导电高分子材料及包括其的电容器制造技术

技术编号:7069219 阅读:254 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种导电高分子材料及包括其的电容器,其中导电高分子材料包括导电聚合物以及与导电聚合物掺杂的1-萘磺酸根离子,导电聚合物是由聚合单体经氧化聚合制成。由本发明专利技术所提供的导电性高分子材料具有电导率高、耐电压性强的特点。采用其作为电解质的铝质固态导电高分子电容器具有耐高温、等效串联电阻(ESR)较低、低漏电处理能力强,击穿电压高的优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电容器加工领域,尤其是涉及一种导电高分子材料及包括其的电容O
技术介绍
电容器是一种能够储存电荷的装置,其可由两个相对设置的极板,阴极板和阳极板所构成;亦可借由将绝缘片插入两片极板之间而构成。其是电子设备中最基础也是最重要的组件之一。电容的产量占全球电子元器件产品的40%以上,基本上所有的电子设备,小到U盘、数码相机,大到航天飞机、火箭中都可以见到它的身影。作为一种最基本的电子元器件,电容对于电子设备来说就像食品对于人一样不可缺少。电容虽小却是一个国家工业技术能力的完全体现,尤其是高档电容代表的是本国精密加工、化工、材料、基础研究的水平(美国、日本是世界上电容设计研究能力最高的两个国家)高档电容产品的设计制造要求甚至不亚于CPU。电容几乎无处不在,上到神五,下到U盘,有电源的地方就有它。电容的作用非常多,如隔直流、旁路(去耦)、滤波、温度补偿计时调谐整流储能等。电容器按照电解电容的阳极可以分为铝电解电容、钽电解电容、铌电解电容。以往传统的看法是钽电容性能比铝电容好,因为钽电容的介质为阳极氧化后生成的五氧化二钽,它的介电能力(通常用ε表示)比铝电容的三氧化二铝介质要高。因此在同样容量的情况下,钽电容的体积能比铝电容做得更小。再加上钽的性质比较稳定,所以通常认为钽电容性能比铝电容好。但这种凭阳极判断电容性能的方法已经过时了,目前决定电解电容性能的关键并不在于阳极,而在于电解质,也就是阴极。因为不同的阴极和不同的阳极可以组合成不同种类的电解电容,其性能也大不相同。采用同一种阳极的电容由于电解质的不同,性能可以差距很大,总之阳极对于电容性能的影响远远小于阴极。电容的阴极目前基本有电解液、二氧化锰、TCNQ、固体聚合物导体(PPY/PEDT)和 CVEX混合型(固体聚合物导体+电解液)。使用不同的阳极和阴极材料可以组合成多种规格的电解电容。例如钽电解电容也可以使用固体聚合物导体做为阴极,而铝电解电容既可以使用电解液,也可以使用TCNQ、PPY和PEDT等等。目前,新型的电解电容发展的非常快,电解电容正在替换某些无机和有机介质电容器。由于技术的进步,如今在小型化要求较高的军用电子对抗设备中也开始广泛使用电解电容。相对于传统的铝质电解电容器和有机半导体电容器,铝质固态导电高分子电容器,使用导电性高分子进行传导,具有高导电性且高温状态下稳定,等效串联电阻低并可承受较大滤波电流。其电导度是传统铝质电解电容器的10000倍。其具有如下优点①在可见光谱内具有高透射率及较高导电率;②最小表面电阻可达150 Ω/crn2(取决于制造条件); ③更好的抗水解性、光稳定性及热稳定性;④在高PH值时,导电性不会下降。铝固体导电高分子电容器的产品特色表现为是高频低阻抗;优良的温度特性;体积小;寿命长,无漏液现象。进而这种高分子导电材料(PEDT)逐渐取代了传统电解液的固态电解电容器。铝质固态导电高分子电容器的使用性能受其所采用的导电高分子材料的性能影响,预想增强铝质固态导电高分子电容器的耐高温特性、低漏电处理能力以及强化击穿电压,寻找一种效果更好的导电高分子材料势在必行。
技术实现思路
