一种半导体器件测试系统脉冲大电流幅度校准装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出了一种半导体器件测试系统脉冲大电流幅度校准装置，其组成部分包括：NIPXI-1042主控机箱，NI?PXI-4071高速数据采集单元、TDS320数字示波器、半导体器件测试系统专用测试适配器。通过相关设备的设置，并对采集回来的脉冲信号数据进行处理，求取平均值作为校准结果。目前能够解决通信领域内半导体器件测试系统脉冲大电流源幅度的校准。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术介绍了一种半导体器件测试系统脉冲大电流校准方法，特别是提供了一种半导体器件测试系统脉冲大电流源幅度校准装置，能够解决通信领域内半导体器件测试系统脉冲大电流源幅度的校准。
技术介绍
半导体器件测试系统是用于测试半导体器件参数的设备。测试过程中，半导体器件的附加温升导致测试数据漂移和不稳定，因此在美军标、国军标、国标等标准中规定了 “脉冲测试”法。美军标MIL-STD-750E半导体器件试验方法4. 3. 2. 1、国军标GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法3. 3. 2. 1中，脉冲测试规定了脉冲宽度优先选取300 μ S。随着功率半导体器件的发展，为了适应不同的测试需要，在新修订的美军标及国军标等标准中，将脉冲测试的施加时间进行了延长，将脉冲宽度为300μ s的瞬时单次脉冲电流扩展为脉冲宽度在250 μ s IOms内可调，但300 μ s脉冲测试条件仍然在半导体器件参数测试时被广泛采用。由于半导体器件测试系统广泛采用“脉冲测试法”，即脉冲大电流信号为单次脉冲信号，脉冲宽度在250μ S IOms内可调，由于其技术指标比较高，一般为约为1. 0% 1. 5本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种应用半导体器件测试系统脉冲大电流幅度校准装置进行校准的方法，其特征在于：所述半导体器件测试系统脉冲大电流幅度校准装置包括：主控机箱，高速数据采集单元、数字示波器、半导体器件测试系统专用测试适配器，其中高速数据采集单元具有电压采集的“＋”和“－”端子，半导体器件测试系统专用测试适配器具有脉冲电压信号输出的“＋”和“－”端子以及脉冲电流信号输入的“＋”和“－”端子，数字示波器具有信号测试端子，半导体器件测试系统内部的脉冲大电流源具有“＋”和“－”输出端子，高速数据采集单元位于主控机箱的空槽内，半导体器件测试系统专用测试适配器位于被测半导体器件测试系统测试端，半导体器件测试系统专用测试适配器...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘冲，于利红，江莹，项道才，
申请(专利权)人：刘冲，于利红，
类型：发明
国别省市：11