一种流体提纯装置，其包括： 包括第一内侧容室和第二内侧容室的罐，其中，可渗透流体的支承将第一内侧容室和第二内侧容室隔开，所述第一内侧容室可容纳提纯材料，所述第二内侧容室可容纳包含杂质的流体。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及流体提纯领域，并且涉及惰性流体、非活性流体和活性流体的提纯。另外，本专利技术涉及选择性地将微量杂质从惰性流体、非活性流体和活性流体中除掉的方法和材料。
技术介绍
在大量的工业以及科研应用中，高纯度流体流的供应是非常重要的。在半导体工业领域内诸如化学蒸镀等汽相处理技术的快速扩张是与使用在半导体生产设备上的生产装置的配置和使用相关的，该生产装置完全依赖于在使用半导体生产设备的现场高纯度处理流体的供应。考虑到半导体生产中含有出现在流体流中的杂质，需要注意的是，大量的低水准处理杂质会抑制由化学蒸镀或其他蒸镀技术加工出的高质量薄膜电子和光电管的发展。这些杂质由于增加了废品的数量而造成了减产的缺陷，其代价是非常昂贵的。这些杂质可以是微粒或化学污染物。化学杂质可产生于源流体本身的生产中，也可产生于其后续的包装、出货、存储以及处理中。尽管源流体的生产者典型提供了对发送至半导体生产设备的源气体材料的分析，但是流体的纯度可由于气体保存在其内的容器(如高压气瓶)的气体渗入和逸出而变化。杂质污染物还可来自于不正常的流体容器变化、泄漏进入下游处理装置的渗入物、或该下游装置的逸出气体。例如，在半导体生产过程中，杂质的去除有助于确保高质量、高性能半导体芯片的生产。当这些杂质在半导体生产期间被引入到半导体芯片中时，这些杂质出于其有意的目的趋向于令芯片低效或甚至失效。因而，越来越多的工业企业现在需要杂质浓度不超过大约十亿分之十(10ppb)水平的流体。例如，在使用金属有机化学蒸镀(MOCVD)的III-V半导体器件的生产中，IIIA族有机金属源气体，如三甲基铝、三甲基铟和三甲基镓可通过分馏和/或升华来提纯从而除掉杂质。这些有机金属化合物同氧有很高活性，并且形成能够严重降低III-V半导体器件性能的氧化杂质。本领域仍然需要一种从惰性、非活性以及活性流体中除掉如氧气和水的杂质的反应剂。另外，仍然需要提纯方法和装置，其在流体和提纯材料之间提供相对快的平衡从而确保提纯后的流体具有能被使用的合适的浓度。同样，需要这样的提纯材料，即从惰性、非活性以及活性流体中除掉氧、氧化物以及其他杂质而同时不向提纯后的流体流中散发如水分的污染物。
技术实现思路
本专利技术一个实施例包含流体提纯装置，该流体提纯装置包括罐，所述罐包括容纳提纯材料的第一内侧容室和容纳含有杂质流体的第二内侧容室，其中由可渗透流体的支承将第一内侧容室和第二内侧容室隔开。在另一个实施例中，膜设置在流体与可渗透流体的支承之间，其中膜防止流体接触提纯材料直至膜破裂。本专利技术另一实施例包括流体提纯装置，该流体提纯装置包括第一容器、第二容器和密封元件，所述第一容器包括第一接头和提纯材料，所述第二容器包括第二接头和将被提纯的流体，当第一容器接合至第二容器时，密封元件内置在第一接头和第二接头之间，其中密封元件包括内膜，所述内膜使将被提纯的流体与提纯材料隔开直至内膜破裂。本专利技术另一实施例包括流体提纯装置，该流体提纯装置包括岐管、第一单向阀和提纯单元，所述岐管包括第一分支和第二分支，所述第一单向阀接合至岐管的第一分支，所述提纯单元包括第一端部和第二端部，其中第一端部接合至所述岐管的第二分支。本专利技术另一实施例包括流体提纯装置，该流体提纯装置包括含有罐阀的流体罐、安置在所述流体罐外侧的提纯单元和温度控制装置，其中所述提纯单元包括第一开口和第二开口，所述第一开口接合至所述罐阀并且所述第二开口接合至用于提纯的流体的使用场所，所述温度控制装置热耦合至所述流体罐和所述提纯单元。