【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种成长炉加料器，特别涉及一种应用于晶体成长的复合式连续加料器。
技术介绍
随着集成电路的蓬勃发展，对半导体电子元件的需求与日俱增，而半导体的主要材料“硅”则是必须经过高温提炼后，才可达到半导体所需求的纯度。而一般来说，硅的提炼可分为单晶硅以及多晶硅，单晶硅的品质要求严格，制程速度慢但晶格排列一致，不会有晶界缺陷，而多晶硅因为生产速度快、工艺要求较低，因而具有价格优势，但相对的，其晶格排列并不一致，且具有晶界缺陷。而为了配合单晶或多晶的成长，其所采用的晶体成长炉便不尽相同。如中国台湾专利公告第M344347号“单晶成长炉下料器”，其主要应用于单晶成长，能够稳定地控制下料速度及重量，但相对的，其生产速度较慢。而中国台湾专利公告第M343913号的“多晶成长炉连续加料器”，其公开了一种连续加料器的结构及加料方法，于多晶成长系统中，其选择一次性下料，通过一填料筒将多数料品落下至一坩锅内以使其熔融后进行多晶硅的制备工艺。其优点在于他过填料筒可进行大量的一次性下料，并且将该填料筒拉回后可在进行重复性的填料动作，但二次填料毕竟还是浪费了填料的时间，且若为小量填料时...
【技术保护点】
１．一种复合式连续加料器，设置于一成长炉（１０）上，其特征在于该复合式连续加料器包括有：一与该成长炉（１０）连接的主加料器（２０），具有一进料腔体（２１）、一容料器（２２）及一升降机构（２３），该进料腔体（２１）与该成长炉（１０）相连通，该容料器（２２）容置有多数料体（４０），该升降机构（２３）分别与该进料腔体（２１）及该容料器（２２）连接；及一与该成长炉（１０）连接的副加料器（３０），具有一置料容器（３１）、一缓冲下料器（３２）及一下料导引管（３３），该置料容器（３１）容置有多数该料体（４０），该缓冲下料器（３２）设置于该置料容器（３１）的一出口端（３１１），该下料导引管...
【技术特征摘要】
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