一种采用两次外延锑埋层技术的双极型器件制作工艺制造技术

本发明专利技术公布了一种采用两次外延锑埋层技术的双极型器件制作工艺，所述方法包括锑埋一注入，退火；硼埋一注入，退火；外延一；锑埋二注入，退火；硼埋二注入，退火；外延二；N阱注入，退火；磷桥扩散；隔离扩散；低硼、基区、浓硼注入，退火；发射区注入，退火；接触孔刻蚀；金属一溅射，刻蚀；通孔刻蚀；金属二溅射，刻蚀；压点刻蚀。本发明专利技术采用两次外延锑埋层技术的悬浮PNP管，其饱和压降优于采用常规技术的悬浮PNP管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种在半导体元器件制作工艺中采用两次外延及锑埋层技术的工艺方法，属于半导体制作

技术介绍
随着集成电路技术的发展，对于功率放大类集成电路的技术要求越来越高，希望能在尽可能小的芯片上输出尽可能大的功率。为此，功放类集成电路的输出级设计就显的尤为关键。目前功放电路使用较多的输出级结构如图1所示，图中Tl，T2复合而成的PNP 型管与NPN型管T3构成互补形式输出。当输入信号为正半周时，T1，T2导通，Τ3截止，输出管饱和压降取决于Tl管饱和压降+Τ2管Vbe ；当输入信号为负半周时，Tl，Τ2截止，Τ3导通，饱和压降取决于Τ3管饱和压降。众所周知，器件饱和压降越小，电路输出功率越大。由此可见，以上电路的输出功率主要受制于Tl管饱和压降和Τ3管饱和压降。且Tl管一般为横向PNP管，饱和压降尤其较大。而减小NPN管Τ3饱和压降的常规方法，一般是采用加一次锑埋层及磷桥的方法。当悬浮PNP管的技术出现后，悬浮PNP管饱和压降就可以做的很小，且电流能力较强，因此悬浮PNP管可以直接用作输出管取代上图中的Tl，Τ2管，如图2所示，这样既可以降低输出级饱和压降，提高电路输出功率本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种采用两次外延锑埋层技术的双极型器件制作工艺，其特征在于该工艺具体如下：投料：　　　　　　　　　　　采用Ｐ型基片，晶向为（１００）；氧化：　　　　　　　　　　　厚度　４０００　？～８０００　？；第一次锑埋层光刻、腐蚀：　在ＮＰＮ管及悬浮ＰＮＰ管Ｎ埋层部位刻出光刻窗口；第一次锑埋层注入：在ＮＰＮ管埋层部位及悬浮ＰＮＰ管Ｎ埋部位注入锑，注入能量　６０　ＫｅＶ～１００ＫｅＶ，注入剂量２Ｅ１４～６Ｅ１４，杂质为锑；第一次锑埋层退火：退火温度为１０５０℃～１２５０℃　，先通２５０分钟氮气，再通１６０　　　　　　　分钟氧气；第一次硼埋层光刻、注入：在悬浮ＰＮＰ管集电区部位注入硼，注入能量４０　ＫｅＶ...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱伟民，聂卫东，邓晓军，
申请(专利权)人：无锡友达电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32