【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电源
,特别涉及一种抑制IGBT过电流的驱动电路。
技术介绍
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型功率管)作为不间断电源(UPS)或其他电器设备的功率部件,是关系到设备是否正常运行和可靠运行的关键功率器件,IGBT的器件性能直接关系到设备是否能正常运行及其使用寿命。根据IGBT的工作特性,开通时,最佳的驱动电压为15V士 10%,15V的驱动电压使IGBT处于充分饱和状态, 通态压降也比较低,高于15V的驱动电压难以实现IGBT的过流、短路等保护,IGBT承受过电流的时间大大缩短,影响IGBT的可靠工作,驱动电压低于15V时,IGBT的通态损耗有所增加,但是IGBT承受过电流或短路电流的时间有所延长,且IGBT的关断时产生的应力也较小。所以为使IGBT工作在最佳状态,正常驱动电压控制在15V士 10%,异常时可利用IGBT的特性进行适当保护。造成IGBT损坏的原因有多种,如过电流、过电压、过温度、栅极过电压、功率循环疲劳等多种因素,应用实践表明,过电流是IGBT电力电子线路中经常发生的 ...
【技术保护点】
1.一种抑制IGBT过电流的驱动电路,其特征在于,包括:隔离驱动电路、降栅压钳位电路、推挽放大电路、报警输出电路、以及过电压检测电路,其中,隔离驱动电路的输出端、降栅压钳位电路的第一输出端与推挽放大电路的输入端连接,推挽放大电路的输出端与IGBT驱动回路连接,过电压检测电路的输入端与IGBT驱动回路连接、输出端与降栅压钳位电路的输入端连接,降栅压钳位电路的第二输出端与报警输出电路的输入端连接。
【技术特征摘要】
1.一种抑制IGBT过电流的驱动电路,其特征在于,包括隔离驱动电路、降栅压钳位电路、推挽放大电路、报警输出电路、以及过电压检测电路,其中,隔离驱动电路的输出端、降栅压钳位电路的第一输出端与推挽放大电路的输入端连接,推挽放大电路的输出端与IGBT 驱动回路连接,过电压检测电路的输入端与IGBT驱动回路连接、输出端与降栅压钳位电路的输入端连接,降栅压钳位电路的第二输出端与报警输出电路的输入端连接。2.根据权利要求1所述的抑制IGBT过电流的驱动电路,其特征在于,所述隔离驱动电路包括TLP光电耦合器Ul、电阻Rl、电容Cl以及二极管Dl,电容Cl连接在TLP光电耦合器Ul的8脚与5脚之间,TLP光电耦合器Ul的7脚与6脚相接后与电阻Rl以及二极管 Dl的负极连接,电阻Rl的另一端与二极管Dl的正极相连接。3.根据权利要求1所述的抑制IGBT过电流的驱动电路,其特征在于,所述降栅压钳位电路包括三极管Q1、三极管Q2、二极管D2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R9及微分电容C4, 三极管Ql的集电极接电阻R4后与二极管D2的负极、电阻R5以及电容C4连接,电阻R5、电容C4的另一端接入正电源,三极管Ql的基极与过电压检测电路连接,三极管Ql的发射极接负电源,三极管Q2的集电极接电阻R9后接入负电源,三极管Q2的基极与二极管D2的正极连接,三极管Q2的发射极与电阻R6及推挽放大电路连接。4.根据权利要求3所述的抑制IGBT过电流的驱动电路,其特征在于,还包括连接于三极管Ql的基极与发射极之间的电阻R3 ;和/或连接于三极管Ql的基极与三极管Ql的发射极之间的电容C3。5.根据权利要求3或4所述的抑制IGBT过电流的驱动电路,其特征在于,还包括电阻 R7、电容C5,电阻R7与电容C5并联后,一端与三极管Q2的基极连接,一端接入负电源。6.根据权利要求1所述的抑制IGBT过电流的驱动电路,其特征在于,所述报警输出电路包括依次串联的电阻R8、光电耦合器U2、稳压二极管DZ2,稳压二极管DZ2的正极与光电耦合器U2连接,光电耦合器U2的负极接入正电源。7.根据权利要求1所述的抑制IGBT过电流的驱动电路,其特征在于,所述过电压检测电路包括...
【专利技术属性】
技术研发人员:戴宝锋,
申请(专利权)人:广东易事特电源股份有限公司,
类型:发明
国别省市:44
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