具有低缺陷整体窗的化学机械抛光垫制造技术

一种化学机械抛光垫，其包括抛光层，所述抛光层包括整体窗和抛光表面，所述抛光表面适合用来对选自磁性基片、光学基片和半导体基片的基片进行抛光，所述整体窗的配方在抛光过程中提供了改进的缺陷性能。还提供了一种使用所述化学机械抛光垫对基片进行抛光的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及化学机械抛光领域。具体地，本专利技术涉及具有低缺陷整体窗的化学机械抛光垫。本专利技术还涉及一种使用具有低缺陷整体窗的化学机械抛光垫对基片进行化学机械抛光的方法。
技术介绍
在集成电路和其它电子器件的制造中，需要在半导体晶片的表面上沉积多层的导电材料、半导体材料和介电材料，或者将这些材料层从半导体晶片的表面除去。可以使用许多种沉积技术沉积导电材料、半导体材料和介电材料的薄层。现代晶片加工中常规的沉积技术包括物理气相沉积(PVD)(也称为溅射)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和电镀法(ECP)等。当材料层被依次沉积和除去的时候，晶片最上面的表面变得不平。因为随后的半导体加工(例如金属化)需要晶片具有平坦的表面，所以晶片需要平面化。平面化可用来除去不希望出现的表面形貌和表面缺陷，例如粗糙表面，附聚材料，晶格破坏，划痕和污染的层或材料。化学机械平面化，即化学机械抛光(CMP)是一种用来对半导体晶片之类的基片进行平面化的常规技术。在常规的CMP中，将晶片安装在支架组件上，设置在与CMP设备中的抛光垫接触的位置。所述支架组件为晶片提供可以控制的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种化学机械抛光垫，其包括：抛光层，其包括抛光表面和整体窗；所述整体窗在所述抛光层中成为一体；所述整体窗是固化剂与异氰酸酯封端的预聚物多元醇的聚氨酯反应产物；所述固化剂包含固化剂胺部分，该固化剂胺部分能够与所述异氰酸酯封端的预聚物多元醇中所含的未反应的ＮＣＯ部分反应，形成所述整体窗；以胺部分与未反应的ＮＣＯ部分的化学计量比为１∶１至１∶１．２５的用量提供所述固化剂与所述异氰酸酯封端的预聚物多元醇；所述整体窗的孔隙率＜０．１体积％；所述整体窗的压缩形变为５－２５％；其中，所述抛光表面适合用来对选自磁性基片、光学基片和半导体基片的基片进行抛光。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：M·J·库尔普，S·H·威廉姆斯，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US