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本发明公布了一种采用两次外延锑埋层技术的双极型器件制作工艺，所述方法包括锑埋一注入，退火；硼埋一注入，退火；外延一；锑埋二注入，退火；硼埋二注入，退火；外延二；N阱注入，退火；磷桥扩散；隔离扩散；低硼、基区、浓硼注入，退火；发射区注入，退火...
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