一种提高半导体制造业废气净化效率的方法技术

本发明专利技术涉及一种提高半导体制造业废气净化效率的方法，主要是在废气处理槽内的废气出口端强制喷注供给热空气，该热空气在出口端具有最佳热温度，直接将废气中的有害物质彻底净化，以提高半导体制造业废气的净化效率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别涉及一种利用高温热空气，使之强制导入废气处理槽的废气出口端，以瞬间热半导体制造业废气中有害物质的方法。
技术介绍
众所周知，在目前半导体生产制造的过程中，会产生具毒性的半导体制造业废气，为了避免该废气对环境造成污染与公害，必须先将该废气中的有害物质予以净化去除，才能够排放至外界大气中。为了妥善处理半导体制造业废气，借助废气处理槽，并在废气处理槽的反应腔室内提供高温热源将半导体制造业废气中的有害物质热分解成无害物质，再利用废气处理槽内的喷洒装置，将半导体制造业废气之中的水溶性有害物质，例如氟、氯碳化合物等及粉末溶于水中，冷却，使半导体制造业废气转换成为无害的气体后才排出。上述废气处理槽的高温热源提供的方式，主要可分为两种1、在废气处理槽的周围的壁面上设一组热电偶式加热器，利用热传导的方式传热至反应腔室的壁面，作为高温热源，再借助热辐射的方式对反应腔室内的半导体制造业废气进行热分解净化作业。上述的方式虽然能够对反应腔室内的半导体制造业废气进行热分解进行净化作业，但由于这种方式提供反应温度是在反应腔室的壁面处，距离壁面越远温度越低，反应腔室内的温度不均匀，造成反应腔室内进行热分解的净化作业效率不一，会降低废气处理槽整体的净化效率。并且，半导体制造业废气在导入废气处理槽的反应腔室内后，会扩散布满整个反应腔室内，若反应腔室内进行热分解的净化作业效率不一，则会导致半导体制造业废气无法被完全净化的问题。2、在反应腔室内的废气出口处设置一能够供应燃气及助燃气的供应口与另一点火器，利用点火器将燃气点燃形成火焰作为高温热源，利用火焰直接对刚导入反应腔室内的半导体制造业废气进行热分解的净化作业，能够解决上述半导体制造业废气无法被完全净化的问题。上述借火焰热源净化半导体制造业废气的方法，较具危险性，且装置成本也较高，不符经济效益。因此，针对上述问题，本专利技术人以从事半导体制造业废气处理设备相关产品的多年研究开发、制造及销售经验，潜心钻研；经过不断的努力研究、试验与改进，终于研创出本专利技术以解决上述的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，克服了目前借火焰热源净化半导体制造业废气的方法净化效率不一，半导体制造业废气无法被完全净化，有危险性，装置成本较高，不符经济效益的缺点。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的主要是在半导体制造业废气出口端强制喷注供给热空气，借此热空气直接喷袭半导体制造业废气出口端导入的废气，并同时进行强制性高温热分解而进行净化作业，使废气中的有害物质能够在溢散前被先行净化，进而能够提高净化半导体制造业废气的效率。本专利技术具有以下的优点1、利用高温热空气，使之强制导入废气处理槽的废气出口端，以瞬间加热半导体制造业废气中有害物质，能够有效提高半导体制造业废气的净化效率，克服了目前废气处理槽反应腔室内的温度不均匀，而造成热分解的净化作业效率不一的缺点，提高了废气处理槽整体的净化效率，解决了半导体制造业废气无法被完全净化的问题。2、利用空气加热作为高温热源，其不需另外花钱购买其他设备材料等，故成本较为低廉，符合经济效益；又并不会有燃气外泄、气爆等安全性的问题，故安全度较高。为能详述本专利技术，配合附图详细说明如下。附图说明图1为本专利技术使用的一种半导体制造业废气处理槽结构示意图。图2为本专利技术使用的另一种半导体制造业废气处理槽结构示意图。图3为本专利技术使用的又一种半导体制造业废气处理槽结构示意图。图4为本专利技术使用的再一种半导体制造业废气处理槽结构示意图。