一种导电玻璃及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种导电玻璃及其制备方法，包括衬底，还包括钠离子阻挡层、透明导电层和减反膜层，所述衬底包括相对的平整的光滑面和设有压花的粗糙面，所述钠离子阻挡层结合在衬底的光滑面或粗糙面上，所述减反膜层结合在衬底上与钠离子阻挡层相对的面上，所述透明导电层结合在钠离子阻挡层上。该导电玻璃采用衬底的一面上设有压花，增加了该导电玻璃对可见光和近红外光的透过率；减反膜层的设置，进一步增加了该导电玻璃对可见光透过率；透明导电层的设置，增强了该导电玻璃性能稳定，电导率高；直接采用一面上设有压花的衬底，减去了该导电玻璃的后续制绒过程，简化了生产工序；该导电玻璃的制备工艺简单、成本低、条件可控，适于工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池
，具体涉及。
技术介绍
目前最普遍采用的太阳电池透明导电玻璃有两种，分别为ZnO基透明导电玻璃和 SnO2基透明导电玻璃。基本上所有的导电玻璃(TCO)均采用浮法玻璃做原片，因此，涉及到一个表面制绒的过程。目前市场上应用最多的SnO2基透明导电玻璃是FT0，一般采用APCVD 的方法来制备，其优点是可以直接生成绒面、工艺简单、成本低、可大批量生产。但是FTO对波长超过SOOnm的近红外光的透过率很低，因此，只适合用于非晶硅薄膜太阳能电池。ZnO 基透明导电玻璃主要分两大类，一类为BZO薄膜，采用LPCVD的方法来制备，其优点是可以直接生成绒面，且对近红外光有较高的光学透过率，缺点是由于工艺本身的缺陷，BZO膜必须要有很高的厚度，才能达到较高的雾度，一方面导致了制造成本的上升，另一方面导致薄膜其它性能的下降；另一类为AZO薄膜，采用磁控溅射(PVD的一种)的方法来制备，其优点是对近红外光有较高的光学透过率，非常适合应用于非晶/微晶叠层电池，缺点是该方法本身不能直接制成带绒面的TC0，需要增加后续腐蚀工艺，从而增加了工艺的复杂性，使产品的良率降低，成本升高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种设有钠离子阻挡层、透明导电层、减反膜层的导电玻璃，该导电玻璃对光的透过率高、性能稳定、使用寿命长。本专利技术还提供一种制备工艺简单、成本低的导电玻璃制备方法。本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案是一种导电玻璃，包括衬底，还包括钠离子阻挡层、透明导电层和减反膜层，所述衬底包括相对的平整的光滑面和设有压花的粗糙面，所述钠离子阻挡层结合在衬底的光滑面或粗糙面上，所述减反膜层结合在衬底上与钠离子阻挡层相对的面上，所述透明导电层结合在钠离子阻挡层上。以及，一种导电玻璃制备方法，包括如下步骤获取衬底，其中，所述衬底包括相对的平整的光滑面和设有压花的粗糙面；在衬底的光滑面或粗糙面镀上钠离子阻挡层，在衬底上与钠离子阻挡层相对的面上镀上减反膜层，然后在钠离子阻挡层上镀透明导电层，得到所述的导电玻璃；或者在衬底的光滑面或粗糙面镀上钠离子阻挡层，在钠离子阻挡层上镀透明导电层，然后衬底上与钠离子阻挡层相对的面上镀上减反膜层，得到所述的导电玻璃。本专利技术导电玻璃与现有技术相比，至少具备以下优点(1)采用衬底的一面上设有压花，增加了该导电玻璃对可见光和近红外光的透过率；(2)减反膜层的设置，进一步增加了该导电玻璃对可见光透过率，达到84%，在光波380-1 IOOnm范围内，光的平均透过率也超过了 84% ；(3)透明导电层的设置，增强了导电玻璃性能稳定，电导率高；(4)直接采用一面上设有压花的衬底，减去了该导电玻璃的后续制绒过程，简化了生产工序；(5)该导电玻璃的制备工艺简单、成本低、条件可控，适于工业化生产。 附图说明下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明，附图中图1是本专利技术导电玻璃第一种实施方式的结构示意图；图2是本专利技术导电玻璃第二种实施方式的结构示意图。具体实施例方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本实施例提供一种导电玻璃，包括衬底，还包括钠离子阻挡层、透明导电层和减反膜层，所述衬底包括相对的平整的光滑面和设有压花的粗糙面，所述钠离子阻挡层结合在衬底的光滑面或粗糙面上，所述减反膜层结合在衬底上与钠离子阻挡层相对的面上，所述透明导电层结合在钠离子阻挡层上。