本专利技术另一实施例包括提纯流体的方法，该方法包括设置一个包括第一容室和第二容室的罐，其中由可渗透流体的支承将第一容室和第二容室分隔开；在第一容室内设置提纯材料并在第二容室内提供流体；使用于防止所述流体接触所述提纯材料的膜破裂；以及使流体流经可渗透流体的支承和提纯材料以将杂质从流体去除。额外的新颖特征在以下说明中将部分地公布，并且本领域技术人员阅读以下具体实施方式后将部分地清楚或可由本专利技术的实践而领悟。利用手段、结合、尤其如权利要求书所指出的方法，可实现和获得本专利技术的特征和优点。附图说明图1说明了根据本专利技术一个实施例的流体存储和提纯装置100。图2说明了根据本专利技术另一个实施例的流体存储和提纯装置200。图3说明了根据本专利技术另一个实施例的流体提纯装置300。图4说明了根据本专利技术另一个实施例的流体提纯装置400。图5说明了根据本专利技术另一个实施例的流体提纯装置500。图6说明了根据本专利技术另一个实施例的流体提纯装置600。图7说明了根据本专利技术另一个实施例的流体存储和提纯装置700。图8说明了根据本专利技术另一个实施例的提纯单元800。具体实施例方式图1示出了本专利技术的流体提纯装置100，其包括位于流体存储罐101内部并与罐阀102操作性接合的带分支岐管104，所述罐阀102从流体存储罐101接收流体F并将提纯后的流体F’分配出去。装置100的各个元件，如存储罐101、罐阀102、岐管104、提纯单元110、过滤垫108和112、以及单向阀106、114和116将在下面进一步详细说明。带分支岐管的提纯装置100允许用户将流体F经过岐管104的一个在末端带有单向阀116的分支引入到存储罐101内。当流体F从存储罐101流入、经单向阀114、进入提纯单元110后，流体F被提纯，在提纯单元110内杂质被位于其内的提纯材料P除掉。经接合至岐管104的另一个分支的单向阀106流出提纯单元110后，提纯后的流体F’从罐阀102分配出去。现在参看图1所示的装置100的细节，装置100包括安置在流体存储罐101内侧并与阀102操作性接合的岐管104，所述阀102同存储罐101连接。所述阀102是一个具有出口118和安全装置103的传统高压气瓶阀。安全装置103装有在流体罐内的压力超过安全水平后破裂的金属爆破放压盘(burst disk)(未示出)。该金属爆破放压盘包括可熔接的和/或可熔化的金属。岐管104具有两个分支岐管104的一个分支在端部带有第一单向阀116，该第一单向阀116仅允许流体F从岐管104流进存储罐101，而阻止相反方向的流动(也就是，从存储罐101到岐管104)。岐管104的另一个分支与第二单向阀106连接，后者进而与提纯单元110连接。单向阀106仅允许流体F’从提纯单元110流进岐管104，而阻止流体F沿相反方向的流动(也就是，从岐管104到提纯单元110)。过滤垫108位于单向阀106与提纯单元110之间以防止微粒材料阻塞岐管104和阀102。过滤垫108具有外侧部分和内网外侧部分与单向阀106和提纯单元110这二者接合从而将这些元件密封无漏地连接在一起，并且内网截留提纯材料P和提纯单元110内其他的微粒而允许流体F’通至单向阀106。第三单向阀114与提纯单元110连接，其连接的端部是与单向阀106与提纯单元100连接的端部相反。单向阀114具有与单向阀106一样的单向流动方向，即允许流体F从存储罐101向提纯单元110流动，但阻止相反方向的流动。单向阀114还保持流入提纯单元110的流体F直至阀102打开。另一个过滤垫112安置在单向阀114和提纯单元110之间以防止微粒材料进入提纯单元110，并还将提纯材料P保持在提纯单元110内侧。与本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：渡辺忠治，罗伯特·小托里斯，约瑟夫·V·维尼斯基，
申请(专利权)人：马西森三气公司，
类型：发明
国别省市：
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