具体实施例方式实施例1如图1所示本专利技术的使用的半导体制造业废气处理槽1结构示意图，包括由槽体11及头座12组成的半导体制造业废气处理槽1及热风产生器2，其中，该槽体11具有反应腔室111；该头座12设于上述反应腔室111的一端，且该头座12具有一只或一只以上的废气出口13；该热风产生器2设在头座12上，该热风产生器2具有加热腔室21，该加热腔室21的一端开设有进风口22，该进风口22处设有风扇24，该加热腔室21内设有加热器25，该加热腔室21的另一端开设有出风口23，该出风口23与上述废气出口13相对应。本专利技术的方法是使用上述装置，在废气处理槽1内的废气出口13一端强制喷注供给热空气30，该热空气30将废气4中的有害物质彻底净化，以达到提高废气处理槽的净化效率的目的。当要进行净化半导体制造业废气4的作业时，先利用热风产生器2的风扇24将外界的空气3吸入加热腔室21内，利用加热腔室21内的加热器25将吸入的空气3瞬间加热形成高温热空气30后，再经由出风口23强制喷注至废气出口13一端。当半导体制造业废气4由废气出口13一端导入反应腔室111内时，会在废气出口13前受到强制喷注的热空气30喷袭，使得废气4中的有害物质能够受热产生热分解的现象。由于导入反应腔室111内的半导体制造业废气4中的有害物质在溢散之前，已先被废气出口13前强制喷注的热空气30净化，因此，半导体制造业废气4中的有害物质不会溢散至反应腔室111的其它部位，能够解决因半导体制造业废气4中的有害物质四处溢散所造成的净化效率不佳的问题。并且，该热空气30直接使用热风产生器2抽吸外界空气3并加热而形成，其热空气30的来源及温度皆能够受到控制，因此，本专利技术的净化效率能够稳定的受到控制，且本专利技术系利用空气3加热作为高温热源，其不需另外花钱购买设备材料等，故成本较为低廉；又并不会有燃气外泄、气爆等安全性的问题，故安全度也较高。本专利技术所使用的热风产生器2的功能主要是产生热空气30，用以热分解废气中的有害物质，因此，热空气30能够稳定强制喷注在废气出口13一端。实施例2如图2所示的本专利技术的另使用的半导体制造业废气处理槽1结构示意图及方法与实施例1相似，不同在于在热空气30能够稳定强制喷注于废气出口13一端的前提下，热风产生器2设在槽体11上。实施例3如图3所示的本专利技术的又使用的半导体制造业废气处理槽1结构示意图及方法与实施例1相似，不同在于在热空气30能够稳定强制喷注于废气出口13一端的前提下，热风产生器2设在废气处理槽1外，再利用热风管5将热空气30从头座12端导入槽体11内。实施例4如图4所示的本专利技术的再使用的半导体制造业废气处理槽1结构示意图及方法与实施例1相似，不同在于在热空气30能够稳定强制喷注于废气出口13一端的前提下，热风产生器2设在废气处理槽1外，再利用热风管5将热空气30导入槽体11内。本专利技术方法使用的装置中热风产生器2为一种现有技术构件，并不一定要如本实施例一样设在头座12上，本专利技术仅列举四种实施例来加以说明，热风产生器2的构造并非为本专利技术的重点，不能以此限制本专利技术的权利要求范围，在此并予陈明。本专利技术方法使用的装置构造特征并不局限于此，任何熟知该项技艺者在本专利
内，可轻易思及的变化或修饰，皆为本专利技术的专利范围，在此再次陈明。权利要求1.，包括在废气处理槽的废气出口端强制喷注供给热空气，该热空气直接喷袭自废气出口端排入废气处理槽内的废气中，用以热分解废气中有害物质。2.根据权利要求1所述的提高半导体制造业废气净化效率的方法，其中该热空气是由热风产生器产生的。3.根据权利要求2所述的提高半导体制造业废气净化效率的方法，其中该热风产生器设在废气处理槽的头座内。4.根据权利要求2所述的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高半导体制造业废气净化效率的方法，包括在废气处理槽的废气出口端强制喷注供给热空气，该热空气直接喷袭自废气出口端排入废气处理槽内的废气中，用以热分解废气中有害物质。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冯五良，
申请(专利权)人：东服企业有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]