本专利技术目的在于克服现有技术的不足,提供一种导电高分子材料,该导电高分子材料具有电导率高、耐电压性强的特点,同时由该导电高分子材料所制备的电容器具有耐高温,等效串联电阻(ESR)较低、漏电流(LC)较小、抗击穿电压较高的特点。为此,本专利技术提供了一种导电高分子材料,包括导电聚合物以及与所述导电聚合物掺杂的1-萘磺酸根离子,导电聚合物是由聚合单体经氧化聚合制成。进一步地,上述导电高分子材料中1-萘磺酸根离子的掺杂度为40% 65%。进一步地,上述导电高分子材料中1-萘磺酸根离子是以1-萘磺酸铁的形式引入到反应体系中。进一步地,上述1-萘磺酸铁的引入量与聚合单体的加入量的摩尔比为1.5 1 2.4 1。进一步地,上述导电高分子材料中1-萘磺酸根离子是以1-萘磺酸铁与1-萘磺酸的混合溶液的形式引入到反应体系中。进一步地,上述1-萘磺酸的加入量为聚合单体与1-萘磺酸铁配总质量的 5%。进一步地,上述1-萘磺酸的加入量为聚合单体与1-萘磺酸铁总质量的2% 3 % ο进一步地,上述1-萘磺酸铁是以3水结晶,6水结晶或9水结晶的1-萘磺酸铁形式加入。进一步地,上述聚合单体为ED0T,或者为具有以下结构式(1)、⑵和(3)中结构的单体的混合物权利要求1.一种导电高分子材料,其特征在于,其包括导电聚合物以及与所述导电聚合物掺杂的1-萘磺酸根离子,所述导电聚合物是由聚合单体经氧化聚合制成的。2.根据权利要求1所述的导电高分子材料,其特征在于,所述导电高分子材料中所述 1-萘磺酸根离子的掺杂度为40 % 65 %。3.根据权利要求2所述的导电高分子材料,其特征在于,所述导电高分子材料中所述 1-萘磺酸根离子是以1-萘磺酸铁的形式引入到反应体系中。4.根据权利要求3所述的导电高分子材料,其特征在于,所述1-萘磺酸铁的引入量与所述聚合单体的加入量的摩尔比为1.5 1 2.4 1。5.根据权利要求2所述的导电高分子材料,其特征在于,所述导电高分子材料中所述 1-萘磺酸根离子是以1-萘磺酸铁与1-萘磺酸的混合溶液的形式引入到反应体系中。6.根据权利要求5所述的导电高分子材料,其特征在于,所述1-萘磺酸的加入量为聚合单体与1-萘磺酸铁总质量的1% 5%。7.根据权利要求6所述的导电高分子材料,其特征在于,所述1-萘磺酸的加入量为聚合单体与1-萘磺酸铁总质量的2% 3%。8.根据权利要求3或5所述的导电高分子材料,其特征在于,所述1-萘磺酸铁是以3 水结晶,6水结晶或9水结晶的1-萘磺酸铁形式加入。9.根据权利要求1所述的导电高分子材料,其特征在于,所述聚合单体为ED0T,或者为具有以下结构式(1)、(2)和(3)中结构的单体的混合物10. 一种电容器,其特征在于,所述电容器中包括上述权利要1-9中任一项所述的导电性高分子材料。全文摘要本专利技术提供了一种导电高分子材料及包括其的电容器,其中导电高分子材料包括导电聚合物以及与导电聚合物掺杂的1-萘磺酸根离子,导电聚合物是由聚合单体经氧化聚合制成。由本专利技术所提供的导电性高分子材料具有电导率高、耐电压性强的特点。采用其作为电解质的铝质固态导电高分子电容器具有耐高温、等效串联电阻(ESR)较低、低漏电处理能力强,击穿电压高的优势。文档编号C08G61/12GK102321341SQ20111025324公开日2012年1月18日 申请日期2011年8月30日 优先权日2011年8月30日专利技术者杨振毅, 蒋铭 申请人:固安福爱电子有限公司本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种导电高分子材料,其特征在于,其包括导电聚合物以及与所述导电聚合物掺杂的1-萘磺酸根离子,所述导电聚合物是由聚合单体经氧化聚合制成的。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:蒋铭杨振毅
申请(专利权)人:固安福爱电子有限公司
类型:发明
国别省市:13

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