【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例通常涉及被配置成产生精确基准电流的电压-电流转换器电路以及产生精确基准电流的方法。
技术介绍
许多类型的集成电路需要精确电流基准。这种精确电流基准经常使用电压-电流 (V-I)转换器来产生，其实例被示出于附图说明图1A-1C和图2并参照这些图予以描述。在这些附图中，需要精确基准电流的电路实例一般被图示为用Z_load标示的负载。在图IA中，放大器AMP的非反相⑴输入接收一基准电压Vref。放大器AMP的输出驱动NMOS晶体管Ml的栅极。放大器AMP (例如运算放大器)的反相(-)输入连接于晶体管Ml的源极。精确电阻器R_preCisi0n连接在晶体管Ml的源极和接地点(gnd)之间。 负载Z_Load连接在电源电压Vsupply和晶体管Ml的漏极之间。负载Z_load的实例包括但不局限于电阻器、电流镜输入、数-模转换器(DAC)的基准、模-数转换器(ADC)的基准以及用来产生斜坡电压的电容器。在图2中，放大器AMP的反相㈠输入接收一基准电压Vref。放大器AMP的输出驱动PMOS晶体管M2的栅极。放大器AMP的非反相(+)输入连接于晶体管M2的...
【技术保护点】
１．一种被配置成接收基准电压（Ｖｒｅｆ）并产生用于负载（Ｚ＿Ｌｏａｄ）的精确基准电流（Ｉｄｃ）的电压－电流转换器电路，所述电压－电流电路包括：放大器（ＡＭＰ），所述放大器（ＡＭＰ）包括非反相（＋）输入、反相（－）输入以及输出；晶体管（Ｍ１），所述晶体管（Ｍ１）包括控制端子（栅极或基极）、第一电流路径端子（源极或发射极）以及第二电流路径端子（漏极或集电极），在第一和第二电流路径端子之间具有一电流路径，其中所述晶体管（Ｍ１）的控制端子（栅极或基极）由放大器（ＡＭＰ）的输出来驱动。第一电容器（Ｃ１），所述第一电容器（Ｃ１）连接在放大器的反相（－）输入和晶体管（Ｍ１）的第一电流路径...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：B·威廉姆斯，
申请(专利权)人：英特赛尔美国股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US
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