【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种SF6气体电抗器磁屏蔽结构。
技术介绍
气体电抗器在运行过程中的绕组会产生大的漏磁场，漏磁衍射将会引起电抗器铠装壳体发热。
技术实现思路
本技术为了解决以上问题提供了一种减少漏磁衍射、降低电抗器壳体发热、 提高设备利用率的SF6气体电抗器磁屏蔽结构。本技术的技术方案是所述的磁屏蔽结构为设置在电抗器的非导磁壳体内的环形磁屏蔽层，所述的磁屏蔽层设置在电抗器壳体壁上，磁屏蔽层的上端和下端为交错叠加的扇形导磁材料。所述的扇形导磁材料为90度放置的硅钢片。所述的磁屏蔽层为导磁材料制成。所述磁屏蔽层采用导磁开槽方式卷绕成25层的筒状磁屏蔽层。本技术采用较好的导磁材料在电抗器的非导磁非金属铠装壳体内做成环形屏蔽结构，将绕组产生的漏磁导入磁回路中，减少漏磁对铠装壳体的衍射，减少铠装壳体的发热，本技术还可适用于油浸式电抗器。附图说明图1是本技术的结构示意图。图中1是电抗器壳体，2是线圈，3是磁屏蔽层，4是硅钢片。具体实施方式SF6气体电抗器磁屏蔽结构，所述的磁屏蔽结构为设置在电抗器的非导磁壳体1 内的环形磁屏蔽层3，所述的磁屏蔽层3设置在电抗器壳体1壁上，采用导磁开槽方式卷绕成25层的筒状磁屏蔽层3，磁屏蔽层3的上端和下端为交错叠加的扇形导磁材料，所述的扇形导磁材料为90度放置的硅钢片4，所述的磁屏蔽层3为导磁材料制成。权利要求1.SF6气体电抗器磁屏蔽结构，其特征在于所述的磁屏蔽结构为设置在电抗器的非导磁壳体内的环形磁屏蔽层，所述的磁屏蔽层设置在电抗器壳体壁上，磁屏蔽层的上端和下端为交错叠加的扇形导磁材料。2.根据权利要求1所述的SF6气体电抗器磁屏蔽结构，其特...
【技术保护点】
１．ＳＦ６气体电抗器磁屏蔽结构，其特征在于：所述的磁屏蔽结构为设置在电抗器的非导磁壳体内的环形磁屏蔽层，所述的磁屏蔽层设置在电抗器壳体壁上，磁屏蔽层的上端和下端为交错叠加的扇形导磁材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄天顺，王国利，廖永力，
申请(专利权)人：江苏盛华电气有限公司，南方电网科学研究院有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：32
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