一种新型低温汞齐制造技术

本发明专利技术公开了一种新型低温汞齐，该新型低温汞齐包括内核，在内核的表面覆盖有汞锌合金表面层。与现有低温汞齐相比，该新型低温汞齐的突出优点在于，由于其汞原子平均分配在锌汞合金表面层部分，汞原子在灯管内的释放速度，显然比传统低温汞齐汞原子的释放速度快，其灯管的爬升时间短，同时有效的减少了荧光灯灯管的用汞量，减少了汞污染，具有很好的实用性，能够产生很好的经济效益和社会效益。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种低温汞齐，具体涉及一种新型低温汞齐。
技术介绍
荧光灯属于低气压气体放电灯，它是依靠汞原子蒸气放电产生的紫外线激发荧光粉发出可见光的，汞是一种有毒有害的物质，不论在荧光灯生产环节还是在荧光灯产品寿命结束后，都会对环境造成污染。资源节约和环境保护是当今世界各国都非常重视的问题， 荧光灯的汞污染问题正引起人们越来越多的关注，研究进一步降低荧光灯用汞量的方法直接影响到未来荧光灯的发展进程。理论上荧光灯维持放电过程所需的用汞十分有限，只有几十微克，而实际用汞量远远超出需要量，实际用汞量常常达到十几毫克左右，引起汞过多消耗的原因很多，其中提高荧光灯产品生产工艺水平，降低灯管用汞量关键。传统低温汞齐对降低汞污染，保护环境虽然发挥了一定积极作用，但是随着欧盟对T5等直管荧光灯用汞量要求，进一步的提高，传统低温汞齐在进一步使用中，暴露出主要缺陷，就是使用传统低温汞齐的T5直管荧光灯亮得很慢，即爬升时间变得很长，未来低压汞放电灯，既要求其含汞量进一步大幅度降低，又要求其亮得快，由此传统低温汞齐已不能适应这一新的要求。
技术实现思路
专利技术目的针对现有低温汞齐的不足，本专利技术的目的是提供一种新型低温汞齐，以通过改变其结构，减少汞用量，降低汞污染，改变灯管爬升时间。技术方案为了实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案为 一种新型低温汞齐，包括内核，在内核的表面覆盖有汞锌合金层。所述的内核为铁球、铁合金球，锌球或锌合金球。有益效果与现有技术相比，本专利技术所述的新型低温汞齐的突出优点包括由于其汞原子平均分配在表面层部分，汞原子明显比传统汞齐更容易释放进入荧光灯管壁中， 其达到饱和汞蒸气压需要的汞释放时间明显快于传统低温汞齐，同时有效的减少了汞用量，减少了汞污染，具有很好的实用性，能够产生很好的经济效益和社会效益。附图说明图1是新型低温汞齐的结构示意图。 具体实施例方式下面结合具体附图对本专利技术做进一步的解释。如图1所示，新型低温汞齐由内核1和锌汞合金层2组成；锌汞合金层2覆盖在内核1表面上。3新型低温汞齐结构上由两部分组成，内核部分和表面层部分，内核通常为铁球、铁合金球、锌球或锌合金球，表面层为锌汞合金表面层，锌汞合金层中汞原子与锌原子平均分配，其质量比为5%-45%。T5直管荧光灯亮的快慢，即通常所说的上升时间，主要由汞齐中汞原子的扩散速度决定，很显然新型低温汞齐，由于其汞原子平均分配在表面层部分，汞原子明显比传统汞齐更容易释放进入荧光灯管壁中，其达到饱和汞蒸气压需要的汞释放时间明显快于传统低温汞齐。实施例1新型低温汞齐由内核直径为1. 4mm的铁合金球和表面层部分为0. 35mm厚度锌汞合金层组成，锌汞合金中汞的质量含量为30%。实施例2新型低温汞齐由内核直径为1. Omm的锌合金球和厚度为0. 4mm、含汞量(质量)10%的锌汞合金组成。实施例3新型低温汞齐由内核直径为1. 4mm的锌锡合金球和表面厚度为0. 35mm、汞含量(质量) 30%的锌汞合金组成。权利要求1.一种新型低温汞齐，其特征在于包括内核(1)，在内核(1)的表面覆盖有汞锌合金层⑵。2.根据权利要求1所述的新型低温汞齐，其特征在于所述的内核(1)为铁球、铁合金球，锌球或锌合金球。全文摘要本专利技术公开了一种新型低温汞齐，该新型低温汞齐包括内核，在内核的表面覆盖有汞锌合金表面层。与现有低温汞齐相比，该新型低温汞齐的突出优点在于，由于其汞原子平均分配在锌汞合金表面层部分，汞原子在灯管内的释放速度，显然比传统低温汞齐汞原子的释放速度快，其灯管的爬升时间短，同时有效的减少了荧光灯灯管的用汞量，减少了汞污染，具有很好的实用性，能够产生很好的经济效益和社会效益。文档编号H01J61/28GK102324378SQ201110261718公开日2012年1月18日 申请日期2011年9月6日 优先权日2011年9月6日专利技术者周义科, 朱加才, 朱圣武 申请人:扬州市邗江神珠电子器材厂本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．　一种新型低温汞齐，其特征在于：包括内核（１），在内核（１）的表面覆盖有汞锌合金层（２）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周义科，朱圣武，朱加才，
申请(专利权)人：扬州市邗江神珠电子器材厂，
类型：发明
国别省市：32