离子迁移管制造技术

本发明专利技术提出一种离子迁移管，包括沿前后方向顺序叠置在一起的具有中心离化源舱孔的离化源舱、离子门、具有中心迁移管腔的迁移区单元、抑制栅、和法拉第盘，其中所述迁移区单元包括第一绝缘体和分别同心地固定在第一绝缘体正面和背面上的第一金属极片。根据本发明专利技术实施例的迁移管，迁移区单元由一体的第一绝缘体和第一金属极片构成，因此制造简单，拆卸和安装方便。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及一种基于离子迁移原理用于痕量检测的检测设备，尤其是涉及一种离子迁移管。
技术介绍
离子迁移管是基于离子迁移原理的检测设备的核心部件，通常包括离化源舱、离子门、迁移区、抑制栅、法拉第盘。传统迁移管的上述构件分别采用独立的金属极片构成各个组成部分，极片之间用绝缘材料隔开，金属极片连接外部线缆或者在金属极片之间焊接分立的分压电阻，或者将分压电阻放到迁移管的外部。这样的迁移管结构复杂，引线较多， 并且由于两个极片相互通过导线或电子元件焊接在一起而不容易拆卸。此外，在传统的离子迁移管中，离子门、抑制栅等结构都采用网状或丝状的薄金属制成，强度较差，由于变形导致的性能变化明显，影响了检测精确度。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种结构简单、制造和拆卸方便的离子迁移管。根据本专利技术的离子迁移管包括沿前后方向顺序叠置在一起的具有中心离化源舱孔的离化源舱、离子门、具有中心迁移管腔的迁移区单元、抑制栅、和法拉第盘，其中所述迁移区单元包括第一绝缘体和分别同心地固定在第一绝缘体正面和背面上的第一金属极片。根据本专利技术实施例的迁移管，迁移区单元由一体的第一绝缘体和第一金属极片构成，因此制造简单，拆卸和安装方便。另外，根据本专利技术实施例的离子迁移管还具有如下附加技术特征所述第一绝缘体形成有分别位于第一金属极片径向外侧的第一电子元件容纳孔。第一绝缘体进一步形成有位于第一金属极片径向外侧的第一走线孔。所述离化源舱包括第二绝缘体和分别同心地固定在第二绝缘体正面和背面上且彼此连接的第二金属极片。所述第二绝缘体形成有分别位于第二金属极片径向外侧的第二电子元件容纳孔。第二绝缘体进一步形成有位于第二金属极片径向外侧的第二走线孔。离化源舱形成有贯通第二绝缘体和第二金属极片的第二电气过孔。所述离子门包括第三绝缘体和分别同心地固定在第三绝缘体正面和背面上的第三金属极片。所述第三绝缘体形成有分别位于第三金属极片径向外侧的第三电子元件容纳孔。所述第三绝缘体形成有位于第三金属极片径向外侧的第三走线孔。所述抑制栅包括第四绝缘体和分别同心地固定在第四绝缘体正面和背面上且彼此连接的第四正面金属极片和第四背面金属极片，其中第四背面金属极片为环形。所述第四绝缘体上形成有分别位于第四正面金属极片和第四背面金属极片径向外侧的第四电子元件容纳孔。所述第四绝缘体上形成有位于第四正面金属极片和第四背面金属极片径向外侧的第四走线孔。所述抑制栅形成有贯通第四绝缘体用于连接第四正面金属极片和第四背面金属极片的第四电气过孔。所述法拉第盘包括第五绝缘体和分别同心地固定在第五绝缘体正面和背面上且彼此连接的第五金属极片。所述第五绝缘体形成有分别位于第五金属极片径向外侧的第五电子元件容纳孔。所述法拉第盘进一步包括分别同心地固定在第五绝缘体正面和背面上、分别套在第五金属极片径向外侧且彼此连接的环形金属极片，其中所述第五电子元件容纳孔位于环形金属极片径向外侧。第五绝缘体进一步形成有位于环形金属极片径向外侧的第五走线孔。所述第五绝缘体形成有位于环形金属极片内侧与第五金属极片外侧的通风孔。所述法拉第盘形成有用于连接环形金属极片的第五电气过孔。根据本专利技术实施例的离子迁移管进一步包括顺序叠置在法拉第盘后面的法拉第盘后盖环和法拉第盘后盖板，所述法拉第盘后盖板包括第六绝缘体和分别同心地固定在第六绝缘体正面和背面上且彼此相连的第六金属极片，且所述法拉第盘后盖环包括具有第七中心孔的第七绝缘体和分别同心地固定在第七绝缘体正面和背面的第七环形金属极片。所述第六绝缘体上形成有分别位于第六金属极片径向外侧的第六走线孔，且所述第七绝缘体上形成有分别位于第七环形金属极片径向外侧的第七走线孔。