【技术实现步骤摘要】
本技术涉及工业自动化控制
,尤其涉及一种脉宽调制脉冲信号的测量系统。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管Gnsulated Gate Bipolar Transistor,简称 IGBT),是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT 综合了上述两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低,被广泛应用于大功率如兆瓦级变流器或逆变器(本技术表示为变流器/逆变器)输出脉宽调制(Pulse Width Modulation,简称PWM)脉冲信号的控制领域。在实际工业控制过程中,如果与大功率变流器/逆变器的PWM脉冲信号输出端子连接的IGBT模块不能正常工作,其原因很可能是由于大功率变流器/逆变器输出的PWM脉冲信号不符合预定要求。为了核实故障原因,现有技术通常采用离线PWM脉冲信号的测量技术,单独测试大功率变流器/逆变器的输出脉冲。离线PWM脉冲信号的测量技术是需要停止的工业控制系统的运行,如断开大功率变流器/逆变器与IGBT模块等设备的连接,然后控制变流器/ 逆变器单独输出PWM脉冲信号,根据PWM脉冲信号的测量结果确定故障原因。但 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张林,丛培城,耿辉,
申请(专利权)人:中国北车股份有限公司大连电力牵引研发中心,
类型:实用新型
国别省市:
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