图1显示的是第一种实施方式的导电玻璃结构示意图。图1中，该导电玻璃衬底 1、钠离子阻挡层2、透明导电层3和减反膜层4，所述衬底1包括相对的平整的光滑面11和设有压花的粗糙面12，减反膜层4结合在衬底1的粗糙面12上，所述钠离子阻挡层2结合在衬底1的光滑面11上，所述透明导电层3结合在钠离子阻挡层2上。图2显示的是的第二种实施方式的导电玻璃结构示意图。图2中，该导电玻璃衬底1、钠离子阻挡层2、透明导电层3和减反膜层4，所述衬底1包括相对的平整的光滑面11 和设有压花的粗糙面12，减反膜层4结合在衬底1的光滑面11上，所述钠离子阻挡层2结合在衬底1的粗糙面12上，所述透明导电层3结合在钠离子阻挡层2上。进一步的，由图1和图2可看出，该导电玻璃的衬底1的粗糙面12包括交替分布的粗糙部分121和光滑部分122，其中，所述粗糙部分121宽度优选为5mm-30mm，光滑部分 122宽度优选为0. lmm-2mm。粗糙面12上的粗糙部分121保证了该导电玻璃具有较高的光学透过率和较高的雾度，光滑部分122保证了该导电玻璃对薄膜后续制程的激光划线不会产生影响。进一步的，该导电玻璃的衬底1厚度优选为2mm-8mm，衬底1材质优选为普通玻璃或钢化玻璃。由衬底1材质可知，该衬底1为透明的。进一步的，该导电玻璃的钠离子阻挡层2厚度优选为20mm-200mm，钠离子阻挡层2 材料的组分包含Sn02、Al3&和TiO2，或者Si02、Al3&和TiO2，所述Al302、Ti&总重量在钠离子阻挡层2总重量中的含量大于0，小于或等于；该钠离子阻挡层2 —方面用来阻挡钠离子从衬底1向透明导电层3扩散，另一方面用来作为衬底1与硅膜之间的减反层，减少光在层间的反射，使更多的入射光通过透明导电层3进入光电转换层，提高太阳电池的转换效率。进一步的，该导电玻璃的透明导电层3厚度优选为500mm-l500mm，透明导电层3材质优选ZnO基透明导电玻璃或SnA基透明导电玻璃。当透明导电层3为ZnO基透明导电玻璃时，所述ZnO基透明导电玻璃中还掺杂有B、Al、Ge中至少一种元素，例如可以是ΒΖ0、 ΑΖ0,GZO或GAZO等玻璃中的至少一种，B、Al、Ge中至少一种元素在ZnO基透明导电玻璃总重量中的含量优选大于0，小于或等于5%;当透明导电层3为SnO2基透明导电玻璃时，所述 SnO2基透明导电玻璃中还掺杂有F、Al、Ge中至少一种元素，例如可以是FT0、AT0或ITO等玻璃中的至少一种，F、Al、Ge中至少一种元素在SnA基透明导电玻璃总重量中的含量优选大于0，小于或等于5%。由上述的材质可知，透明导电层3为透明玻璃状也即称透明导电玻璃(TCO)层，当该导电玻璃中含有上述透明导电层3用在薄膜太阳电池中时，主要起两个作用其一作为透明电极，这就需要透明导电薄膜即具有非常好的光学透过率，同时具备非常好的导电性；其二作为薄膜太阳电池的陷光结构，这就需要透明导电玻璃具有很高的雾度， 这样可以增加入射光在薄膜电池光电转换层中的光程，增加薄膜电池光电转换层对入射光的吸收能力，从而达到提高薄膜电池转换效率，降低薄膜电池厚度，进一步达到降低薄膜电池成本的目的。进一步的，该导电玻璃的减反膜层4厚度优选为50mm-200mm，该减反膜层4的材质优选为Si02、Ti&中的一种或两种。当减反膜层4为SiA时，减反膜层4为多孔状，多孔状的形成，提高了导电玻璃反射作用；当减反膜层4为TiO2时，TiO2颗粒粒径为纳米级，TiO2 颗粒的存在，提高了导电玻璃的自洁净功能。上述导电玻璃采用衬底的一面上设有压花，增加了该导电玻璃对可见光和近红外光的透过率，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种导电玻璃，包括衬底，其特征在于：还包括钠离子阻挡层、透明导电层和减反膜层，所述衬底包括相对的平整的光滑面和设有压花的粗糙面，所述钠离子阻挡层结合在衬底的光滑面或粗糙面上，所述减反膜层结合在衬底上与钠离子阻挡层相对的面上，所述透明导电层结合在钠离子阻挡层上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董清世，赵凤刚，刘笑荣，文杰，张明，
申请(专利权)人：信义光伏产业安徽控股有限公司，
类型：发明
国别省市：34