，主柱上、下铁轭铁芯片的截面积为主柱的50 58%，旁柱铁芯片及其上下铁轭铁芯片截面积与主柱上下铁轭铁芯片截面积之和大于或等于主柱铁芯片截面积。本专利技术的大型变压器铁芯片形组合结构，主柱上、下铁轭铁芯片上有向外侧的突起。本专利技术的有益效果是，现有结构磁通密度在铁轭中分布不均勻结构；新结构磁通密度在整个铁芯中分布均勻，节约了原材料，降低了制造成本，提高空载性能，降低了噪音， 该结构主要应用在大型三相五柱式电力变压器铁芯上。附图说明图1为传统变压器铁芯片形主视示意图。图2为本专利技术变压器铁芯片形主视示意图。图中1-主柱铁芯片，2-旁柱铁芯片，3-主柱上、下铁轭铁芯片，4-旁柱上、下铁轭铁芯片。具体实施方式附...
【技术保护点】
１．一种大型变压器铁芯片形组合结构，包括主柱铁芯片（１），旁柱铁芯片（２），主柱上、下铁轭铁芯片（３），旁柱上、下铁轭铁芯片（４），其特征在于：旁柱铁芯片及旁柱上、下铁轭铁芯片的截面积为主柱的４２～５０％，主柱上、下铁轭铁芯片的截面积为主柱的５０～５８％，旁柱铁芯片及其上下铁轭铁芯片截面积与主柱上下铁轭铁芯片截面积之和大于或等于主柱铁芯片截面积。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：董景义，李杰，王瑞娥，张丽，郭勤彪，
申请(专利权)人：山东达驰电气有限公司，
类型：实用新型
国别省市：37
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