一种与CMOS电路纵向集成的MEMS硅麦克风及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种与CMOS电路纵向集成的MEMS硅麦克风及其制备方法，其包括背极板硅基及振膜硅基；背极板硅基上设有CMOS电路，背极板硅基对应设置CMOS电路的表面上淀积有电绝缘层，电绝缘层上设有金属键合层，金属键合层与CMOS电路的连接端电连接；背极板硅基上设有若干声孔；振膜硅基对应于与背极板硅基相连的表面设有振膜，振膜硅基内设有贯通振膜硅基的深坑，所述深坑位于声孔的正上方，且深坑与声孔对应分布；振膜硅基对应于设置振膜的表面键合安装于金属键合层上，振膜通过金属键合层与CMOS电路电连接，振膜与下电极间隙配合。本发明专利技术可与CMOS电路芯片垂直集成，简化生产工艺及其封装结构，降低生产成本，增强器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．　一种与ＣＭＯＳ电路纵向集成的ＭＥＭＳ硅麦克风，包括背极板硅基（１）及位于所述背极板硅基（１）上方振膜硅基（９）；其特征是：所述背极板硅基（１）上对应于与振膜硅基（９）相连的另一侧设有ＣＭＯＳ电路（２），背极板硅基（１）对应设置ＣＭＯＳ电路（２）的表面上淀积有电绝缘层，所述电绝缘层上设有金属键合层（７），所述金属键合层（７）与ＣＭＯＳ电路（２）的连接端电连接；背极板硅基（１）上设有若干声孔（１８），所述声孔（１８）位于振膜硅基（９）的正下方，且声孔（１８）从金属键合层（７）的表面向下延伸贯通背极板硅基（１），背极板硅基（１）对应于设置声孔（１８）表面的金属键合层（７）形成下电极（６）；振膜...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：缪建民，
申请(专利权)人：华景传感科技无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：32