所述法拉第盘后盖板形成有分别贯通第六绝缘体和第六金属极片的第六电气过孔。所述法拉第盘后盖板在背面安装有气嘴。所述离化源舱、离子门、迁移区单元、抑制栅、法拉第盘和法拉第盘后盖板分别形成有安装孔且它们通过穿过安装孔的螺栓叠置在一起。第一绝缘体为陶瓷，且所述第一金属极片分别通过腐蚀、电镀、沉积或喷涂形成在第一绝缘体上。本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。附图说明本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中图1是根据本专利技术实施例的离子迁移管处于组装状态的透视图；图2是图1所示离子迁移管的离化源舱的立体图；图3是图2所示离化源舱的正面视图；图4是图3所示离化源舱的侧视图；图5是图1所示离子迁移管的离子门的立体图；图6是图5所示离子门的正面视图7是图6所示离子门的侧视图；图8是图1所示离子迁移管的迁移区单元的立体图；图9是图8所示迁移区单元的正面视图；图10是图9所示迁移区单元的侧视图；图11是多个迁移区单元叠置在一起的局部透视图；图12是图1所示离子迁移管的抑制栅的立体图；图13是图12所示抑制栅的正面视图；图14是图13所示抑制栅的背面视图；图15是图1所示离子迁移管的法拉第盘的立体图；图16是图15所示法拉第盘的正面视图；图17是图1所示离子迁移管的法拉第盘后盖板的正面立体图；图18是图1所示离子迁移管的法拉第盘后盖板的背面立体图；和图19是图1中所示离子迁移管的法拉第盘后盖环的正面立体图。具体实施例方式下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，术语“正”、“背”、“左”、“右”、“径向”、“轴向”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术而不是要求本专利技术必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。下面参考附图详细描述根据本专利技术实施例的离子迁移管。如图1所示，根据本专利技术一个实施例的离子迁移管包括离化源舱1、离子门2、迁移区单元3、抑制栅4、和法拉第盘5。在本专利技术的一些实施例中，离子迁移管进一步包括法拉第盘后盖板6。如图1所示，离化源舱1、离子门2、迁移区单元3、抑制栅4、法拉第盘5、法拉第盘后盖环7和法拉第盘后盖板6沿前后方向(图1中的左右方向)顺序地叠置在一起。在图1所示的示例中，离化源舱1、离子门2、迁移区单元3、抑制栅4、法拉第盘5 和法拉第盘后盖板6的左上角和右下角分别形成有安装孔，螺栓8穿过安装孔，从而将它们沿前后方向顺序组装在一起。下面参考附图详细描述根据本专利技术实施例的离子迁移管的各个组成部分。如图8-11所示，迁移区单元3具有中心迁移管腔314，并且包括第一绝缘体31和分别同心地固定在第一绝缘体31的正面(图10中的左侧表面)和背面(图10中的右侧表面)上的第一金属极片32。第一金属极片32具有与中心迁移管腔314对应的第一金属极片中心孔321。第一金属极片32可以通过电子元件8连接，换言之，第一金属极片32通过电阻连接。例如，电子元件8分别通过从正面和北面的第一金属极片32引出的引线322将正面和背面的第一金属极片32连接。在本专利技术的一些实施例中，第一绝缘体31为陶瓷，由此耐高本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种离子迁移管，其特征在于，包括沿前后方向顺序叠置在一起的具有中心离化源舱孔的离化源舱、离子门、具有中心迁移管腔的迁移区单元、抑制栅、和法拉第盘，其中所述迁移区单元包括第一绝缘体和分别同心地固定在第一绝缘体正面和背面上的第一金属极片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张阳天，彭华，张秀庭，郑小永，
申请(专利权)人：同方威视技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：11